Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) umfasst eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (180, 160), sowie eine Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22). Die erste Halbleiterschicht (140) ist über der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der ersten Halbleiterschicht (140) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (180) ist auf einer von der ersten Halbleiterschicht (140) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Die Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22) ist geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (160) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (150) elektrisch verbunden. Die elektrischen Kontaktelemente (20, 21, 22) umfassen ein erstes elektrisches Kontaktelement (20) und ein zweites elektrisches Kontaktelement (21), wobei sich das erste von dem zweiten elektrischen Kontaktelement unterscheidet.
Abstract:
Es wird eine Anordnung mit einem Gehäuse vorgeschlagen, in dem ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angeordnet ist, wobei das Gehäuse wenigstens eine für die Strahlung des Bauelementes transparente Wand aufweist, wobei in die Wand diffraktive optische Elemente integriert sind, wobei die Elemente stoffeinheitlich und einteilig mit der Wand ausgebildet sind.
Abstract:
The invention relates to a method for a temporary electrical contact of a component arrangement (9) comprising a plurality of contact surfaces (93, 94). A connection board (1) having a plurality of connection surfaces (11, 12), on which contact elevations (2) are arranged, is provided. The connection board (1) and the component arrangement (9) are joined together in such a manner that the connection surfaces (11, 12) and the associated connection surfaces (93, 94) overlap in one view and the contact elevations (2) for electrically contacting the component arrangement (9) form an electrical contact with the connection surfaces (93, 94). Subsequently, the connection board (1) and the component arrangement (9) are separated from one another.
Abstract:
Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden mit Laserdiodenstrukturen (2) auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück (1) als Tragelement mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich (16) der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird,wobei anschließend an der Kontaktschicht (19) der Laserdiode ein optisches Bauelement befestigt wird, wobei das optische Bauelement ein weiteres Tragelement (20) und eine optische Faser (21) aufweist, wobei die optische Faser (21) auf die Laserdiodenstruktur (2) der Laserdiode ausgerichtet wird, um eine von der Laserdiodenstruktur (2) ausgekoppelte Laserstrahlung aufzunehmen und weiterzuleiten,wobei die Kontaktschicht (19) zum Montieren des weiteren Tragelements (20) und zum Anschluss eines weiteren elektrischen Kontaktes (36) zum Betreiben der Laserdiode dient.
Abstract:
Es wird eine Anordnung mit wenigstens zwei Laserdioden (2, 3, 4) beschrieben, wobei die Laserdioden (2, 3, 4) jeweils über eine Seitenfläche (6) elektromagnetische Strahlung (8, 9, 10) in jeweils einer Abstrahlrichtung (13, 14, 15) abgeben, wobei die Laserdioden (2, 3, 4) in der Weise angeordnet sind, dass die Abstrahlrichtungen (13, 14, 15) im Wesentlichen parallel angeordnet sind, wobei in der Abstrahlungsrichtung vor den Laserdioden (2, 3, 4) eine Sammellinse (11) vorgesehen ist, wobei in der Abstrahlrichtung (13, 14, 15) vor der Sammellinse (11) ein diffraktives optisches Element (12) vorgesehen ist, wobei die Sammellinse (11) die Strahlungen (8, 9, 10) der Laserdioden (2, 3, 4) auf das diffraktive optische Element (12) kollimiert.
Abstract:
Ein diffraktives optisches Element umfasst einen Träger, eine an einer Oberseite des Trägers angeordnete diffraktive Struktur und eine über der Oberseite des Trägers und der diffraktiven Struktur angeordnete Abdeckung.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Träger für ein optoelektronisches Bauelement, umfassend: – einen Grundkörper, – wobei der Grundkörper eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst, – wobei auf einer ersten Seite des Grundkörpers eine erste Lötschicht zum Löten eines optoelektronischen Bauelements an den Grundkörper angeordnet ist, – wobei die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht thermisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft des Weiteren einen Wafer und ein Lötverfahren.
Abstract:
Es wird eine Strahlungsquelle zur Emission von Terahertz-Strahlung (6) angegeben, umfassend mindestens zwei Laserlichtquellen, die Laserstrahlung (11, 12) verschiedener Frequenzen emittieren, und einen Photomischer (5), der ein photoleitendes Halbleitermaterial (51) und eine Antennenstruktur (52) aufweist, wobei der Photomischer (5) dazu eingerichtet ist, die Laserstrahlung (11, 12) der Laserlichtquellen (1, 2) zu empfangen und Terahertz-Strahlung (6) mit mindestens einer Schwebungsfrequenz der Laserlichtquellen abzustrahlen, und wobei die mindestens zwei Laserlichtquellen oberflächenemittierende Halbleiterlaser (1, 2) sind, die in einem eindimensionalen oder zweidimensionalen Array auf einem gemeinsamen Träger (10) angeordnet sind.