公开(公告)号：JP2008182245A

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：JP2008014864

申请日：2008-01-25

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： LINDER NORBERT ,  REUFER MARTIN

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00 ,  H01S3/0933 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S3/168 ,  H01S3/0635 ,  H01S3/0933

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means capable of exciting an organic semiconductor laser without any external laser source which requires high cost and much space, and a method of manufacturing such an organic semiconductor. SOLUTION: An optical pump source is integrally connected to an organic semiconductor laser. Advantageously, the pump source and the organic semiconductor laser are fixedly connected to each other to form a unit. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够激发有机半导体激光器的装置，而不需要高成本和大量空间的任何外部激光源，以及制造这种有机半导体的方法。 解决方案：光泵浦源与有机半导体激光器整体连接。 有利地，泵浦源和有机半导体激光器彼此固定地连接以形成一个单元。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102008014093A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：DE102008014093

申请日：2008-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOENIG HARALD ,  LAUER CHRISTIAN ,  MUELLER MARTIN ,  REUFER MARTIN ,  MAYER BERND

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/042

Abstract: An edge emitting semiconductor laser chip includes at least one contact strip, wherein the contact strip has a width B, an active zone, in which electromagnetic radiation is generated during the operation of the semiconductor laser chip, and at least two current barriers, arranged on different sides of the contact strip and extending along the contact strip, wherein the largest distance V between at least one of the current barriers and the contact strip is chosen in such a way that the ratio of the largest distance V to the width B is V/B>1.

公开(公告)号：DE102010002204A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102010002204

申请日：2010-02-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  MAUTE MARKUS ,  REUFER MARTIN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/74 ,  H01L33/02

Abstract: Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.

公开(公告)号：DE102011104515A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102011104515

申请日：2011-06-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUFER MARTIN ,  ALBRECHT TONY ,  MAUTE MARKUS

IPC: H01L33/44 ,  H01L21/782 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: – Bereitstellen zumindest eines Halbleiterkörpers (1); – Einbringen von zumindest einem Graben (2) mittels zumindest eines Strukturierungsprozesses (3) in den Halbleiterkörper (1), wobei – der Graben (2) in einer vertikalen Richtung (V) die aktive Zone (12) durchbricht; – Anwendung zumindest eines Reinigungsprozesses (4) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2), wobei – der Reinigungsprozess (4) zumindest einen Plasmareinigungsprozess (33) umfasst, und – der Plasmareinigungsprozess (44) eine Anzahl und/oder eine räumliche Ausdehnung von Strukturierungsrückständen (333) an freiliegenden Stellen des Halbleiterkörpers (1) zumindest im Bereich des Grabens (2) zumindest verringert; – Aufbringen zumindest einer Passivierungsschicht (5) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2).

公开(公告)号：DE102008014093B4

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102008014093

申请日：2008-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG HARALD DR ,  LAUER CHRISTIAN ,  MÜLLER MARTIN DR ,  REUFER MARTIN ,  MAYER BERND DR

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/042

Abstract: Kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) mit- zumindest einem Kontaktstreifen (2), wobei der Kontaktstreifen (2) eine Breite B aufweist,- einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird,- zumindest zwei Strombarrieren (4), die auf unterschiedlichen Seiten des Kontaktstreifens (2) angeordnet sind und sich längs des Kontaktstreifens (2) erstrecken, wobei- der größte Abstand V zwischen jeder der beiden Strombarrieren (4) und dem Kontaktstreifen (2) derart gewählt ist, dass das Verhältnis von größtem Abstand V zur Breite B V/B > 1 ist, und wobei- der Kontaktstreifen (2) in Bereichen hoher (21) Ladungsträgerinjektion aus einem ersten Metall besteht und in Bereichen niedriger (2) Ladungsträgerinjektion aus einem zweiten Metall besteht, wobei der elektrische Übergangswiderstand zum Halbleitermaterial, auf das der Kontaktstreifen aufgebracht ist, des ersten Metalls kleiner ist als des zweiten Metalls.

公开(公告)号：DE102007011124A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：DE102007011124

申请日：2007-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUFER MARTIN ,  LINDER NORBERT

IPC: H01S5/36 ,  H01L33/00 ,  H01S5/04 ,  H01S5/12

Abstract: The laser has a layer of organic laser-active material (2) and a laser resonator (4). An optical pump source i.e. electrically operated inorganic light emitting device (1), is connected single-piece or monolithically with the laser. The laser resonator is formed by structuring a surface of the organic laser-active material. The organic laser-active material is separated from the optical pump source by a transparent separation layer (3). The laser resonator is formed at a boundary layer between the transparent separation layer and the organic laser-active material. An independent claim is also included for a method for producing an organic semiconductor laser.

公开(公告)号：WO2012171817A3

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/EP2012060393

申请日：2012-06-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  REUFER MARTIN ,  MAUTE MARKUS ,  ALBRECHT TONY

Inventor： REUFER MARTIN ,  MAUTE MARKUS ,  ALBRECHT TONY

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, which comprises at least the following method steps: providing at least one semiconductor body (1); introducing at least one trench (2) into the semiconductor body (1) by means of at least one structuring process (3), wherein the trench (2) breaks through the active zone (12) in a vertical direction (V); applying at least one cleaning process (4) at least to exposed points of the semiconductor body (1) in the area of the trench (2), wherein the cleaning process (4) comprises at least one plasma cleaning process (33), and the plasma cleaning process (44) reduces a number and/or a physical extent of structuring residues (333) at exposed points of the semiconductor body (1), at least in the area of the trench (2); and applying at least one passivation layer (5) at least to exposed points of the semiconductor body (1) in the area of the trench (2).

Abstract translation: 一种用于制造多个给定光电半导体芯片的方法，包括至少以下步骤： - 提供至少一个半导体本体（1）; - （2）通过在半导体本体的至少一个图案化工艺（3）的装置将至少一个沟槽（1），其中 - 所述槽（2）在垂直方向（V）突破了有源区（12）; - 至少在至少一个清洁过程（4）的应用在半导体本体的暴露的部分（1）在所述沟槽的区域（2），其中 - 所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及 - 所述等离子清洁工艺（44）包括一个数字和 /或在半导体本体（1）至少在所述沟槽的区域（2）被至少减少外露部分结构化残留物（333）的空间范围; - 在所述沟槽的区域上的半导体主体（1）的外露部分施加至少至少一个钝化层（5）（2）。