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公开(公告)号:DE102011112000A1
公开(公告)日:2013-02-28
申请号:DE102011112000
申请日:2011-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: PERZLMAIER KORBINIAN , GEHRKE KAI , WALTER ROBERT , ENGL KARL , WEISS GUIDO , MAUTE MARKUS , RAMMELSBERGER STEFANIE
IPC: H01L33/44
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.
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公开(公告)号:DE112016000474A5
公开(公告)日:2017-10-05
申请号:DE112016000474
申请日:2016-01-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
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公开(公告)号:DE102014219794A1
公开(公告)日:2016-03-31
申请号:DE102014219794
申请日:2014-09-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHWARZ THOMAS , KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA , RAMMELSBERGER STEFANIE
Abstract: Es wird ein oberflächenmontierbares Bauelement mit einer Montageseite und einer ersten Seite beschrieben, wobei das Bauelement einen Halbleiter-Chip, einen Formkörper und eine elektrisch leitende Struktur umfasst; der Formkörper die Seitenflächen des Halbleiter-Chips und der elektrisch leitenden Struktur umgibt und eine laterale elektrische Isolierung zwischen der elektrisch leitenden Struktur und dem Halbleiter-Chip bildet; an der Montageseite ein erster und ein zweiter Anschlusskontakt zur Oberflächenmontage angeordnet sind; an der ersten Seite eine Schichtenfolge, ein erster elektrischer Kontakt des Halbleiter-Chips und eine erste Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur angeordnet sind, und wobei ein elektrischer Leiter den ersten Kontakt und die erste Anschlussfläche elektrisch leitend verbindet; an der Montageseite der erste Anschlusskontakt eine zweite Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur bedeckt; und ein erster Umfang der ersten Anschlussfläche und/oder ein zweiter Umfang der zweiten Anschlussfläche kleiner ist, als ein dritter Umfang einer zwischen der ersten und zweiten Anschlussfläche angeordneten Schnittfläche der elektrisch leitenden Struktur.
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公开(公告)号:DE112016002926A5
公开(公告)日:2018-03-08
申请号:DE112016002926
申请日:2016-06-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: LEIRER CHRISTIAN , RAMMELSBERGER STEFANIE , HOXHOLD BJOERN
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公开(公告)号:DE102010035966A8
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:DE102010035966
申请日:2010-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ENGL KARL DR , RAMMELSBERGER STEFANIE , MAUTE MARKUS DR , GUENTHER OLIVER , WALTER ROBERT , KLEMP CHRISTOPH DR
IPC: H01L33/10
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公开(公告)号:DE102015110429A1
公开(公告)日:2017-01-12
申请号:DE102015110429
申请日:2015-06-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: LEIRER CHRISTIAN , RAMMELSBERGER STEFANIE , HOXHOLD BJÖRN
Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: – ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer eine lichtemittierenden Fläche umfassende Oberseite, – ein das Halbleiterbauteil einbettendes und die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse, – wobei eine Gehäusefläche mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
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公开(公告)号:DE102015108056A1
公开(公告)日:2016-11-24
申请号:DE102015108056
申请日:2015-05-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: PERZLMAIER KORBINIAN , RAMMELSBERGER STEFANIE , KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA , IKONOMOV JULIAN , LEIRER CHRISTIAN
IPC: H01L33/62
Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteils umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (C1) mit einem elektrisch leitfähige ausgebildeten Träger (T), einem aktiven Teil (AT), welcher epitaktisch gewachsene Schichten enthält, und einer Zwischenschicht (ZS), welche zwischen dem Träger (T) und dem aktiven Teil (AT) angeordnet ist und ein Lotmaterial enthält. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst weiterhin eine elektrische Anschlussstelle, welche eine Unterseite des Trägers (T) zumindest teilweise bedeckt, wobei die elektrische Anschlussstelle auf einer dem Träger (T) zugewandten Seite eine erste Kontaktschicht (KS1) umfasst und die erste Kontaktschicht (KS1) Aluminium enthält oder aus Aluminium besteht.
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公开(公告)号:DE102010035966A1
公开(公告)日:2012-03-01
申请号:DE102010035966
申请日:2010-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: KLEMP CHRISTOPH , ENGL KARL DR , RAMMELSBERGER STEFANIE , MAUTE MARKUS DR , WALTER ROBERT , GUENTHER OLIVER
IPC: H01L33/10
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
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公开(公告)号:DE102014219794B4
公开(公告)日:2020-06-18
申请号:DE102014219794
申请日:2014-09-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHWARZ THOMAS , KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA , RAMMELSBERGER STEFANIE
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements (10, 60, 70, 80, 90) mit einer Montageseite. (4) und einer der Montageseite (4) gegenüberliegend angeordneten ersten Seite (2), mit- Bereitstellen eines temporären Trägers (32) mit einer Klebeschicht (34);- Bereitstellen einer Schablone (36,46) mit einer Vielzahl von Aussparungen (40);- Aufbringen einer Vielzahl elektrisch leitender Strukturen (13) auf die Schablone (36, 46), wobei die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) im Wesentlichen ungeordnet auf die Schablone (36, 46) aufgebracht wird;- Verteilen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) auf die Aussparungen (40) der Schablone (36, 46), wobei in den Aussparungen (40) jeweils eine elektrisch leitende Struktur (13) angeordnet ist;- Aufbringen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) auf die Klebeschicht (34);- Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiter-Chips (11) auf die Klebeschicht (34), wobei die Halbleiter-Chips (11) mit einer im Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) an der ersten Seite (2) des Bauelements angeordneten Schichtenfolge (16) des Halbleiter-Chips (11) auf die Klebeschicht (34) aufgebracht werden;- Einbetten der Halbleiter-Chips (11) und der elektrisch leitenden Strukturen (13) in einen Formkörper (12), wobei der Formkörper (12) die elektrisch leitenden Strukturen (13) und die Halbleiter-Chips (11) elektrisch isoliert;- Trennen des Formkörpers (12) von der Klebeschicht (34) und dem temporären Träger (32); und- elektrisches Verbinden eines an der ersten Seite (2) des Bauelements (10, 60, 70, 80, 90) angeordneten ersten Kontakts (15) des Halbleiter-Chips (11) mit einer an der ersten Seite (2) des Bauelements (10, 60, 70, 80, 90) angeordneten ersten Anschlussfläche (20) der elektrisch leitenden Struktur (13).
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公开(公告)号:DE112016002294A5
公开(公告)日:2018-02-15
申请号:DE112016002294
申请日:2016-05-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
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