公开(公告)号：DE102018107673A1

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102018107673

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PICKEL SEBASTIAN ,  SARIC JOHANNES ,  SCHMID WOLFGANG ,  STROZECKA-ASSIG ANNA ,  BAUR JOHANNES

IPC: H01L33/46 ,  G02B1/00 ,  G02B5/08 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung einer Strahlung. Die Halbleiterschichtenfolge (2) basiert auf AlInGaP und/oder auf AlInGaAs. Ein Metallspiegel (3) für die Strahlung befindet sich an einer einer Lichtauskoppelseite (10) gegenüberliegenden Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine Schutzmetallisierung (6) ist direkt an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite des Metallspiegels (3) angebracht. Eine Haftvermittlungsschicht (7) befindet sich direkt an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandten Seite des Metallspiegels (3). Die Haftvermittlungsschicht (7) ist eine Verkapselungsschicht für den Metallspiegel (3), sodass der Metallspiegel (3) zumindest an einem äußeren Rand von der Haftvermittlungsschicht (7) zusammen mit der Schutzmetallisierung (6) verkapselt ist.

公开(公告)号：DE102018119622A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102018119622

申请日：2018-08-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PICKEL SEBASTIAN ,  WERNER KATHARINA ,  BÖHM BERND ,  STROZECKA-ASSIG ANNA ,  NIRSCHL ANNA

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), einer dotierten Stromaufweitungsschicht (11) und einer Auskoppelschicht (12), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt im bestimmungsgemäßen Betrieb Primärstrahlung. Die Stromaufweitungsschicht weist eine größere laterale, elektrische Leitfähigkeit als die Auskoppelschicht auf. Die Auskoppelschicht weist an einer der aktiven Schicht abgewandten Austrittsseite (120) Auskoppelstrukturen (121) zur Strahlungsauskopplung auf. Die Auskoppelschicht weist einen geringeren Absorptionskoeffizienten für die Primärstrahlung auf als die Stromaufweitungsschicht.