公开(公告)号：DE112014003318A5

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE112014003318

申请日：2014-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUBER MICHAEL ,  MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  HARTUNG GEORG ,  EIBL JOHANN

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

公开(公告)号：DE102013107531A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102013107531

申请日：2013-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  HARTUNG GEORG ,  EIBL JOHANN ,  HUBER MICHAEL ,  MAUTE MARKUS

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, bei dem eine Verkapselungsschicht (13), die eine ALD-Schicht ist, eine erste Spiegelschicht (21) an ihrer einem p-leitenden Bereich (3) abgewandten Seite vollständig überdeckt und sich stellenweise in direktem Kontakt mit der ersten Spiegelschicht (21) befindet.

公开(公告)号：DE102015100686A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100686

申请日：2015-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUBER MICHAEL ,  ZINI LORENZO

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben. Ein Verbund (1), der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweist wird bereitgestellt. Die funktionale Schicht (3) wird mittels kohärenter Strahlung entlang eines Vereinzelungsmusters (15) durchtrennt. Trenngräben (45) werden in dem Träger (4) entlang des Vereinzelungsmusters (15) ausgebildet. Eine die funktionale Schicht (3) zu den Trenngräben (45) hin begrenzende Schutzschicht (5) wird an jeweils zumindest einer Seitenfläche (101) der zu vereinzelnden Halbleiterchips (10) aufgebracht. Die vereinzelten Halbleiterchips (10) weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2), des Trägers (4) und der funktionalen Schicht (3) auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102013113191A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102013113191

申请日：2013-11-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTHER SABINE ,  HARTMANN RAINER ,  HERZ MARTIN ,  HUBER MICHAEL

IPC: H01L21/31 ,  G03F7/00 ,  H01L21/28 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente für die Kapselung von Schichten angegeben. Dazu wird ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (10) bereitgestellt. Auf die Trägerhauptseite (10) des Trägers (1) wird eine Maske (2) aufgebracht. Die Maske (2) weist eine erste Maskenschicht (21) und eine zweite Maskenschicht (22) auf. Ferner weist die Maske (2) zumindest einen Durchbruch (200) auf, der die Maske (2) in Richtung senkrecht zur Trägerhauptseite (10) vollständig durchdringt. Des Weiteren weist die erste Maskenschicht (21) im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest einen Unterschnitt (201) bezüglich der zweiten Maskenschicht (22) auf. Nach dem Aufbringen der Maske (2) auf den Träger (1) wird ein Funktionsmaterial (4) so abgeschieden, dass im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest eine auf der Trägerhauptseite (10) angeordnete Materialstruktur (41) entsteht. Anschließend wird eine Kapselschicht (5) auf zumindest der Materialstruktur (41) abgeschieden. Die Kapselschicht (5) wird derart abgeschieden, dass vor dem Aufbringen der Kapselschicht (5) freiliegende Seiten der Materialstruktur (41) vollständig mit der Kapselschicht (5) bedeckt werden. In einem weiteren Schritt wird die Maske (2) nach dem Aufbringen der Kapselschicht (5) entfernt.

公开(公告)号：DE102013111503A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE102013111503

申请日：2013-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/301

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE112012006689T5

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE112012006689

申请日：2012-07-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TAEGER SEBASTIAN ,  ENGL KARL ,  HUBER MICHAEL ,  WELZEL MARTIN

IPC: H01L33/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Verkapselung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen einer Oberfläche (6), die verkapselt werden soll, – Erzeugen von reaktiven Sauerstoffgruppen (8) und/oder reaktiven Hydroxygruppen auf dieser Oberfläche (6), und – Aufbringen einer Passivierungsschicht (9) auf diese Oberfläche (6) mittels Atomlagenabscheidung. Ferner wird ein Leuchtdioden-Chip (1) bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102018115594A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115594

申请日：2018-06-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MICHAELIS BENJAMIN ,  BRÖLL MARKUS ,  WALTER ROBERT ,  EBERHARD FRANZ ,  HUBER MICHAEL ,  SCHMID WOLFGANG

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/283 ,  H01L21/301 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L33/14

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine erste druckverspannte Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (120). Ein Material der ersten druckverspannten Schicht (130) ist ausgewählt aus Ta, Mo, Nb oder Verbindungen aus Ta, Mo oder Nb.

公开(公告)号：DE102014114613A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：DE102014114613

申请日：2014-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  JEREBIC SIMON ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/78

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

公开(公告)号：DE102013100818A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102013100818

申请日：2013-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EIBL JOHANN ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HÖPPEL LUTZ ,  ENGL KARL ,  RAMMELSBERGER STEFANIE ,  MAUTE MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  HARTMANN RAINER ,  HARTUNG GEORG

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit – einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, – eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, – einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und – einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei – die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, – die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und – die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.

公开(公告)号：DE102018107615A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102018107615

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÖLL MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  SOMMERFELD JANA ,  HERZ MARTIN ,  HOIBL SEBASTIAN ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  KIESLICH ALBRECHT ,  BÖHM BERND ,  ROSSBACH GEORG

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), und- Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei- die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.