公开(公告)号：WO2015124549A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/EP2015/053275

申请日：2015-02-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOCKMEIER, Michael ,  SCHMAL, Michael ,  VEIT, Thomas ,  SWIETLIK, Tomasz

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L33/20 ,  H01L33/465 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung (10) beschrieben, mit einem Halbleiterkörper (3), der eine erste Kontaktschicht (1) an einer ersten Hauptfläche (11) und eine zweite Kontaktschicht (2) an einer zweiten Hauptfläche (12) aufweist. Der Halbleiterkörper (3) weist an der ersten Hauptfläche (11) eine Vertiefung (4) auf, die von zwei einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) des Halbleiterkörpers (3) jeweils einen Abstand aufweist, wobei die erste Kontaktschicht (1) vollständig in der Vertiefung (4) angeordnet ist. Die zweite Kontaktschicht (2) weist von den einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) einen gleich großen oder größeren Abstand als die Vertiefung (4) auf. Weiterhin wird ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung (7, 8) auf mehrere Halbleitervorrichtungen (10a, 10b, 10c, 10d) beschrieben.

Abstract translation: 公开的是，其具有：第一主表面上的第一接触层（1）（11）和在第二主表面（12）的第二接触层（2）的半导体主体（3）的半导体器件（10）。 所述的半导体主体（3）具有在所述第一主表面（11）A（4）由两个相对的侧表面延伸的凹部（5,6）的半导体主体（3）的每一个以一定距离，其中，所述第一接触层（1）完全 所述凹部（4）被布置。 背离相对的侧表面离开所述第二接触层（2）（5,6）具有相等或更大的距离比所述凹部（4）。 此外，描述了用于对多个半导体器件（10A，10B，10C，10D）的涂覆涂层（7,8）的方法。

公开(公告)号：WO2012130643A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/054714

申请日：2012-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ZULL, Heribert ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PLÖßL, Andreas ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  BÖHM, Bernd

Inventor： ZULL, Heribert ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PLÖßL, Andreas ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  BÖHM, Bernd

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/782 ,  H01L21/784 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0201

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Bauelementverbunds (1) in eine Mehrzahl von Bauelementbereichen (10) angegeben, bei dem ein Bauelementverbund mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Bereich aufweist, bereitgestellt wird. Der Bauelementverbund wird an einem starren Hilfsträger (6) befestigt. Der Bauelementverbund wird in die Mehrzahl von Bauelementbereichen vereinzelt, wobei für jeden Bauelementbereich jeweils ein Halbleiterkörper (25) aus der Halbleiterschichtenfolge hervorgeht. Die Bauelementbereiche werden von dem Hilfsträger entfernt.

Abstract translation: 提供了一种用于分离的部件组件（1）成多个器件区域（10），其具有带用于生产或用于接收电磁辐射区域中设置（2）的半导体层序列的成分复合的方法。 部件组件被安装在一个刚性的辅助支撑（6）。 复合部件对每个器件区域中的每一种情况下分离成多个分量区域，其中从所述半导体层序列看到一个半导体本体（25）。 该器件区域从子载波中移除。

公开(公告)号：WO2016037863A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/EP2015/069698

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  ADLHOCH, Thomas ,  VEIT, Thomas ,  LELL, Alfred ,  PFEIFFER, Joachim ,  MUELLER, Jens ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserchips (140) umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (100) mit einer Oberseite (101) und einer Unterseite (102), wobei die Halbleiterscheibe eine Mehrzahl integrierter Laserdiodenstrukturen (141) aufweist, die entlang einer festgelegten Bruchrichtung (10) hintereinander angeordnet sind, zum Anlegen einer Mehrzahl von entlang der Bruchrichtung hintereinander angeordneten Vertiefungen (200) an der Oberseite der Halbleiterscheibe, wobei jede Vertiefung in Bruchrichtung aufeinander folgend eine vordere Begrenzungsfläche (210) und eine hintere Begrenzungsfläche (220) aufweist, wobei bei mindestens einer Vertiefung die hintere Begrenzungsfläche gegenüber der Oberseite der Halbleiterscheibe um einen Winkel zwischen 95° und 170° geneigt ist, und zum Brechen der Halbleiterscheibe in Bruchrichtung an einer senkrecht zur Oberseite der Halbleiterscheibe orientierten Bruchebene, die durch die Vertiefungen verläuft.

Abstract translation: 制造激光芯片（140）的方法，包括：提供具有顶部（101）和底部（102）的半导体晶片（100）的步骤，所述具有多个集成的激光二极管结构的（141）（沿着预定断裂方向10的半导体晶片 ）被布置成一个在另一个后面，对于在组分方向以下对半导体晶片的顶侧施加的多个沿依次布置的凹槽（200）的断裂方向，每个孔具有连续的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，至少 的凹部，所述后边界表面以一定角度倾斜，相对于半导体晶片的上表面95°和170°之间，且用于断开在断裂方向上的半导体晶片上的垂直于半导体晶片断裂面穿过孔的顶表面取向。

公开(公告)号：WO2015011028A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/EP2014/065445

申请日：2014-07-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAGNER, Ralph ,  VEIT, Thomas ,  HOXHOLD, Björn ,  SCHLOSSER, Philipp

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, wobei - der Halbleiterkörper mit einer Verbindungsschicht (6) an dem Träger befestigt ist; - der Träger sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer dem Halbleiterkörper zugewandten ersten Hauptfläche (53) und einer dem Halbleiterkörper abgewandten zweiten Hauptfläche (54) erstreckt, wobei eine Seitenfläche (51) die erste Hauptfläche und die zweite Hauptfläche miteinander verbindet; - ein erster Bereich (511) der Seitenfläche des Trägers eine Einbuchtung (55) aufweist; - ein zweiter Bereich der Seitenfläche in vertikaler Richtung zwischen der Einbuchtung und der zweiten Hauptfläche verläuft; - der Halbleiterchip eine Isolationsschicht (4) aufweist, die den Halbleiterkörper und den ersten Bereich jeweils zumindest teilweise bedeckt; und - der zweite Bereich frei von der Isolationsschicht ist. Weiterhin werden ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一个支撑件（5）和半导体本体的光电子半导体芯片（1）（2）与所提供的用于产生和/或用于接收辐射激活区（20），其特征在于 - 与连接层的半导体主体（6 ）附连到所述支撑; - 在朝向半导体本体的第一主表面（53）和从该半导体本体的第二主表面（54），其特征在于，侧表面（51）连接所述第一主表面和第二主表面彼此背离的一侧上的侧之间的垂直方向上的载体; - 第一区（511）具有所述载体的所述侧面的凹部（55）; - 通过在所述凹槽和所述第二主表面之间的垂直方向上的侧表面的第二部分; - 具有对应于半导体主体和在每种情况下所述第一区域至少部分地覆盖的绝缘层（4）的半导体芯片; 和 - 所述第二区域是从绝缘层自由。 此外，半导体器件和用于制造的光电子半导体芯片的方法中指定的。

公开(公告)号：WO2014095903A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/EP2013/076953

申请日：2013-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland ,  HORN, Markus ,  GRAUL, Markus ,  VEIT, Thomas ,  DACHS, Jürgen ,  LISTL, Stefan ,  ARZBERGER, Markus

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32333

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet undumfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.

Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法被布置并包括以下步骤：A）提供具有多个载波的载体组件（20）（2）为半导体激光元件（1），B）提供 具有多个半导体激光二极管的激光条（30）的（3），其包括共同的生长衬底（31）和一个在其上生长的半导体层序列（32），c）产生预定的断裂点（35）（从基板底部背对半导体层序列32）中的一个 （34）在生长衬底（31），D）安装在载体组件（20），其中所述连接在升高的温度下进行，并随后冷却的载波顶部（23），激光条（30），以及e）分离所述 半导体激光元件（1），其中，所述步骤B）中）给予到E的顺序被执行。

公开(公告)号：WO2012139953A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/EP2012/056183

申请日：2012-04-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, - Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und - Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.

Abstract translation: 提供了一种方法用于制造半导体主体（3），包括以下步骤： - 提供具有至少两个芯片的区域（1）和至少一个分离区的半导体晶片（2），其被布置在所述芯片区域（1），其中所述半导体晶片为间 具有层序列，最外层具有至少（2）的发射层（8），其是可渗透的电磁辐射，该释放区域内 - 执行以下各项中的至少一项：所述分离区域（2）内除去所述透射层（8）的， 施加所述分离区域内的吸收层（16），增加分离区中的透射层的吸收系数，以及 - 所述芯片区域（1）沿所述分开部分（2）通过激光来分离。

公开(公告)号：WO2012113648A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/EP2012/052120

申请日：2012-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EISENREICH, Stefan ,  VEIT, Thomas

Inventor： EISENREICH, Stefan ,  VEIT, Thomas

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425

Abstract: Es wird ein zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Trägers (2), der an einer Oberseite (2a) eine Vielzahl von aktiven Bereichen (3) aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind, Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen (4b) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an einer der Oberseite (2a) abgewandten Unterseite (2b) des Trägers (2), wobei die unterseitigen Trennbereiche (4b) in Projektion auf die Oberseite (2a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen (4a) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an der Oberseite (2a) des Träger (2), wobei die oberseitigen Trennbereiche (4a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, Zertrennen des Trägers (2) zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen (4a) und unterseitigen Trennbereichen (4b).

Abstract translation: 这是一个产生各种光电子半导体芯片的上述（1），包括以下步骤：提供具有多个有源区（3）的支承（2）安装在其上侧（2a）中，其被布置横向彼此相邻，从而产生 下侧的分离区域（4B）由所述载体（2）的来自相邻之间的下侧（2b）的所述载体（2），下侧的分离区域（4b）的投影在所述上侧（2a）的背向顶部之一（2A）上去除材料的 有源区域（3）布置，产生上侧分离区域（4a）中由在所述载体（2），顶部（2a）的所述载体（2）的去除材料，其中，相邻的有源区之间的上侧分离区域（4a）中（3） 被布置，相对的上侧分离区域（4a）和下侧的分离区域之间切断所述载体（2）（图4b）。

公开(公告)号：WO2012110365A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/EP2012/052060

申请日：2012-02-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GÜNTHER, Ewald Karl Michael ,  PLÖSSL, Andreas ,  ZULL, Heribert ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  BÖHM, Bernd ,  PERZLMAIER, Korbinian

Inventor： GÜNTHER, Ewald Karl Michael ,  PLÖSSL, Andreas ,  ZULL, Heribert ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  BÖHM, Bernd ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L21/761 ,  H01L23/60 ,  H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L33/64 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L23/60 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/66128 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265

Abstract: Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur (2) ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (3) mit einem Trägersubstrat angegeben.

Abstract translation: 它是为具有第一主表面（11）和具有相对的第二主表面（12）的第一主表面中的一个的半导体层序列的支撑基板（10）中指定。 所述第一主表面，并且（2）形成的二极管结构的第二主表面之间，所述第二主表面的第一主表面电性绝缘的至少一种用于电动电压的极性。 此外，用于制造半导体芯片（3）的方法设置有支撑衬底。

公开(公告)号：WO2012084321A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/EP2011/069354

申请日：2011-11-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VEIT, Thomas

Inventor： VEIT, Thomas

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/0202 ,  B28D5/0011 ,  H01S5/4031

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Laserbarren (1) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Laserbarren (1) im Verbund (10) hergestellt werden, wobei der Verbund (10) zumindest eine zu trennende Längsbruchstelle (2a) und zumindest eine zu trennende Querbruchstelle (3) aufweist, die quer zueinander verlaufen und in einer Oberfläche (4) des Verbunds (10) liegen. Entlang der Längsbruchstelle (2a) in einem Randbereich des Verbunds (10) wird eine Randkerbe (2b) erzeugt. Entlang der Querbruchstelle (3) wird ein Graben (5) erzeugt, wobei der Graben (5) beim Erzeugen im Bereich der Längsbruchstelle (2a) unterbrochen wird, sodass entlang der Querbruchstelle (3) zumindest zwei Teilgräben (5a, 5b) ausgebildet werden, die voneinander beabstandet sind. Weiter ist ein Laserbarren (1) und eine Laserdiode (1a) angegeben, die mittels eines derartigen Verfahrens hergestellt sind.

Abstract translation: 有产生上述多个激光条（1），其中多个激光条（1）的网络（10）中制成，其中所述复合材料（10）到至少一个要被分离的纵向断裂点（2a）的方法和至少一个 分离横断裂点（3），其横向于彼此，并在复合材料（10）的（4）的表面。 沿复合材料（10）的外围凹口（2b）中产生的一个周边区域中的纵向的断裂点（图2a）。 沿着横向的断裂点（3），（5）中产生的沟槽，所述沟槽（5）在纵向破裂点（2a）的区域中形成中断，以便沿着横向的断裂点（3）的至少两个部分的槽（5A，5B）形成， 彼此间隔开。 此外，激光条（1）和激光二极管（1a）中被指定，这是通过这样的方法制备。

公开(公告)号：WO2011131507A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2011/055623

申请日：2011-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JANßEN, Ruth ,  VEIT, Thomas

Inventor： JANßEN, Ruth ,  VEIT, Thomas

IPC: B23K26/08

CPC classification number: B23K26/02 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstückes (1) mit einem Laser (2) angegeben, wobei - ein Laserstrahl (21) des Lasers (2) das Werkstück (1) bestrahlt, - bei der Bestrahlung eines Zentralbereichs (11) des Werkstückes (1) der Laserstrahl (21) ruht und das Werkstück (1) bewegt wird, und - bei der Bestrahlung eines Randbereichs (12a, 12b) des Werkstückes (1) zumindest zeitweise der Laserstrahl (21) und das Werkstück (1) bewegt werden.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于（1）用激光（2），其中加工工件 - 一个激光器的激光（2）照射所述工件的梁（21）（1）， - （在工件的中心区域（11）的照射 1）激光束（21）搁置，和工件（1）的移动，以及 - 在边缘区域的照射（12A，12B）在工件（1）从时间到时间的，激光束（21）和所述工件（1）的至少移动。