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公开(公告)号：DE102017117438A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：DE102017117438
申请日：2017-08-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEISEN DANIEL , BRUNNER HERBERT , DINU EMILIA , EBERHARD JENS , KEITH CHRISTINA , PINDL MARKUS , REESWINKEL THOMAS , RICHTER DANIEL
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Ein Teil des Vergussmaterials wird an der Vergussoberfläche entfernt. Dabei wird an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt.
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2.发明专利
公开(公告)号：DE102015101748A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：DE102015101748
申请日：2015-02-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KEITH CHRISTINA , SCHMIDTKE KATHY , HÖHN KLAUS
IPC: H01L33/56 , C08L83/04 , C08L83/05 , C08L83/06 , C08L83/07 , H01L31/0203 , H01L51/44 , H01L51/52
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiter (1) und einem Polyorganosiloxan. Das Polyorganosiloxan ist erhältlich durch Vernetzung einer Zusammensetzung umfassend ein erstes Organosiloxan mit wenigstens einer endständigen Vinylgruppe, ein zweites Organosiloxan mit wenigstens einer Silizium-Wasserstoff-Bindung und ein Alkoxysilan mit wenigstens einer Epoxygruppe. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102011105010A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：DE102011105010
申请日：2011-06-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KEITH CHRISTINA , KRUPPA MICHAEL , BRAUNE BERT
IPC: H01L33/56 , H01L31/0203
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das ein Trägersubstrat (2) und zumindest einen darauf angeordneten Halbleiterchip (1) umfasst. Der Halbleiterchip (1) weist eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (1a) auf. Auf dem Trägersubstrat (2) sind zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (1) Leiterbahnen angeordnet. Der Halbleiterchip (1) ist mit einem Vergussmaterial (5) umhüllt. Das Vergussmaterial (5) weist zumindest eine erste, eine zweite und eine dritte Vergussschicht (5a, 5b, 5c) auf, die sich in ihrer Materialzusammensetzung und/oder in ihren optischen und/oder chemischen Eigenschaften voneinander unterscheiden. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterbauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102017117425A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：DE102017117425
申请日：2017-08-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEISEN DANIEL , BRUNNER HERBERT , DINU EMILIA , EBERHARD JENS , KEITH CHRISTINA , PINDL MARKUS , REESWINKEL THOMAS , RICHTER DANIEL
Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger mit einer Oberseite bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Auf die Vergussoberfläche werden Partikel aufgesprüht, wobei ein Teil der Partikel an der Vergussoberfläche verbleibt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird.
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公开(公告)号：DE102016102685A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：DE102016102685
申请日：2016-02-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖHN KLAUS , KEITH CHRISTINA
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Epoxidharzsystem umfassend zumindest einen anorganischen Füllstoff (F) mit einer oberen Korngröße (dmax) von maximal 30 µm, der ein Oxid oder Nitrid eines Metalls oder Halbmetalls ist, zumindest ein cycloaliphatisches Epoxidharz, Polyvinylbutyrat, zumindest einen kationischen Beschleuniger, und wobei das Epoxidharzsystem ein Ein-Komponenten-System für dünnwandige Strukturelemente ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102017117441A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：DE102017117441
申请日：2017-08-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEISEN DANIEL , BRUNNER HERBERT , DINU EMILIA , EBERHARD JENS , KEITH CHRISTINA , PINDL MARKUS , REESWINKEL THOMAS , RICHTER DANIEL
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Ein optoelektronischer Halbleiterchip wird über der Oberseite des Trägers angeordnet. Weiterhin wird ein Vergussmaterial über der Oberseite des Trägers angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Das Vergussmaterial wird an der Vergussoberfläche umgeformt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird.
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公开(公告)号：DE102015105661A1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：DE102015105661
申请日：2015-04-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖHN KLAUS , SCHMIDTKE KATHY , KEITH CHRISTINA
Abstract: Optoelektronische Vorrichtung mit einer Mischung aufweisend ein Silikon und ein fluor-organisches Additiv Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung (6) umfassend zumindest einen strahlungsemittierenden oder strahlungsdetektierenden Halbleiter (1) und eine Mischung aufweisend ein Silikon und ein fluor-organisches Additiv, wobei die Mischung Bestandteil zumindest eines der folgenden Elemente ist: Gehäusekörper-Element (2), das den zumindest einen Halbleiter (1) zumindest stellenweise umgibt; Strahlungsleitendes Element (3), das in einem Strahlengang der vom Halbleiter (1) emittierten oder vom Halbleiter (1) detektierten Strahlung angeordnet ist; Wärmeleitendes Element, das eine vom Halbleiter (1) abgegebene oder vom Halbleiter (1) aufgenommene Wärme leiten kann; Haftelement (4). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung angegeben.
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公开(公告)号：DE102012108413A1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：DE102012108413
申请日：2012-09-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KEITH CHRISTINA , KRAEUTER GERTRUD , DIRSCHERL GEORG , GEBUHR TOBIAS
Abstract: Es wird ein Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Das Gehäuse umfasst ein duroplastisches Polymer, das mittels Polymerisation von zumindest einer Monomerverbindung erhältlich ist.
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公开(公告)号：DE102010010819A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：DE102010010819
申请日：2010-03-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRAUNE BERT DR , KEITH CHRISTINA , GALESIC IVAN DR
IPC: C23C16/452 , C23C16/30
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Parylen-Beschichtung (2) auf zumindest einer Oberfläche (11) zumindest eines Bauteils (1) angegeben, bei dem ein erstes Gas mit Parylen-Monomeren (4) bereitgestellt wird und die Parylen-Monomere auf der zumindest einen Oberfläche (11) des Bauteils (1) durch Zuleitung des ersten Gases mit den Parylen-Monomeren (4) mittels einer ersten Düse (3) zur zumindest einen Oberfläche (11) abgeschieden werden, wobei das Bauteil (1) in einer Umgebung mit Atmosphärendruck angeordnet ist. Weiterhin wird eine Vorrichtung zur Herstellung einer Parylen-Beschichtung angegeben.
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公开(公告)号：DE102016122213A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：DE102016122213
申请日：2016-11-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KEITH CHRISTINA , STOLL ION
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines wellenlängenkonvertierenden Elements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Matrixmaterials, das ein Fluorpolymer aufweist, zum Bereitstellen eines Leuchtstoffs, zum Compoundieren des Matrixmaterials und des Leuchtstoffs, um ein Formmaterial zu erhalten, zum Urformen des Formmaterials, um einen Formkörper zu bilden, und zum Zerteilen des Formkörpers, um eine Mehrzahl wellenlängenkonvertierender Elemente zu erhalten.
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