公开(公告)号：WO2019048385A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：PCT/EP2018/073625

申请日：2018-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUBER, Michael ,  SOMMERFELD, Jana ,  HERZ, Martin ,  HOIBL, Sebastian ,  RUMBOLZ, Christian ,  KIESLICH, Albrecht ,  BÖHM, Bernd ,  ROSSBACH, Georg ,  BRÖLL, Markus

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/20

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsflache (1a), und - Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei - die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.

公开(公告)号：WO2014056908A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：PCT/EP2013/070941

申请日：2013-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER, Matthias ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  MAUTE, Markus ,  BAUR, Johannes ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  KIESLICH, Albrecht

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26553 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/305 ,  H01L33/325

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Es umfasst das Verfahren die folgenden Schritte : - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), - Erzeugen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem Aufwachssubstrat (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine n-Seite (31), eine p-Seite (33) und eine zu einer Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (33) aufweist und die aktive Schicht (32) zwischen der p-Seite (33) und der n-Seite (31) angeordnet ist und sich die n-Seite (31) dem Aufwachssubstrat (2) am Nächsten befindet, und - Dotieren der n-Seite (31) durch die aktive Schicht (32) hindurch mittels Ionenimplantation.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，当建立用于制造光电子半导体芯片（1）的方法。 该方法包括以下步骤： - 提供在生长衬底（2）， - 制备生长衬底（2），其中，所述半导体层序列（3）的n侧（31），p侧上的半导体层序列（3）（33 有），并提供给产生辐射的有源层（33）和p侧（33）和n侧（31之间的活性层（32））和n侧（31）（所述生长衬底 2）位于邻居，以及 - 通过离子注入的方式掺杂通过有源层（32）n侧（31）。

公开(公告)号：WO2013092004A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/EP2012/072403

申请日：2012-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin ,  ILLEK, Stefan ,  KIESLICH, Albrecht ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L33/005 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, wobei ein Schichtverbund (10) mit einer Hauptebene (3), die den Schichtverbund (10) in einer vertikalen Richtung begrenzt, und mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung und/oder Detektion von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) bereitgestellt wird, wobei in dem Schichtverbund (10) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) ausgebildet ist, die sich von der Hauptebene (3) in Richtung des aktiven Bereichs (20) erstrecken. Auf der Hauptebene (3) wird eine Planarisierungsschicht ausgebildet, sodass die Ausnehmungen zumindest teilweise mit Material der Planarisierungsschicht (6) befüllt werden. Material der Planarisierungsschicht (6) wird zumindest bereichsweise zum Einebenen der Planarisierungsschicht entfernt. Die Halbleiterchips (1) werden fertiggestellt, wobei für den Halbleiterchip (1) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest ein Halbleiterkörper (200) hervorgeht. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种方法，用于在垂直方向上产生多个光电子半导体芯片（1），其特征在于，具有主面的层复合结构（10）（3），该层复合材料是有限的（10），以及与半导体层序列（2）与 提供用于产生和/或在活性区域检测的辐射（20）被提供，其中，在层状复合结构（10）包括从所述主平面延伸形成的多个凹部（31）（3）在有源区的方向（20） 扩展。 在主面（3）形成的平坦化层，使得所述凹部至少部分地填充有所述平坦化层（6）的材料。 所述平坦化层（6）的材料在所述平坦化层的单个水平至少部分地去除。 在半导体芯片（1）完成，其中，从所述半导体层序列（2）的至少一个半导体主体（200）的半导体芯片（1）是显而易见的。 此外，光电子半导体芯片被指定。