公开(公告)号：WO2019048385A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：PCT/EP2018/073625

申请日：2018-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUBER, Michael ,  SOMMERFELD, Jana ,  HERZ, Martin ,  HOIBL, Sebastian ,  RUMBOLZ, Christian ,  KIESLICH, Albrecht ,  BÖHM, Bernd ,  ROSSBACH, Georg ,  BRÖLL, Markus

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/20

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsflache (1a), und - Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei - die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.

公开(公告)号：WO2018060206A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/EP2017/074398

申请日：2017-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  HOLLAND, Brendan ,  SOMMERFELD, Jana ,  VOM DORP, Sabine

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht (2) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen der Halbleiterschicht; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Kontaktstäben (3) auf der Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Füllschicht (4) auf den Kontaktstäben und in Zwischenräumen (5) zwischen den Kontaktstäben; und d) Freilegen der Kontaktstäbe. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (7) mit elektrischer Kontaktierung (1) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种用于产生半导体层（2）的电接触的方法，包括以下步骤：a）提供半导体层; b）在所述半导体层上形成多个接触柱（3）; c）在接触柱上和接触柱之间的中间空间（5）中形成填充层（4） 和d）暴露接触。 此外，还指出了具有电接触（1）的半导体元件（7）。