公开(公告)号：DE112019006054A5

公开(公告)日：2021-09-16

申请号：DE112019006054

申请日：2019-11-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  NEVELING KERSTIN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102018131404A1

公开(公告)日：2020-06-10

申请号：DE102018131404

申请日：2018-12-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  NEVELING KERSTIN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine elektrische Durchkontaktierung (3). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet eine aktive Zone (22) zur Strahlungserzeugung und eine Kontaktschicht (25) zur elektrischen Kontaktierung. Die aktive Zone (22) liegt in einer Ebene (P) senkrecht zu einer Hauptwachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) und befindet sich zwischen einem ersten Halbleiterbereich (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (23). Die Kontaktschicht (25) liegt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs (23). Die Durchkontaktierung (3) reicht durch die Kontaktschicht (25) hindurch und endet bevorzugt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs (23). Eine Kontaktfläche (32) zwischen der Durchkontaktierung (3) und der Kontaktschicht (25) schließt zur Ebene (P) einen Kontaktwinkel (w) von mindestens 20° und höchstens 60° ein.

公开(公告)号：DE102004040277A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：DE102004040277

申请日：2004-08-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  WIRTH RALPH ,  PLOESL ANDREAS ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/46

Abstract: The invention describes a method for producing a reflective layer system and a reflective layer system for application to a III/V compound semiconductor material, wherein a first layer, containing phosphosilicate glass, is applied directly to the semiconductor substrate Disposed thereon is a second layer, containing silicon nitride. A metallic layer is then applied thereto.

公开(公告)号：DE112009000756A5

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：DE112009000756

申请日：2009-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID CHRISTIAN ,  SCHLENKER TILMAN ,  ZULL HERIBERT ,  PAETZOLD RALPH ,  KLEIN MARKUS ,  HEUSER KARSTEN

IPC: H01L51/52

公开(公告)号：DE102008019900A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：DE102008019900

申请日：2008-04-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID CHRISTIAN ,  SCHLENKER TILMAN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: The method involves providing a substrate (1) with an organic functional layer (22), and applying a barrier layer on the organic functional layer by plasma enhanced atomic layer deposition. Another barrier layer is applied on the organic functional layer by plasma-enhanced chemical vapor deposition. A protective layer is applied on the barrier layers, where the protective layer exhibits a spraying lacquer. An electrode (21) is applied on the substrate and another electrode (23) is applied on the organic functional layer during providing of the substrate with the organic functional layer.

公开(公告)号：DE10306779A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：DE10306779

申请日：2003-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZULL HERIBERT ,  WIRTH RALPH ,  WINDISCH REINER

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L33/22 ,  B81C1/00 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE102014105799A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：DE102014105799

申请日：2014-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP FABIAN ,  HUPPMANN SOPHIA ,  TAEGER SEBASTIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/52 ,  H01L51/52

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht(5) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.

公开(公告)号：DE102009023355A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：DE102009023355

申请日：2009-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR ELMAR ,  BOEHM BERND ,  HEINDL ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/302

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist, wobei die strukturierte Oberfläche (11) zumindest stellenweise durch Erhebungen (E1, E2) erster (H1) und zweiter Höhe (H2) gebildet ist, wobei die erste Höhe (H1) größer ist als die zweite Höhe (H2); - Bereitstellen eines zweiten Wafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Wafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Wafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2), wobei die Erhebungen (E1, E2) als Gräben (G1, G2) erster und zweiter Tiefe in den Fotolack (2) abgedruckt werden; - Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Strktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (30) des zweiten Wafers (3) übertragen wird.

公开(公告)号：DE10031821B4

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：DE10031821

申请日：2000-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WIRTH RALPH ,  ZULL HERIBERT ,  LINDER NORBERT

IPC: H01H33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

公开(公告)号：DE10142010A1

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：DE10142010

申请日：2001-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DACHS JUERGEN ,  WEISS GUIDO ,  ZULL HERIBERT

IPC: G02B3/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

Abstract: Production of a lens made from a gallium phosphide (GaP) based semiconductor material comprises: (a) preparing a substrate made from a GaP-based semiconductor material; (b) applying a photolacquer on the substrate; structuring the layer and rounding into a lacquer lens by heating; and (c) etching the photolacquer and the substrate in a plasma etching process. Preferably the substrate is etched against the photolacquer layer with a selectivity of 0.5-4. The flow of process gases introduced during the plasma etching is adjusted so that the selectivity of the etching of the semiconductor layer/photolacquer remains constant. During plasma etching, Cl2 or SiCl4, a noble gas, a fluorine compound and a hydrogen compound are introduced.