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    Optoelektronisches Bauelement
    1.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102018101428A1

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：DE102018101428

    申请日：2018-01-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  BAUMGARTNER ALEXANDER

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/55 ,  C09K11/79 ,  C09K11/80

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend: einen Halbleiterchip (4), der zur Emission von Primärstrahlung aus dem blauen Spektralbereich befähigt ist, ein Konversionselement (10), das mindestens drei Leuchtstoffe aufweist, die jeweils zur Konversion der Primärstrahlung in Sekundärstrahlung befähigt sind, wobei der erste Leuchtstoff (1) zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem grünen Spektralbereich befähigt ist, wobei der zweite Leuchtstoff (2) zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem roten Spektralbereich befähigt ist, wobei der dritte Leuchtstoff (3) ein Kalium-Silizium-Fluorid-Leuchtstoff ist und zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem roten Spektralbereich befähigt ist, wobei das Bauelement (100) einen Ra-Wert von mindestens 80 und einen R9-Wert von mindestens 75 aufweist, wobei das Bauelement (100) zur Emission von weißer Mischstrahlung befähigt ist.

    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips
    3.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102013103983A1

    公开(公告)日：2014-11-06

    申请号：DE102013103983

    申请日：2013-04-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RICHTER MARKUS ,  BAUMGARTNER ALEXANDER ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  ALBRECHT TONY

    IPC: H01L33/50 ,  F21K2/00 ,  F21V9/40 ,  H01L25/075 ,  H01L33/10

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleiterkörpern (1), die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) auszusenden, – Aufbringen der Halbleiterkörper (1) auf einen Träger (2), – Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf Bereiche des Trägers (2) zwischen den Halbleiterkörpern (1), – vollflächiges Aufbringen einer Konversionsschicht (5) mit einem Sprühbeschichtungsverfahren auf die Halbleiterkörper (1) und die erste Maskenschicht (4), und – Entfernen der ersten Maskenschicht (4), so dass jeweils eine Konversionsschicht (5) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) der Halbleiterkörper (1) entsteht.

    STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT
    5.
    发明专利
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102018123010A1

    公开(公告)日：2020-03-19

    申请号：DE102018123010

    申请日：2018-09-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOLL SEBASTIAN ,  BAUMGARTNER ALEXANDER

    IPC: H01L25/075 ,  F21Y113/17 ,  G05D25/02 ,  H01L33/50

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben, mit- einem ersten Halbleiterchip (1), der im Betrieb blaues Licht (51) emittiert,- einem zweiten Halbleiterchip (2), der im Betrieb cyanfarbiges Licht (52) emittiert, und- einem Konversionselement (3), das im Betrieb Sekundärstrahlung (53) emittiert, wobei- das Konversionselement (3) dem ersten Halbleiterchip (1) nachgeordnet ist,- das Konversionselement (3) die Sekundärstrahlung (53) unter Anregung mit dem blauen Licht (51) des ersten Halbleiterchips (1) emittiert, und- die Sekundärstrahlung (53) sich mit dem blauen Licht (51) zu warmweißem Licht (54) mischt.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    7.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102012104111A1

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：DE102012104111

    申请日：2012-05-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  KRUPPA MICHAEL ,  BAUMGARTNER ALEXANDER ,  BAUR JOHANNES ,  BERBEN DIRK

    IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet ferner mindestens einen Träger (3) mit einer Stirnseite (30) sowie mindestens eine Chipumhüllung (4). Der Halbleiterchip (2) ist an der Stirnseite (30) angebracht. Eine Oberfläche (40) der Chipumhüllung (4) ist mindestens stellenweise sphärisch geformt. Es weist die Chipumhüllung (4) einen geometrischen Mittelpunkt (42) auf und der Halbleiterchip (2) befindet sich in oder an dem Mittelpunkt (42).

    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND LUMINESCENT SUBSTANCES
    8.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND LUMINESCENT SUBSTANCES 审中-公开
    光电子器件和光面料

    公开(公告)号：WO2013053601A2

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：PCT/EP2012069003

    申请日：2012-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUMGARTNER ALEXANDER ,  JERMANN FRANK ,  LANGE STEFAN ,  FIEDLER TIM

    Inventor： BAUMGARTNER ALEXANDER ,  JERMANN FRANK ,  LANGE STEFAN ,  FIEDLER TIM

    IPC: C09K11/77 ,  H05B33/14

    CPC classification number: C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component comprising a layer sequence (1), which has an active region that emits electromagnetic primary radiation, and a conversion material, which is arranged in the beam path of the electromagnetic primary radiation and at least partially converts the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation. The conversion material comprises a first luminescent substance (6-1) having the general composition A3B5O12, wherein A is selected from a group comprising Y, Lu, Gd, and CE and combinations thereof, and wherein B comprises a combination of Al and Ga; and a second luminescent substance (6-2), which is selected from a group comprising M1AlSiN3.Si2N2O, M3AlSiN3, M4-Al-Si-N system, M5-Al-Si-N system, and M2Si5N8, wherein M comprises a combination of Ca, Sr, Ba, and Eu, M1 is selected from a group comprising Sr, Ca, Mg, Li, Eu, and combinations thereof, M3 is selected from a group comprising Sr, Ca, Mg, Li, Eu, and combinations thereof, and M4 comprises at least Ca, and M5 comprises at least Ca or Ba or Sr.

    Abstract translation: 的光电元件，其包括具有发射电磁初级辐射的有源区的层序列（1），和一个转换材料，其被布置在所述电磁初级辐射的光束路径和至少部分地转换电磁初级辐射为电磁次级辐射。 所述转换材料包括第一磷光体（6- 1）一般组成A3B5O12，其中A选自包括Y，路，Gd和Ce和它们的组合，并且其中B包含Al和Ga的组合的组中选择; 和第二荧光体（6-2），它是从一组M1AlSiN3.Si2N2O，M3AlSiN3，M4-Al-Si系-N系统，M5-Al-Si系-N系统和M2Si5N8，其中M是一个组合中选择 包括钙，锶，钡及Eu，M1是从由Sr中的基团，钙，镁，锂，Eu和它们的组合，M3是从一组锶，钙，镁，锂，Eu和组合组成的组 包括从中，M4包括至少Ca和M5至少Ca或Ba或高级

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