公开(公告)号：JP2009084693A

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：JP2008250749

申请日：2008-09-29

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRES ALEXANDER

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C14/505 ,  C23C16/301 ,  C23C16/306 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a layer deposition apparatus capable of reducing pre-reaction of a process gas. SOLUTION: The layer deposition apparatus is provided with a chamber (10) having a process gas room (11) which is provided with a substrate carrier (12) for receiving at least one substrate (13) to be coated and a partition wall (23). The partition wall (23) partitions the first segment (21) of the process gas room (11) from the second segment (22) of the process gas room (11), and a device (44) is installed for bringing the substrate (13) into relative motion with respect to the partition wall (23). COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够减少处理气体的预反应的层沉积设备。 解决方案：层沉积设备设置有具有处理气室（11）的室（10），其具有用于接收至少一个待涂覆的衬底（13）的衬底载体（12）和分隔件 墙（23）。 分隔壁（23）将处理气体室（11）的第一段（21）与处理气体室（11）的第二段（22）分隔开，并且安装装置（44）以将基板 13）相对于分隔壁（23）相对运动。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009016825A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：JP2008167248

申请日：2008-06-26

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： MUELLER MARTIN ,  GROENNINGER GUENTHER ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/4018

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a monolithic integration type laser diode chip wherein its local distortion and its lattice mismatch are so reduced between its GaAs semiconductor substrate and its waveguide layer or its clad layer as to delay its degradation and as to improve its life time.
SOLUTION: The monolithic integration type laser diode chip is the one wherein it has at least two laser laminates on a GaAs semiconductor substrate, and each laminate includes each one active region interposed between waveguides, and further, each waveguide is adjacent to one clad layer on the opposite side to each active region. Further, in the laser diode chip, at least one of the waveguide layer and the clad layer which are present in at least the one laser laminate, has Al
x Ga
1x As (0≤x≤1, in the formula) and has at least one main group III additional element or one main group V additional element. Moreover, in the laser diode chip, the lattice mismatch present between the GaAs-possessed semiconductor substrate and at least the one waveguide layer or the one clad layer is reduced.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种单片集成型激光二极管芯片，其中局部失真及其晶格失配在其GaAs半导体衬底与其波导层或其包层之间如此减小，以延缓其劣化并改善 它的生活时间。 解决方案：单片集成型激光二极管芯片是其中在GaAs半导体衬底上具有至少两个激光层压板的激光二极管芯片，并且每个层压板包括介于波导之间的每个有源区域，此外，每个波导与一个 在每个有源区域的相对侧上。 此外，在激光二极管芯片中，存在于至少一个激光层叠体中的波导层和包覆层中的至少一个具有Al x SB （式中0≤x≤1），并且具有至少一个主要III族附加元素或一个主要V族附加元素。 此外，在激光二极管芯片中，GaAs所拥有的半导体衬底和至少一个波导层或一个覆盖层之间存在的晶格失配减小。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2005109507A

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：JP2004288292

申请日：2004-09-30

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRES ALEXANDER ,  LINDER NORBERT ,  MEIER BERND

IPC: H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02543 ,  H01L33/0062

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method, capable of reducing an influence of the quality of a substrate on optical and electrical qualities of a constituent element layer line, and to improve stability in a secular variation.
SOLUTION: At least one continuous layer having one of the first group III-V compound semiconductor material layers and one of the second group III-V compound semiconductor material layers is attached to a substrate or a buffer layer, before the epitaxial constituent element layer line is attached, wherein the first group III-V compound semiconductor material layers and the second group III-V compound semiconductor material layers have mutually different composition, and also include a first group of a group V elements and a second group of the group V elements.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够降低基板质量对构成元件层线的光学和电学质量的影响并提高长期变化的稳定性的方法。 解决方案：在外延成分之前，将至少一个具有第一III-V族化合物半导体材料层之一和第二组III-V族化合物半导体材料层之一的连续层附着到基板或缓冲层 元件层线连接，其中第一III-V族化合物半导体材料层和第二III-V族化合物半导体材料层具有相互不同的组成，并且还包括第一组V族元素和第二组 V组元素。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：DE102014113975A8

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102014113975

申请日：2014-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  GRÖNNINGER GÜNTHER ,  KREUTER PHILIPP ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101

公开(公告)号：DE102018111021A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102018111021

申请日：2018-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01L33/50 ,  F21K9/64 ,  F21V9/32 ,  H01L27/15 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit- einem Halbleiterkörper (1) umfassend einen aktiven Bereich (13), der zur Emission einer Primärstrahlung (B) ausgebildet ist, und- einem ersten Konversionselement (4), das zur Konversion eines Teils der Primärstrahlung (B) zu einer ersten Sekundärstrahlung (G) ausgebildet ist, wobei- das erste Konversionselement (4) an einer Oberseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist,- das erste Konversionselement (4) als Körper ausgebildet ist, der den Halbleiterkörper (1) an seiner Oberseite (1a) zum Teil bedeckt, und- das erste Konversionselement (5) monolithisch mit dem Halbleiterkörper (1) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102013103603A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102013103603

申请日：2013-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOLLER ANDREAS ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: B01F3/04 ,  C23C16/448

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Versorgen eines Prozesses mit einem angereicherten Trägergas, wobei eine erste Vorrichtung und eine zweite Vorrichtung vorgesehen sind, wobei die erste Vorrichtung einen Precursor aufweist und ausgebildet ist, um ein Trägergas mit dem Precursor in Kontakt zu bringen und mit dem Precursor anzureichern, wobei die zweite Vorrichtung einen Precursor aufweist und ausgebildet ist, um ein Trägergas mit dem Precursor in Kontakt zu bringen und mit dem Precursor anzureichern, wobei die erste Vorrichtung die zweite Vorrichtung mit einem angereicherten Trägergas versorgt, wobei die zweite Vorrichtung das angereicherte Trägergas für den Prozess bereitstellt, wobei eine Temperatur der ersten Vorrichtung abhängig von einer Menge an Precursor in der zweiten Vorrichtung gesteuert wird. Zudem betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zum Anreichern eines Trägergases mit einem Precursor und eine Steuerung zum Steuern des Verfahrens.

公开(公告)号：DE10361659A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：DE10361659

申请日：2003-12-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES ALEXANDER ,  LINDER NORBERT ,  MAYER BERND

IPC: H01L21/20 ,  H01S5/343 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

Abstract: Process for preparation of an epitaxial structural element based on a first group III/V compound semiconductor material system (SMS) with a first group V element on a substrate or buffer layer, which includes a material based on a second group III/V element SMS with a second group V element different from the first one, where prior to application of the epitaxial layer sequence, a layer sequence with different first and second group III/V compound SMS is applied.

公开(公告)号：DE102018130560A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018130560

申请日：2018-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN ,  HALBRITTER HUBERT ,  MOHAJERANI MATIN ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/10 ,  H01S5/183

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Resonatorspiegel (110), einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (115), und einen zweiten Resonatorspiegel (120), die jeweils entlang einer ersten Richtung übereinander angeordnet sind. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst weiterhin eine Brechungsindexmodulationsschicht (133) innerhalb eines optischen Resonators zwischen dem ersten Resonatorspiegel (110) und dem zweiten Resonatorspiegel (120). Die Brechungsindexmodulationsschicht (133) weist erste Bereiche (136) eines ersten Materials mit einem ersten Brechungsindex sowie zweite Bereiche (138) eines zweiten Materials mit einem zweiten Brechungsindex auf, wobei die ersten Bereiche (136) in einer zur ersten Richtung senkrechten Ebene angrenzend an die zweiten Bereiche (138) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102008010041A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE102008010041

申请日：2008-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES ALEXANDER

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/46 ,  C30B23/02

Abstract: Layer deposition apparatus comprises a chamber (10) with a support (12) for substrate(s) (13) to be coated; a process gas enclosure (11) separated into first and second segments (21, 22) by a partition (23); and a system for moving the substrate(s) relative to the partition. An independent claim is included for a method of operating the apparatus, involving: (A) locating the substrate(s) (13) to be coated on the support (12); (B) setting up first and second operating conditions respectively in the first and second segments (21, 22) of the process gas enclosure (11), separated by the partition (23); and (C) moving the substrate(s) relative to the partition.

公开(公告)号：DE102007030062A1

公开(公告)日：2009-01-02

申请号：DE102007030062

申请日：2007-06-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER MARTIN ,  GROENNINGER GUENTHER ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343

Abstract: The monolithically integrated laser diode chip structured as multi-beam laser diode, comprises laser stacks (4a, 4b, 4c) arranged one above the other on a semiconductor substrate (3) made of gallium arsenide of same lattice parameter, where the laser stacks contain an active zone, which is arranged between two waveguide layers. The laser stacks are connected by tunnel transitions (5). The waveguide layers are adjoined on coat layers at a side turned to the active zone. The monolithically integrated laser diode chip structured as multi-beam laser diode, comprises laser stacks (4a, 4b, 4c) arranged one above the other on a semiconductor substrate (3) made of gallium arsenide of same lattice parameter, where the laser stacks contain an active zone, which is arranged between two waveguide layers. The laser stacks are connected by tunnel transitions (5). The waveguide layers are adjoined on coat layers at a side turned to the active zone. One of the waveguide layers or coat layers comprise Al xGa 1 - xAs, where x is 0-1, and an additional element of III or V main group (15%), so that it reduces the lattice mismatch between the waveguide layer or coat layer with the additional element and the semiconductor substrate. The lattice parameter of the waveguide layer or coat layer is reduced by the additional element. The waveguide layer or coat layer has the additional element in different concentrations. The additional element is spatially varied within the waveguide layer or coat layer.