公开(公告)号：DE102014114613A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：DE102014114613

申请日：2014-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  JEREBIC SIMON ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/78

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

公开(公告)号：DE112013005634A5

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE112013005634

申请日：2013-11-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78

公开(公告)号：DE102018131386A1

公开(公告)日：2020-06-10

申请号：DE102018131386

申请日：2018-12-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PORTEN PASCAL ,  KÄMPF MATHIAS ,  ZENGER MARCUS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/62

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte:A) Bereitstellen eines Chipträgers (13),B) Erzeugen von Löchern (14) für elektrische Durchkontaktierungen im Chipträger (13),C) Erzeugen einer dünnen Metallisierung (21) in den Löchern (14),D) Verfüllen der metallisierten Löcher (14) mit einer Füllung (3) aus einem Kunststoff, undE) Anbringen von optoelektronischen Halbleiterchips (4) auf den metallisierten Löchern (14), sodass die Halbleiterchips (4) ohmsch leitend mit der zugehörigen Metallisierung (21) verbunden werden.

公开(公告)号：DE102013111503A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE102013111503

申请日：2013-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/301

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102013108583A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102013108583

申请日：2013-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/784

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds (1) in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) entlang eines Vereinzelungsmusters angegeben. Ein Verbund, der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (45) in dem Träger entlang des Vereinzelungsmusters werden ausgebildet. Die funktionale Schicht wird mittels kohärenter Strahlung entlang des Vereinzelungsmusters durchtrennt. Die vereinzelten Halbleiterchips weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der funktionalen Schicht auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102012111358A1

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：DE102012111358

申请日：2012-11-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS

IPC: H01L21/786 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds (1) in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, bei dem ein Verbund mit einem Träger (4), einer Halbleiterschichtenfolge (2) und einer metallischen Schicht (3) bereitgestellt wird. In dem Träger werden Trenngräben (45) ausgebildet. Der Verbund wird mit einer mechanischen Belastung beaufschlagt, sodass die metallische Schicht entlang der Trenngräben bricht und der Verbund in Halbleiterchips vereinzelt wird, wobei die vereinzelten Halbleiterchips jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der metallischen Schicht aufweisen. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102011015725B4

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：DE102011015725

申请日：2011-03-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZULL HERIBERT DR ,  PLÖSSL ANDREAS DR ,  PERZLMAIER KORBINIAN DR ,  VEIT THOMAS ,  KÄMPF MATHIAS ,  DENNEMARCK JENS DR ,  BÖHM BERND

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L33/00

Abstract: Verfahren zum Vereinzeln eines Bauelementverbunds (1) in eine Mehrzahl von Bauelementbereichen (10) mit den Schritten:a) Bereitstellen eines Bauelementverbunds (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist;b) Befestigen des Bauelementverbunds an einem starren Hilfsträger (6) mittels einer metallischen Verbindung;c) Vereinzeln des Bauelementverbunds in die Mehrzahl von Bauelementbereichen, wobei für jeden Bauelementbereich jeweils ein Halbleiterkörper (25) aus der Halbleiterschichtenfolge hervorgeht; undd) Entfernen der Bauelementbereiche von dem Hilfsträger.

公开(公告)号：DE112014003636A5

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：DE112014003636

申请日：2014-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS

IPC: B23K26/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE102013109079A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：DE102013109079

申请日：2013-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/225 ,  H01L21/268 ,  H01L21/463 ,  H01L23/14 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Durchtrennen eines Substrats (1) entlang eines Trennmusters (4) angegeben, bei dem ein Substrat (1) bereitgestellt und auf dem Substrat eine Hilfsschicht (3) aufgebracht wird, die das Substrat zumindest entlang des Trennmusters bedeckt. Das Substrat mit der Hilfsschicht wird bestrahlt, sodass Material der Hilfsschicht entlang des Trennmusters als Verunreinigung in das Substrat eindringt. Das Substrat wird entlang des Trennmusters gebrochen. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (15) angegeben.