公开(公告)号：DE102010025608A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：DE102010025608

申请日：2010-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS DR ,  MOOSBURGER JUERGEN DR ,  BERGENEK KRISTER DR

IPC: H01L33/50 ,  F21V9/08 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (100) angegeben, mit – zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (1); – zumindest einem Konverterelement (2), welches zur Konversion der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung dient; – zumindest einem Filtermittel (3), welches Filterpartikel (31) umfasst oder mit diesen gebildet ist, wobei – das Filtermittel (3) zumindest einen vorgebbaren Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung stärker streut und/oder absorbiert als einen von dem vorgegebenen Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich, und – die Filterpartikel (31) einen d50-Wert, in Q0 gemessen, von wenigstens 0,5 nm bis höchstens 500 nm und/oder – die Filterpartikel (31) zumindest stellenweise fadenartig ausgebildet sind und in einem fadenartigen Bereich (31A) einen Durchmesser (D) aufweisen, der wenigstens 0,5 nm und höchstens 500 nm beträgt.

公开(公告)号：DE102010032836A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：DE102010032836

申请日：2010-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JUERGEN DR

IPC: F21V7/22 ,  F21K99/00

Abstract: Es wird eine Lichtquelle angegeben, die einen Träger (1) mit einer Montagefläche (10), zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) auf der Montagefläche (10), das eine vom Träger (1) weggewandte Lichtabstrahlfläche (20) aufweist, und eine Reflektorschicht (3) auf dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) und der Montagefläche (10), die ein Matrixmaterial mit reflektierenden Partikeln aufweist und die eine Öffnung (30) über der Lichtabstrahlfläche (20) aufweist, umfasst. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle angegeben.

公开(公告)号：DE102011016567A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：DE102011016567

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAUTE MARKUS DR ,  JEREBIC SIMON ,  MOOSBURGER JUERGEN DR

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/54

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102011009369A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：DE102011009369

申请日：2011-01-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ DR ,  MOOSBURGER JUERGEN DR ,  LINKOV ALEXANDER DR ,  TAEGER SEBASTIAN DR ,  HAHN BERTHOLD DR

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) angegeben, der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) und eine Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweist, und mit einer Konversionsschicht (2), die auf der Strahlungsaustrittsseite (1b) des Halbleiterschichtenstapels (1) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (2) weist ein Matrixmaterial und Konverterpartikel auf, die geeignet sind, zuminmittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Matrixmaterial der Konversionsschicht (2) weist einen Brechungsindex auf, der an den Brechungsindex des Halbleiterschichtenstapels (1) angepasst ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102010034665A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE102010034665

申请日：2010-08-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JUERGEN DR ,  VON MALM NORWIN DR ,  NEUREUTHER CHRISTOPH

IPC: H01L31/153 ,  H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/14

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei in dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ein Emissionsbereich (23) und ein Detektionsbereich (24) gebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und im Emissionsbereich (23) zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt; Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) über eine erste Anschlussschicht (31) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt; Die zweite Halbleiterschicht (22) ist über eine zweite Anschlussschicht (32) mit einem zweiten Kontakt (42) elektrisch leitend verbunden. Der Detektionsbereich (24) ist mit einem zusätzlichen Kontakt (43) elektrisch leitend verbunden. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102010045784A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE102010045784

申请日：2010-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL DR ,  WEIMAR ANDREAS DR ,  MAUTE MARKUS DR ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  RODE PATRICK ,  MOOSBURGER JUERGEN DR ,  MALM NORWIN VON DR

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) und ein Trägersubstrat (10) aufweist, wobei eine erste (7) und eine zweite elektrische Kontaktschicht (8) zumindest bereichsweise zwischen dem Trägersubstrat (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet und durch eine elektrisch isolierende Schicht (9) voneinander elektrisch voneinander isoliert sind, und mit einer Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat angeordnet (10) ist. Die Spiegelschicht (6) grenzt an Teilbereiche der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) und an Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9) an, wobei die Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9), die an die Spiegelschicht (6) angrenzen, derart von der zweiten elektrischen Kontaktschicht (Umgebungsmedium des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angrenzen. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Ausnehmung (17) auf, in der die erste elektrische Kontaktschicht (8) zur Ausbildung eines Anschlusskontakts (14) freigelegt ist.

公开(公告)号：DE102010009455A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010009455

申请日：2010-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DINI DIMITRI DR ,  SCHILLGALIES MARC DR ,  LELL ALFRED ,  EICHLER CHRISTOPH DR ,  MOOSBURGER JUERGEN DR ,  MALM NORWIN VON DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  HOEPPEL LUTZ DR

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaservorrichtung mit mindestens einem Halbleiterlaserchip (1) angegeben, wobei der Halbleiterlaserchip (1) eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert, und eine laterale Ausdehnung (B) von höchstens 100 μm aufweist. Der Halbleiterlaserchip (1) ist auf einem Submount (2) angeordnet. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaservorrichtung angegeben.