公开(公告)号：DE102017112099A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE102017112099

申请日：2017-06-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WANG XUE ,  BRÖLL MARKUS ,  WERNER KATHARINA ,  SUNDGREN PETRUS

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (10) beschrieben, die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial oder Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) einen p-Typ Halbleiterbereich (4), einen n-Typ Halbleiterbereich (2) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ Halbleiterbereich (2) angeordnete aktive Schicht (3) enthält,wobei eine n-dotierte Halbleiterschicht (21) des n-Typ Halbleiterbereichs (2) an einer von der aktiven Schicht (3) abgewandten Seite an eine p-dotierte Halbleiterschicht (11) angrenzt, wobei die n-dotierte Halbleiterschicht (21) und die p-dotierte Halbleiterschicht (11) einen Tunnelübergang (13) ausbilden, und wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (11) an eine elektrische Kontaktschicht (12) angrenzt, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

公开(公告)号：DE102017125821A1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：DE102017125821

申请日：2017-11-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WERNER KATHARINA ,  RUDOLPH ANDREAS

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/30

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben mit einem p-dotierten Bereich (11), einem aktiven Bereich (12), welcher dazu ausgelegt ist im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (10) elektromagnetische Strahlung zu emittieren und welcher eine Haupterstreckungsebene aufweist, einem n-dotierten Bereich (13), und einem Barrieren-Bereich (14). Der aktive Bereich (12) ist in einer vertikalen Richtung (z) zwischen dem p-dotierten Bereich (11) und dem n-dotierten Bereich (13) angeordnet, wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs (12) ist, und der aktive Bereich (12) basiert auf einer III-V Halbleiterverbindung. Der Barrieren-Bereich (14) erstreckt sich parallel zum aktiven Bereich (12), der Barrieren-Bereich (14) weist Gallium auf, und der Barrieren-Bereich (14) ist dazu ausgelegt das Eindringen von Defekten in den aktiven Bereich (12) zu hemmen. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102018119622A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102018119622

申请日：2018-08-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PICKEL SEBASTIAN ,  WERNER KATHARINA ,  BÖHM BERND ,  STROZECKA-ASSIG ANNA ,  NIRSCHL ANNA

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), einer dotierten Stromaufweitungsschicht (11) und einer Auskoppelschicht (12), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt im bestimmungsgemäßen Betrieb Primärstrahlung. Die Stromaufweitungsschicht weist eine größere laterale, elektrische Leitfähigkeit als die Auskoppelschicht auf. Die Auskoppelschicht weist an einer der aktiven Schicht abgewandten Austrittsseite (120) Auskoppelstrukturen (121) zur Strahlungsauskopplung auf. Die Auskoppelschicht weist einen geringeren Absorptionskoeffizienten für die Primärstrahlung auf als die Stromaufweitungsschicht.