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    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2014056762A3

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/EP2013070449

    申请日：2013-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

    CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a method which comprises in at least one embodiment of the method the following steps: A) producing radiation-active islands (4) having a semiconductor layer sequence (3) on a growth substrate (2), wherein the islands (4) each have at least one active zone (33) of the semiconductor layer sequence (3) and an average diameter of the islands (4), as viewed in a top view of the growth substrate, is in a range from 50 nm to 10 μm inclusive, B) producing a separating layer (5) on a side of the islands (4) facing the growth substrate (2), wherein the separating layer (5) surrounds the islands (4) all around, as viewed in a top view of the growth substrate (2), C) attaching a carrier substrate (6) to a side of the islands (4) facing away from the growth substrate (2), and D) detaching the growth substrate (2) from the islands (4), wherein at least a part of the separating layer (5) is destroyed and/or at least temporarily softened during the detachment.

    Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例中，它包括以下步骤：A）制备辐射有源岛（4）具有生长衬底（2），其中，所述岛（4）每一个具有在半导体层序列中的至少一个有源区（33）上的半导体层序列（3）， （3）具有和岛屿（4）所示，在生长衬底上俯视的平均直径为50纳米至10微米，B）形成释放层（5）之间在岛屿的面对（一个（所述生长衬底2）侧 第4页），其特征在于，包围所述岛（4）圆形（在可见C中的生长衬底2）的俯视图）附接（6）的面向远离一个岛（4）的支撑基板（生长基板2）剥离层（5）， 和D）从分离的岛屿（4），其中，在所述剥离至少破坏分离层的一个部分（5）和/或至少部分软化的生长衬底（2）。

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
    3.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
    光电子半导体芯片及其制造方法

    公开(公告)号：WO2012052257A3

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：PCT/EP2011066687

    申请日：2011-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER WERNER ,  RODE PATRICK ,  STRASSBURG MARTIN

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  RODE PATRICK ,  STRASSBURG MARTIN

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a stack of semiconductor layers (1) consisting of a nitride compound semiconductor material on a carrier substrate (2), said carrier substrate having a surface (2a) containing silicon. The stack (1) of semiconductor layers comprises a recess (3) that extends from a rear side (1e) of the stack (1) of semiconductor layers, through an active layer (1a), to a layer (1b) of a first type of conductivity. The layer (1b) of the first type of conductivity is electrically connected via the recess (3) by means of a first electrical connection layer (4) that covers the rear side (1e) at least in parts. A layer (1c) of a second type of conductivity is electrically connected by means of a second electrical connection layer (5) arranged on the rear side (1e). The invention also relates to a method for producing such a semiconductor chip (10).

    Abstract translation: 提供一种光电子半导体芯片（10），其具有在载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料制成的半导体层叠层（1），其中载体衬底（2）具有包含硅的表面（2a）。 半导体层堆叠（1）具有从半导体层堆叠（1）的后侧（1e）穿过有源层（1a）延伸到第一导电类型的层（1b）的凹槽（3）。 第一导电类型的层（1b）借助于第一电连接层（4）通过凹部（3）电连接，该第一电连接层（4）至少局部覆盖后侧（1e）。 第二导电类型的层（1c）通过布置在后侧（1e）上的第二电连接层（5）电连接。 此外，给出了用于制造这种半导体芯片（10）的方法。

    Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
    5.
    发明专利
    Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE112014000633B4

    公开(公告)日：2020-03-26

    申请号：DE112014000633

    申请日：2014-01-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

    Abstract: Halbleiterschichtenfolge (100) umfassend eine erste nitridische Verbindungshalbleiterschicht (1), eine zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2), und eine zwischen der ersten (1) und zweiten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (2) angeordnete Zwischenschicht (10),- wobei beginnend mit der ersten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (1) die Zwischenschicht (10) und die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) in einer Wachstumsrichtung (Z) der Halbleiterschichtenfolge (100) nachfolgend angeordnet sind,- wobei die Zwischenschicht (10) zumindest stellenweise eine von der ersten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (1) verschiedene Gitterkonstante aufweist,- wobei die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) zu der Zwischenschicht (10) zumindest stellenweise gitterangepasst ist, und- wobei die Zwischenschicht (10) Mikrorisse (11) umfasst und in den Mikrorissen (11) die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) zumindest stellenweise vorhanden ist.

    Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips und Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips
    6.
    发明专利
    Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips und Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102016112584A1

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：DE102016112584

    申请日：2016-07-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： OTTO ISABEL ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L33/20 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (100) mit einem Substrat (10) und einer auf dem Substrat (10) aufgebrachten Halbleiterschicht (2) angegeben, wobei das Substrat (10) an einer der Halbleiterschicht (2) zugewandten Seite eine Oberseite (11) mit einer Breite B1 in einer ersten lateralen Richtung (91) und an einer der Oberseite (11) gegenüberliegenden Seite eine Unterseite (13) mit einer Breite B3 in der ersten lateralen Richtung (91) aufweist, das Substrat (10) auf halber Höhe (12) zwischen der Oberseite (11) und der Unterseite (13) eine Breite B2 in der ersten lateralen Richtung (91) aufweist, für die Breiten B1, B2 und B3 gilt: B1 – B2 B3. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips sowie eine Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips angegeben.

    Verfahren zur Herstellung von Lichtauskoppelstrukturen in einem Halbleiterkörper und Licht emittierender Halbleiterkörper
    7.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von Lichtauskoppelstrukturen in einem Halbleiterkörper und Licht emittierender Halbleiterkörper 未知

    公开(公告)号：DE102011012608A1

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：DE102011012608

    申请日：2011-02-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZINI LORENZO ,  RODE PATRICK ,  WEIMAR ANDREAS DR

    IPC: H01L33/58 ,  H01L21/311

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Lichtauskoppelstrukturen (115) in einem Halbleiterkörper (1) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der eine zur Lichterzeugung geeignete aktive Zone (120) enthält. Auf einer Oberfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) wird eine Maskenschicht (3) hergestellt. Die Maskenschicht (3) weist eine Mehrzahl von Struktureinheiten (30) auf, deren Position und Größe reproduzierbar einstellbar und gezielt eingestellt ist. Die Konturen der Struktureinheiten (30) legen einen von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) fest. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) an dem von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) zur Ausbildung der Lichtauskoppelstrukturen (115) geätzt. Zudem wird ein Licht emittierender Halbleiterkörper (1) angegeben.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Anpassen einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips
    8.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Anpassen einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102009047889A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：DE102009047889

    申请日：2009-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  MALM NORWIN VON ,  SABATHIL MATTHIAS ,  MOOSBURGER JUERGEN

    IPC: H01L23/525 ,  H01L33/62

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip umfasst einen ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) mit einem ersten Terminal (211) und einem zweiten Terminal (212), sowie eine Kontaktstruktur (4) zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips, welche elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) verbunden ist. Die Kontaktstruktur (4) weist eine auftrennbare Leiterstruktur (41, 71, 42) auf, wobei - bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur ein Betriebsstrompfad über das erste Terminal des ersten Halbleiterfunktionsbereichs und das zweite Terminal festgelegt ist, der bei aufgetrennter Leiterstruktur unterbrochen ist, oder - bei aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) ein Betriebsstrompfad über das erste Terminal (211) des ersten Halbleiterfunktionsbereichs (21) und das zweite Terminal (212) festgelegt ist, wobei bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) die Leiterstruktur (41, 71, 42) das erste Terminal (211) mit dem zweiten Terminal (212) verbindet und den ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) kurzschließt.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008022942A1

    公开(公告)日：2009-11-12

    申请号：DE102008022942

    申请日：2008-05-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  ENGL KARL ,  ALBRECHT TONY

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38

    Abstract: A radiation-emitting semiconductor chip (1) is provided, which comprises a carrier (5), a semiconductor body (2) with a semiconductor layer sequence, a first contact (35) and a second contact (36). The semiconductor layer sequence comprises an active region (20) provided for generating radiation, which is arranged between a first semiconductor layer (21) and a second semiconductor layer (22). The carrier (5) comprises a major surface (51) facing the semiconductor body (2). The first semiconductor layer (21) is arranged on the side of the active region (20) facing the major surface (51) of the carrier (5) and is electrically contactable by means of the first contact (35). The second semiconductor layer (22) is electrically contactable by means of the second contact (36). A protection diode (4) is formed in a current path extending between the first contact (35) and the second contact (36) through the carrier (5).

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008032318A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：DE102008032318

    申请日：2008-07-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  RODE PATRICK ,  ENGL KARL ,  HOEPPEL LUTZ

    IPC: H01L29/15 ,  H01L31/0248 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

    Abstract: An optoelectronic semiconductor chip has a semiconductor layer sequence having an active layer that generates radiation between a layer of a first conductivity type and a layer of a second conductivity type. The layer of the first conductivity type is adjacent to a front side of the semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence contains at least one cutout extending from a rear side, lying opposite the front side, of the semiconductor layer sequence through the active layer to the layer of the first conductivity type. The layer of the first conductivity type is electrically connected through the cutout by means of a first electrical connection layer which covers the rear side of the semiconductor layer sequence at least in places.

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