公开(公告)号：DE102015115495A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：DE102015115495

申请日：2015-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MORGOTT STEFAN ,  SCHULZ BENJAMIN ,  SCHNABEL WOLFGANG

IPC: F21V9/40 ,  F21K99/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem ersten optoelektronischen Bauelement, das ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, mit einem Konversionselement, das ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung in der Wellenlänge zu einer Wellenlänge einer ersten elektromagnetischen Strahlung zu verschieben, mit einem zweiten optoelektronischen Bauelement, das ausgebildet ist, um eine zweite elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, mit einer optischen Einrichtung, die ausgebildet ist, um die zweite elektromagnetische Strahlung auf das Konversionselement zu lenken, wobei das Konversionselement ausgebildet ist, um die zweite elektromagnetische Strahlung in der Wellenlänge zu der Wellenlänge der ersten elektromagnetischen Strahlung zu verschieben.

公开(公告)号：DE102005009060A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：DE102005009060

申请日：2005-02-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GROETSCH STEFAN ,  HAHN BERTHOLD ,  ILLEK STEFAN ,  SCHNABEL WOLFGANG

IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00 ,  G03B21/00 ,  G09F9/33 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

Abstract: A module comprising a regular arrangement of individual radiation-emitting semiconductor bodies (1) which are applied on a mounting area (6) of a carrier (2), wherein a wire connection is fitted between two adjacent radiation-emitting semiconductor bodies (1) on a top side, opposite to the mounting area (6), of the two radiation-emitting semiconductor bodies (1).

公开(公告)号：DE102017122936A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：DE102017122936

申请日：2017-10-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MORGOTT STEFAN ,  SCHNABEL WOLFGANG

IPC: H01L25/075 ,  F21K9/00 ,  H05B44/00 ,  F21Y113/10 ,  H01L25/13 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (10) angegeben mit:- einem ersten Halbleiterchip (11),- einem zweiten Halbleiterchip (12),- einem dritten Halbleiterchip (13), und- einem vierten Halbleiterchip (14), wobei- die vier Halbleiterchips (11, 12, 13, 14) auf einem Träger (15) angeordnet sind,- der erste Halbleiterchip (11) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer dominanten Wellenlänge von mindestens 610 nm und höchstens 650 nm zu emittieren,- der zweite Halbleiterchip (12) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer dominanten Wellenlänge von mindestens 450 nm und höchstens 475 nm zu emittieren,- der dritte Halbleiterchip (13) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit Farbraumkoordinaten von 0,3231 ± 0,005 und 0,5408 ± 0,005 im CIE Farbraum zu emittieren, und- der vierte Halbleiterchip (14) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit Farbraumkoordinaten von 0,5638 ± 0,005 und 0,4113 ± 0,005 im CIE Farbraum zu emittieren.

公开(公告)号：DE102009031009A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：DE102009031009

申请日：2009-06-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHNABEL WOLFGANG

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/04 ,  H01S5/022

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben, mit - einem Träger (1), - zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der an einer Oberseite (1a) des Trägers (1) auf den Träger (1) aufgebracht ist, - einer Abdeckkappe (3), die den zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) umschließt, wobei die Abdeckkappe (3) an der Oberseite (1a) des Trägers (1) am Träger (1) befestigt ist, - einem Lufteinschluss (4), der zwischen der Oberseite (1a) des Trägers (1) und der Abdeckkappe (3) angeordnet ist und den zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) umgibt, und - einem Mittel zur Schalldämmung (8, 10), das einen im Betrieb des zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) vom strahlungsemittierenden Bauelement erzeugten Schall (7) reduziert.