OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG

    公开(公告)号:DE102021117858A1

    公开(公告)日:2023-01-12

    申请号:DE102021117858

    申请日:2021-07-09

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (1) umfassend wenigstens eine im Betrieb der optoelektronischen Leuchtvorrichtung lichtemittierende Oberfläche (2) und eine auf der wenigstens einen lichtemittierenden Oberfläche angeordnete Konversionsschicht (3). Die Konversionsschicht (3) umfasst ein im wesentlichen transparentes Matrixmaterial (4) mit einem ersten Brechungsindex, in die eingebettet sind: eine Vielzahl von Lichtkonversionspartikeln (5) zur Konvertierung eines von der lichtemittierenden Oberfläche (2) emittierten Lichts einer ersten Wellenlänge in Licht einer zweiten Wellenlänge; und eine Vielzahl von Homogenisierungspartikeln (6) bestehend aus einem Material mit einem zweiten Brechungsindex. Der erste und der zweite Brechungsindex unterscheiden sich dabei höchstens um einen Wert von 0,1.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT

    公开(公告)号:DE102018113996A1

    公开(公告)日:2019-12-12

    申请号:DE102018113996

    申请日:2018-06-12

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) auf einem Träger (2),- Aufbringen mehrerer Einzelkonversionsschichten (4, 4', 4") aufeinander über eine Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (1) mittels Sprühbeschichten, wobei- die Einzelkonversionsschichten (4, 4', 4"") ein Harz (5) mit Leuchtstoffpartikeln (6) aufweisen,- die jeweilige Einzelkonversionsschicht (4, 4', 4") vor dem Aufbringen der nächsten Einzelkonversionsschicht (4, 4', 4") nicht ausgehärtet wird.Außerdem wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen

    公开(公告)号:DE102017106407A1

    公开(公告)日:2018-09-27

    申请号:DE102017106407

    申请日:2017-03-24

    Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritt:A) Bereitstellen eines Chipträgers (2) mit elektrischen Leiterstrukturen (22) an einer Trägeroberseite (20),B) Anbringen mindestens eines Halbleiterchips (3), der zur Lichterzeugung eingerichtet ist, auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22),C) Aufbringen zumindest einer Abdichtstruktur (4) auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22), sodass die Abdichtstruktur (4) mindestens einen Kontaktbereich (24) in Draufsicht gesehen ringsum vollständig umschließt,D) Erzeugen eines Vergusskörpers (5) direkt an dem mindestens einen Halbleiterchip (3) und direkt an der zumindest einen Abdichtstruktur (4) mittels Spritzgießen oder Spritzpressen, wobei die zumindest eine Abdichtstruktur (4) in einem Spritzwerkzeug (61, 62) den mindestens einen Kontaktbereich (24) gegenüber einem Material des Vergusskörpers (5) abdichtet, sodass der mindestens eine Kontaktbereich (24) frei von dem Vergusskörper (5) bleibt.

    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

    公开(公告)号:DE102013212928A1

    公开(公告)日:2015-01-08

    申请号:DE102013212928

    申请日:2013-07-03

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer auf einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten Maskenschicht, zum Bereitstellen eines Trägers mit auf einer Oberfläche des Trägers angeordneten Wänden, die einen Aufnahmebereich seitlich begrenzen, zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips im Aufnahmebereich, wobei eine Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberfläche des Trägers zugewandt wird, zum Auffüllen eines den optoelektronischen Halbleiterchip umgebenden Bereichs des Aufnahmebereichs mit einem optisch reflektierenden Material bis zu einer Höhe, die zwischen der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips und einer Oberseite der Maskenschicht liegt, zum Entfernen der Maskenschicht, um einen Freiraum im optisch reflektierenden Material zu schaffen, und zum Einbringen eines wellenlängenkonvertierenden Materials in den Freiraum.

    Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements

    公开(公告)号:DE102013211634A1

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:DE102013211634

    申请日:2013-06-20

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats mit einer Oberfläche, zum Ausbilden einer ersten Maskenstruktur über der Oberfläche, wobei die erste Maskenstruktur erste Stege und zwischen den ersten Stegen angeordnete erste Öffnungen aufweist, wobei die ersten Öffnungen Kavitäten bilden, in denen die Oberfläche des Substrats zugänglich ist, zum Anordnen einer zweiten Maskenstruktur über der ersten Maskenstruktur, wobei die zweite Maskenstruktur zweite Stege und zwischen den zweiten Stegen angeordnete zweite Öffnungen aufweist, wobei die ersten Stege durch die zweiten Stege zumindest teilweise abgedeckt werden, wobei die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen zumindest teilweise zugänglich bleiben, zum Einsprühen eines Materials in die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen, zum Entfernen der zweiten Maskenstruktur und zum Entfernen der ersten Maskenstruktur.

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