公开(公告)号：WO2018060206A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/EP2017/074398

申请日：2017-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  HOLLAND, Brendan ,  SOMMERFELD, Jana ,  VOM DORP, Sabine

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht (2) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen der Halbleiterschicht; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Kontaktstäben (3) auf der Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Füllschicht (4) auf den Kontaktstäben und in Zwischenräumen (5) zwischen den Kontaktstäben; und d) Freilegen der Kontaktstäbe. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (7) mit elektrischer Kontaktierung (1) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种用于产生半导体层（2）的电接触的方法，包括以下步骤：a）提供半导体层; b）在所述半导体层上形成多个接触柱（3）; c）在接触柱上和接触柱之间的中间空间（5）中形成填充层（4） 和d）暴露接触。 此外，还指出了具有电接触（1）的半导体元件（7）。

公开(公告)号：WO2015154956A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015/055671

申请日：2015-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIMAR, Andreas ,  SINGER, Frank ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  VOM DORP, Sabine

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/02 ,  H01S5/068 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L23/481 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0292 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/06825 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (10) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen angegeben, mit einem Halbleiterkörper (1) mit einer ersten Hauptoberfläche (12) und einer der ersten Hauptoberfläche (12) gegenüber liegend angeordneten zweiten Hauptoberfläche (13), wobei der Halbleiterkörper (1) einen p-dotierten Teilbereich (2), der einen Teil der ersten Hauptoberfläche (12) bildet, und einen n-dotierten Teilbereich (3), der einen Teil der zweiten Hauptoberfläche (13) bildet, aufweist, und einem metallischen Kontaktelement (7), das von der ersten Hauptoberfläche (12) zur zweiten Hauptoberfläche (13) reicht und das von einem der Teilbereiche (2, 3) elektrisch getrennt ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 公开了一种用于防止静电放电保护的半导体芯片（10），具有半导体主体（1）具有第一主表面（12）和所述第一主表面（12）相对布置的第二主表面（13）中的一个，其中，所述半导体主体（1） 形成第一主表面（12）的一部分的p-掺杂的部分（2），和形成在第二主表面（13）的一部分的n型掺杂的子区域（3），和一个金属接触元件（7） 从所述第一主表面（12）延伸到所述第二主表面（13），并且所述部分中的一个（2，3）被电分离。 此外，随着半导体芯片和用于制造半导体芯片的制造方法的光电器件可以给出。

公开(公告)号：WO2015078919A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：PCT/EP2014/075678

申请日：2014-11-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VOM DORP, Sabine ,  HARTMANN, Rainer ,  HERZ, Martin ,  HUBER, Michael

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01L21/027 ,  H01L33/44 ,  C23C14/04

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente für die Kapselung von Schichten angegeben. Dazu wird ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (10) bereitgestellt. Auf die Trägerhauptseite (10) des Trägers (1) wird eine Maske (2) aufgebracht. Die Maske (2) weist eine erste Maskenschicht (21) und eine zweite Maskenschicht (22) auf. Ferner weist die Maske (2) zumindest einen Durchbruch (200) auf, der die Maske (2) in Richtung senkrecht zur Trägerhauptseite (10) vollständig durchdringt. Des Weiteren weist die erste Maskenschicht (21) im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest einen Unterschnitt (201) bezüglich der zweiten Maskenschicht (22) auf. Nach dem Aufbringen der Maske (2) auf den Träger (1) wird ein Funktionsmaterial (4) so abgeschieden, dass im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest eine auf der Trägerhauptseite (10) angeordnete Materialstruktur (41) entsteht. Anschließend wird eine Kapselschicht (5) auf zumindest der Materialstruktur (41) abgeschieden. Die Kapselschicht (5) wird derart abgeschieden, dass vor dem Aufbringen der Kapselschicht (5) freiliegende Seiten der Materialstruktur (41) vollständig mit der Kapselschicht (5) bedeckt werden. In einem weiteren Schritt wird die Maske (2) nach dem Aufbringen der Kapselschicht (5) entfernt.

Abstract translation: 提供了一种用于制造光电子器件为层的封装的方法。 用于此目的（1）提供了具有支撑主侧（10）的支撑件。 到载体的载体主侧（10）（1）被施加一个掩模（2）。 掩模（2）具有第一掩模层（21）和第二掩模层（22）。 此外，在至少一个孔（200）垂直于载体主侧（10），其完全穿过掩模（2）的方向上的掩模（2）。 此外，在开口（200）至少一个底切（201）相对于所述第二掩模层（22）的区域中的第一掩模层（21）。 在载体上的掩模（2）的应用程序之后（1）（4）被沉积，以便布置在所述开口（200）至少一种在载体主侧（10）的材料结构（41）的区域中的功能性材料形成。 随后，在至少所述材料结构（41）的胶囊型层（5）被沉积。 胶囊型层（5）被沉积，使得施加露出的材料结构（41）的侧部的胶囊型层（5）之前，完全与胶囊层（5）覆盖。 在进一步的步骤中，封装层（5）的涂布后的掩模（2）被除去。

公开(公告)号：WO2014195420A1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：PCT/EP2014/061732

申请日：2014-06-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VOM DORP, Sabine ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer Halbleiterschichtenfolge (130) auf einem Ausgangssubstrat (120) und ein Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (130), wobei eine Halbleiterstruktur (230, 232) in Form einer Erhebung mit einer umlaufenden Mantelfläche (239) ausgebildet wird, indem Material der Halbleiterschichtenfolge (130) in einem die Halbleiterstruktur (230, 232) umgebenden Bereich wenigstens bis zu einer Tiefe entfernt wird, dass die aktive Zone (133) der Halbleiterschichtenfolge (130) an der umlaufenden Mantelfläche (239) freiliegt. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer Passivierungsschicht (150), wobei die Passivierungsschicht (150) auf der umlaufenden Mantelfläche (239) der Halbleiterstruktur (230, 232) angeordnet ist, ein Ausbilden einer Anschlussstruktur im Bereich der Halbleiterstruktur (230, 232) mit wenigstens einer Durchkontaktierung (260) nach dem Ausbilden der Passivierungsschicht (150), ein Verbinden der Anschlussstruktur mit einem Trägersubstrat (125), und ein Entfernen des Ausgangssubstrats (120). Die Erfindung betrifft des Weiteren einen optoelektronischen Halbleiterchip.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造光电半导体芯片的方法。 该方法包括形成一个起始衬底（120）上的半导体层序列（130）和图案化所述半导体层序列（130），一个半导体结构（230，232）形成为与外周表面（239）的调查表格，由材料 半导体层序列（130）在围绕区域中的至少一个深度的半导体结构（230，232）被移除，该外周面（239）上的半导体层序列（130）的有源区（133）被暴露。 该方法还包括形成钝化层（150），其中，所述半导体结构（230，232）的外周面（239）上的钝化层（150）布置，在所述半导体结构（230，232）的区域中的连接结构，其具有至少 通孔（260）形成钝化层（150），连接所述连接结构包括支撑衬底（125）;以及去除所述起始衬底（120）之后。 本发明还涉及一种光电子半导体芯片。