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    Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement
    1.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement 未知

    公开(公告)号：DE112013006065B4

    公开(公告)日：2019-04-18

    申请号：DE112013006065

    申请日：2013-12-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  HORN MARKUS REINHARD ,  GRAUL MARKUS ,  VEIT THOMAS ,  DACHS JÜRGEN ,  LISTL STEFAN ,  ARZBERGER MARKUS

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323

    Abstract: Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) mit den Schritten:A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1),B) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, wobei die Halbleiterschichtenfolge (32) eine n-Seite, eine p-Seite und eine dazwischenliegende aktive Zone umfasst und die n-Seite dem Aufwachssubstrat (31) zugewandt ist,C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), wobei sich die Sollbruchstellen (35) näher an der n-Seite als an der p-Seite der Halbleiterschichtenfolge (32) befinden,D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei die Substratunterseite (34) der Trägeroberseite (23) zugewandt ist, sodass sich die Sollbruchstellen (35) im Aufwachssubstrat (31) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (32) und den Trägern (2) befinden, und wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, wodurch der Laserbarren (30) in abgekühltem Zustand zu den Halbleiter-Laserdioden (3) vereinzelt wird, undE) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden, und wobei der Trägerverbund (20) zu den Trägern (2) der Halbleiter-Laserelemente (1) vereinzelt wird.

    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips
    3.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102011011862A1

    公开(公告)日：2012-08-23

    申请号：DE102011011862

    申请日：2011-02-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EISENREICH STEFAN ,  VEIT THOMAS

    IPC: H01L21/782 ,  H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L33/20

    Abstract: Es wird ein zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) mit den folgenden Schritten angegeben: — Bereitstellen eines Trägers (2), der an einer Oberseite (2a) eine Vielzahl von aktiven Bereichen (3) aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind, — Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen (4b) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an einer der Oberseite (2a) abgewandten Unterseite (2b) des Trägers (2), wobei die unterseitigen Trennbereiche (4b) in Projektion auf die Oberseite (2a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, — Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen (4a) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an der Oberseite (2a) des Träger (2), wobei die oberseitigen Trennbereiche (4a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, — Zertrennen des Trägers (2) zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen (4a) und unterseitigen Trennbereichen (4b).

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers 未知

    公开(公告)号：DE102011017097A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：DE102011017097

    申请日：2011-04-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EBERHARD FRANZ DR ,  PERZLMAIER KORBINIAN DR ,  ZULL HERIBERT DR ,  VEIT THOMAS ,  KAEMPF MATHIAS ,  DENNEMARCK JENS DR

    IPC: H01L21/301 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, – Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und – Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.

    Optoelektronischer Halbleiterchip, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
    7.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102013107971A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：DE102013107971

    申请日：2013-07-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WAGNER RALPH ,  VEIT THOMAS ,  HOXHOLD BJÖRN ,  SCHLOSSER PHILIPP

    IPC: H01L33/62 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/42 ,  H01L23/485 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, wobei – der Halbleiterkörper mit einer Verbindungsschicht (6) an dem Träger befestigt ist; – der Träger sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer dem Halbleiterkörper zugewandten ersten Hauptfläche (53) und einer dem Halbleiterkörper abgewandten zweiten Hauptfläche (54) erstreckt, wobei eine Seitenfläche (51) die erste Hauptfläche und die zweite Hauptfläche miteinander verbindet; – ein erster Bereich (511) der Seitenfläche des Trägers eine Einbuchtung (55) aufweist; – ein zweiter Bereich der Seitenfläche in vertikaler Richtung zwischen der Einbuchtung und der zweiten Hauptfläche verläuft; – der Halbleiterchip eine Isolationsschicht (4) aufweist, die den Halbleiterkörper und den ersten Bereich jeweils zumindest teilweise bedeckt; und – der zweite Bereich frei von der Isolationsschicht ist. Weiterhin werden ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

    Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement
    8.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement 未知

    公开(公告)号：DE102012112531A1

    公开(公告)日：2014-06-18

    申请号：DE102012112531

    申请日：2012-12-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN ROLAND ,  HORN MARKUS ,  GRAUL MARKUS ,  VEIT THOMAS ,  DACHS JÜRGEN ,  LISTL STEFAN ,  ARZBERGER MARKUS

    IPC: H01S5/02

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.

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