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公开(公告)号:DE102021117858A1
公开(公告)日:2023-01-12
申请号:DE102021117858
申请日:2021-07-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHULZ ROLAND , BURGER MARKUS , LAUBSCHER MORITZ
Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (1) umfassend wenigstens eine im Betrieb der optoelektronischen Leuchtvorrichtung lichtemittierende Oberfläche (2) und eine auf der wenigstens einen lichtemittierenden Oberfläche angeordnete Konversionsschicht (3). Die Konversionsschicht (3) umfasst ein im wesentlichen transparentes Matrixmaterial (4) mit einem ersten Brechungsindex, in die eingebettet sind: eine Vielzahl von Lichtkonversionspartikeln (5) zur Konvertierung eines von der lichtemittierenden Oberfläche (2) emittierten Lichts einer ersten Wellenlänge in Licht einer zweiten Wellenlänge; und eine Vielzahl von Homogenisierungspartikeln (6) bestehend aus einem Material mit einem zweiten Brechungsindex. Der erste und der zweite Brechungsindex unterscheiden sich dabei höchstens um einen Wert von 0,1.
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公开(公告)号:DE102018113996A1
公开(公告)日:2019-12-12
申请号:DE102018113996
申请日:2018-06-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: GÖÖTZ BRITTA , BURGER MARKUS , JEREBIC SIMON
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) auf einem Träger (2),- Aufbringen mehrerer Einzelkonversionsschichten (4, 4', 4") aufeinander über eine Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (1) mittels Sprühbeschichten, wobei- die Einzelkonversionsschichten (4, 4', 4"") ein Harz (5) mit Leuchtstoffpartikeln (6) aufweisen,- die jeweilige Einzelkonversionsschicht (4, 4', 4") vor dem Aufbringen der nächsten Einzelkonversionsschicht (4, 4', 4") nicht ausgehärtet wird.Außerdem wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
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公开(公告)号:DE102017106407A1
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:DE102017106407
申请日:2017-03-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: GEBUHR TOBIAS , BURGER MARKUS , BOSS MARKUS , PINDL MARKUS
IPC: H01L21/56 , H01L25/075 , H01L33/52
Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritt:A) Bereitstellen eines Chipträgers (2) mit elektrischen Leiterstrukturen (22) an einer Trägeroberseite (20),B) Anbringen mindestens eines Halbleiterchips (3), der zur Lichterzeugung eingerichtet ist, auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22),C) Aufbringen zumindest einer Abdichtstruktur (4) auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22), sodass die Abdichtstruktur (4) mindestens einen Kontaktbereich (24) in Draufsicht gesehen ringsum vollständig umschließt,D) Erzeugen eines Vergusskörpers (5) direkt an dem mindestens einen Halbleiterchip (3) und direkt an der zumindest einen Abdichtstruktur (4) mittels Spritzgießen oder Spritzpressen, wobei die zumindest eine Abdichtstruktur (4) in einem Spritzwerkzeug (61, 62) den mindestens einen Kontaktbereich (24) gegenüber einem Material des Vergusskörpers (5) abdichtet, sodass der mindestens eine Kontaktbereich (24) frei von dem Vergusskörper (5) bleibt.
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公开(公告)号:DE102013214877A1
公开(公告)日:2015-02-19
申请号:DE102013214877
申请日:2013-07-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: GEBUHR TOBIAS , BURGER MARKUS , STOLL ION
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements für ein optoelektronisches Bauelement umfasst Schritte zum Herstellen eines Rahmens mit einer Mehrzahl von Durchbrüchen, zum Einbringen eines Konvertermaterials in eine Mehrzahl der Durchbrüche und zum Zerteilen des Rahmens.
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公开(公告)号:DE102013212928A1
公开(公告)日:2015-01-08
申请号:DE102013212928
申请日:2013-07-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BRANDL MARTIN , BURGER MARKUS
IPC: H01L33/50 , H01L25/075
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer auf einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten Maskenschicht, zum Bereitstellen eines Trägers mit auf einer Oberfläche des Trägers angeordneten Wänden, die einen Aufnahmebereich seitlich begrenzen, zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips im Aufnahmebereich, wobei eine Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberfläche des Trägers zugewandt wird, zum Auffüllen eines den optoelektronischen Halbleiterchip umgebenden Bereichs des Aufnahmebereichs mit einem optisch reflektierenden Material bis zu einer Höhe, die zwischen der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips und einer Oberseite der Maskenschicht liegt, zum Entfernen der Maskenschicht, um einen Freiraum im optisch reflektierenden Material zu schaffen, und zum Einbringen eines wellenlängenkonvertierenden Materials in den Freiraum.
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公开(公告)号:DE102013211634A1
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:DE102013211634
申请日:2013-06-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER MARKUS , BURGER MARKUS
IPC: H01L33/50
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats mit einer Oberfläche, zum Ausbilden einer ersten Maskenstruktur über der Oberfläche, wobei die erste Maskenstruktur erste Stege und zwischen den ersten Stegen angeordnete erste Öffnungen aufweist, wobei die ersten Öffnungen Kavitäten bilden, in denen die Oberfläche des Substrats zugänglich ist, zum Anordnen einer zweiten Maskenstruktur über der ersten Maskenstruktur, wobei die zweite Maskenstruktur zweite Stege und zwischen den zweiten Stegen angeordnete zweite Öffnungen aufweist, wobei die ersten Stege durch die zweiten Stege zumindest teilweise abgedeckt werden, wobei die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen zumindest teilweise zugänglich bleiben, zum Einsprühen eines Materials in die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen, zum Entfernen der zweiten Maskenstruktur und zum Entfernen der ersten Maskenstruktur.
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公开(公告)号:DE102014107473A1
公开(公告)日:2015-12-03
申请号:DE102014107473
申请日:2014-05-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: STÖPPELKAMP VERA , STOLL ION , BURGER MARKUS , LANGE STEFAN , SCHMIDTKE KATHY
Abstract: Ein Konverterelement zur Konvertierung einer Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung umfasst ein Matrixmaterial, in das ein erster Leuchtstoff und ein erster Füllstoff eingebettet sind. Der erste Leuchtstoff weist ein kristallines erstes Wirtsmaterial auf, das mit einem ersten Aktivatormaterial dotiert ist. Der erste Füllstoff weist das erste Wirtsmaterial ohne das erste Aktivatormaterial auf.
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公开(公告)号:DE102013207564A1
公开(公告)日:2014-10-30
申请号:DE102013207564
申请日:2013-04-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BURGER MARKUS , RICHTER MARKUS
Abstract: Ein wellenlängenkonvertierendes Element ist als flaches Plättchen ausgebildet, das eine Grundform mit einer Außenkontur aufweist. Das wellenlängenkonvertierende Element weist gegenüber der Grundform eine Aussparung auf, die durch eine Begrenzungskante begrenzt wird. An jedem Zusammentreffen der Begrenzungskante mit der Außenkontur ist jeweils ein Winkel von weniger als 90° eingeschlossen.
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公开(公告)号:DE112016001664A5
公开(公告)日:2017-12-21
申请号:DE112016001664
申请日:2016-04-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER MARKUS , BRANDL MARTIN , BURGER MARKUS , SPATH GÜNTER
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公开(公告)号:DE102015105474A1
公开(公告)日:2016-10-13
申请号:DE102015105474
申请日:2015-04-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER MARKUS , BRANDL MARTIN , BURGER MARKUS , SPATH GÜNTER
IPC: H01L33/50
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: – einen Hilfsträger, wobei – ein Schichtenstapel umfassend eine Basisschicht und eine Konverterschicht auf einer Oberfläche des Hilfsträgers gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils sowie eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.
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