OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT STROMVERTEILUNGSSCHICHT

    公开(公告)号:DE102018111198A1

    公开(公告)日:2019-11-14

    申请号:DE102018111198

    申请日:2018-05-09

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) umfasst eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (180, 160), sowie eine Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22). Die erste Halbleiterschicht (140) ist über der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der ersten Halbleiterschicht (140) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (180) ist auf einer von der ersten Halbleiterschicht (140) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Die Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22) ist geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (160) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (150) elektrisch verbunden. Die elektrischen Kontaktelemente (20, 21, 22) umfassen ein erstes elektrisches Kontaktelement (20) und ein zweites elektrisches Kontaktelement (21), wobei sich das erste von dem zweiten elektrischen Kontaktelement unterscheidet.

    METHOD FOR A TEMPORARY ELECTRICAL CONTACT OF A COMPONENT ARRANGEMENT AND DEVICE THEREFOR
    4.
    发明申请
    METHOD FOR A TEMPORARY ELECTRICAL CONTACT OF A COMPONENT ARRANGEMENT AND DEVICE THEREFOR 审中-公开
    程序对部件布置及其装置临时电接触

    公开(公告)号:WO2013037807A3

    公开(公告)日:2013-06-20

    申请号:PCT/EP2012067806

    申请日:2012-09-12

    Abstract: The invention relates to a method for a temporary electrical contact of a component arrangement (9) comprising a plurality of contact surfaces (93, 94). A connection board (1) having a plurality of connection surfaces (11, 12), on which contact elevations (2) are arranged, is provided. The connection board (1) and the component arrangement (9) are joined together in such a manner that the connection surfaces (11, 12) and the associated connection surfaces (93, 94) overlap in one view and the contact elevations (2) for electrically contacting the component arrangement (9) form an electrical contact with the connection surfaces (93, 94). Subsequently, the connection board (1) and the component arrangement (9) are separated from one another.

    Abstract translation: 提供了一种用于与一个部件组件(9)的暂时电接触的方法具有多个接触表面(93,94)的。 具有多个焊盘(11,12)在其上的接触凸起(2)被布置提供了一种连接载体(1)。 连接载体(1)和安装件组件(9)被合在一起,使得所述连接表面(11,12)和相关联的接触表面(93,94)在俯视图中重叠,并且所述接触凸起(2)的部件组件的电接触(9)的电 接触到接触表面(93,94)的形式。 随后连接载体(1)和安装件组件(9)彼此隔开。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE, HALTERUNG UND LASERDIODE

    公开(公告)号:DE102012215265B4

    公开(公告)日:2022-09-22

    申请号:DE102012215265

    申请日:2012-08-28

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden mit Laserdiodenstrukturen (2) auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück (1) als Tragelement mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich (16) der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird,wobei anschließend an der Kontaktschicht (19) der Laserdiode ein optisches Bauelement befestigt wird, wobei das optische Bauelement ein weiteres Tragelement (20) und eine optische Faser (21) aufweist, wobei die optische Faser (21) auf die Laserdiodenstruktur (2) der Laserdiode ausgerichtet wird, um eine von der Laserdiodenstruktur (2) ausgekoppelte Laserstrahlung aufzunehmen und weiterzuleiten,wobei die Kontaktschicht (19) zum Montieren des weiteren Tragelements (20) und zum Anschluss eines weiteren elektrischen Kontaktes (36) zum Betreiben der Laserdiode dient.

    ANORDNUNG MIT WENIGSTENS ZWEI LASERDIODEN UND DIFFRAKTIVEM ELEMENT

    公开(公告)号:DE102017107821A1

    公开(公告)日:2018-10-11

    申请号:DE102017107821

    申请日:2017-04-11

    Abstract: Es wird eine Anordnung mit wenigstens zwei Laserdioden (2, 3, 4) beschrieben, wobei die Laserdioden (2, 3, 4) jeweils über eine Seitenfläche (6) elektromagnetische Strahlung (8, 9, 10) in jeweils einer Abstrahlrichtung (13, 14, 15) abgeben, wobei die Laserdioden (2, 3, 4) in der Weise angeordnet sind, dass die Abstrahlrichtungen (13, 14, 15) im Wesentlichen parallel angeordnet sind, wobei in der Abstrahlungsrichtung vor den Laserdioden (2, 3, 4) eine Sammellinse (11) vorgesehen ist, wobei in der Abstrahlrichtung (13, 14, 15) vor der Sammellinse (11) ein diffraktives optisches Element (12) vorgesehen ist, wobei die Sammellinse (11) die Strahlungen (8, 9, 10) der Laserdioden (2, 3, 4) auf das diffraktive optische Element (12) kollimiert.

    Strahlungsquelle zur Emission von Terahertz-Strahlung

    公开(公告)号:DE102017129173A1

    公开(公告)日:2019-06-13

    申请号:DE102017129173

    申请日:2017-12-07

    Abstract: Es wird eine Strahlungsquelle zur Emission von Terahertz-Strahlung (6) angegeben, umfassend mindestens zwei Laserlichtquellen, die Laserstrahlung (11, 12) verschiedener Frequenzen emittieren, und einen Photomischer (5), der ein photoleitendes Halbleitermaterial (51) und eine Antennenstruktur (52) aufweist, wobei der Photomischer (5) dazu eingerichtet ist, die Laserstrahlung (11, 12) der Laserlichtquellen (1, 2) zu empfangen und Terahertz-Strahlung (6) mit mindestens einer Schwebungsfrequenz der Laserlichtquellen abzustrahlen, und wobei die mindestens zwei Laserlichtquellen oberflächenemittierende Halbleiterlaser (1, 2) sind, die in einem eindimensionalen oder zweidimensionalen Array auf einem gemeinsamen Träger (10) angeordnet sind.

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