公开(公告)号：DE102011012608A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：DE102011012608

申请日：2011-02-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZINI LORENZO ,  RODE PATRICK ,  WEIMAR ANDREAS DR

IPC: H01L33/58 ,  H01L21/311

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Lichtauskoppelstrukturen (115) in einem Halbleiterkörper (1) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der eine zur Lichterzeugung geeignete aktive Zone (120) enthält. Auf einer Oberfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) wird eine Maskenschicht (3) hergestellt. Die Maskenschicht (3) weist eine Mehrzahl von Struktureinheiten (30) auf, deren Position und Größe reproduzierbar einstellbar und gezielt eingestellt ist. Die Konturen der Struktureinheiten (30) legen einen von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) fest. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) an dem von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) zur Ausbildung der Lichtauskoppelstrukturen (115) geätzt. Zudem wird ein Licht emittierender Halbleiterkörper (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102010045784A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE102010045784

申请日：2010-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL DR ,  WEIMAR ANDREAS DR ,  MAUTE MARKUS DR ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  RODE PATRICK ,  MOOSBURGER JUERGEN DR ,  MALM NORWIN VON DR

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) und ein Trägersubstrat (10) aufweist, wobei eine erste (7) und eine zweite elektrische Kontaktschicht (8) zumindest bereichsweise zwischen dem Trägersubstrat (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet und durch eine elektrisch isolierende Schicht (9) voneinander elektrisch voneinander isoliert sind, und mit einer Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat angeordnet (10) ist. Die Spiegelschicht (6) grenzt an Teilbereiche der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) und an Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9) an, wobei die Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9), die an die Spiegelschicht (6) angrenzen, derart von der zweiten elektrischen Kontaktschicht (Umgebungsmedium des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angrenzen. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Ausnehmung (17) auf, in der die erste elektrische Kontaktschicht (8) zur Ausbildung eines Anschlusskontakts (14) freigelegt ist.

公开(公告)号：DE102010044560A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102010044560

申请日：2010-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  WEIMAR ANDREAS DR ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH DR

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Kontakt von elektrischen Kontakten des späteren optoelektronischen Halbleiterbauelements mit Fremdpartikeln eines Füllstoffs vermieden wird.