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    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    4.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016156312A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/EP2016056794

    申请日：2016-03-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

    IPC: H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06

    Abstract: In one embodiment the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises an active zone with a multiple quantum well structure (3) containing a number of quantum well layers (31) and barrier layers (32) disposed sequentially in an alternating manner in a growth direction (G), each layer extending continuously over the entire multiple quantum well structure (3). When viewed in cross-section parallel to the growth direction (G), the multiple quantum well structure (3) has at least one emission region (41) and a number of transport regions (42) disposed sequentially in an alternating manner in a direction perpendicular to the growth region (G). The quantum well layers (31) and/or the barrier layers (32) in the transport regions (42) are thinner than and/or have a different material composition from those in the emission regions (41).

    Abstract translation: 在光电子半导体芯片的实施例（1）包括一个具有多量子阱结构（3），其包括沿着生长方向（G）设置在多个量子阱层（31）和阻挡层（32）的有源区彼此跟随交替和其中的每一个连续延伸超过 整个多量子阱结构（3）延伸。 看到的截面中，以生长方向（G）平行，所述多量子阱结构（3）的至少一个发射区（41）和多个输送区域（42），其交替地跟随在一个方向上相互垂直于生长方向（G）的。 在传送区域（42）的量子阱层（31）和/或所述阻挡层（32）被制造得更薄和/或具有不同的材料组成比在发射区（41）。

    Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Halbleiterchip
    7.
    发明专利
    Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102017104719A1

    公开(公告)日：2018-09-13

    申请号：DE102017104719

    申请日：2017-03-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WANG XUE ,  BRÖLL MARKUS ,  NIRSCHL ANNA

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einen n-leitenden Bereich (21) und einen p-leitenden Bereich (22) aufweist, angegeben, wobei- der aktive Bereich zwischen dem n-leitenden Bereich und dem p-leitenden Bereich angeordnet ist;- der p-leitende Bereich eine Stromaufweitungsschicht (3), die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, aufweist; und- die Stromaufweitungsschicht mit einem ersten Dotierstoff dotiert ist, der an Phosphor-Gitterplätzen eingebaut ist.Weiterhin wird ein Halbleiterchip mit einem solchen Halbleiterkörper angegeben.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    8.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015104700A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：DE102015104700

    申请日：2015-03-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/14

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).

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