公开(公告)号：DE102018107673A1

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102018107673

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PICKEL SEBASTIAN ,  SARIC JOHANNES ,  SCHMID WOLFGANG ,  STROZECKA-ASSIG ANNA ,  BAUR JOHANNES

IPC: H01L33/46 ,  G02B1/00 ,  G02B5/08 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung einer Strahlung. Die Halbleiterschichtenfolge (2) basiert auf AlInGaP und/oder auf AlInGaAs. Ein Metallspiegel (3) für die Strahlung befindet sich an einer einer Lichtauskoppelseite (10) gegenüberliegenden Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine Schutzmetallisierung (6) ist direkt an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite des Metallspiegels (3) angebracht. Eine Haftvermittlungsschicht (7) befindet sich direkt an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandten Seite des Metallspiegels (3). Die Haftvermittlungsschicht (7) ist eine Verkapselungsschicht für den Metallspiegel (3), sodass der Metallspiegel (3) zumindest an einem äußeren Rand von der Haftvermittlungsschicht (7) zusammen mit der Schutzmetallisierung (6) verkapselt ist.

公开(公告)号：DE102018107667A1

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102018107667

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STROZECKA-ASSIG ANNA ,  SARIC JOHANNES

IPC: H01L33/46 ,  G02B1/00 ,  G02B5/08

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung einer Strahlung mit einer Wellenlänge maximaler Intensität L. Ein Spiegel (3) umfasst eine Deckschicht (31). Die Deckschicht (31) ist aus einem für die Strahlung durchlässigen Material und weist eine optische Dicke zwischen einschließlich 0,5 L und 3 L auf. Der Deckschicht (31) folgen in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen einschließlich zwei und zehn Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) des Spiegels (3) nach. Die Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) weisen abwechseln hohe und niedrige Brechungsindizes auf. Eine optische Dicke von zumindest einer der Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) ist ungleich L/4. Den Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) folgt in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest eine Metallschicht (39) des Spiegels (3) als Reflexionsschicht nach.

公开(公告)号：DE102018119622A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102018119622

申请日：2018-08-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PICKEL SEBASTIAN ,  WERNER KATHARINA ,  BÖHM BERND ,  STROZECKA-ASSIG ANNA ,  NIRSCHL ANNA

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), einer dotierten Stromaufweitungsschicht (11) und einer Auskoppelschicht (12), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt im bestimmungsgemäßen Betrieb Primärstrahlung. Die Stromaufweitungsschicht weist eine größere laterale, elektrische Leitfähigkeit als die Auskoppelschicht auf. Die Auskoppelschicht weist an einer der aktiven Schicht abgewandten Austrittsseite (120) Auskoppelstrukturen (121) zur Strahlungsauskopplung auf. Die Auskoppelschicht weist einen geringeren Absorptionskoeffizienten für die Primärstrahlung auf als die Stromaufweitungsschicht.