公开(公告)号：DE102017119344A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119344

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  ZITZELSPERGER MICHAEL ,  GRÖTSCH STEFAN ,  KOCH HOLGER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Träger (9) mit einer Pufferschicht (3) oder ein Bauteil (100) insbesondere mit einem solchen Träger angegeben. Der Träger ist metallisch ausgebildet, wobei die Pufferschicht eine Fließspannung aufweist, die mindestens 10 MPa und höchstens 300 MPa ist. Insbesondere weist der Träger einen Grundkörper (90) auf, der bezüglich dessen Materialzusammensetzung derart ausgebildet ist, dass eine Fließspannung des Grundkörpers größer ist als die Fließspannung der Pufferschicht. Das Bauteil weist etwa einen Halbleiterchip (10) mit einem Substrat (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) auf, wobei der Träger einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip ist mittels einer Verbindungsschicht (4) auf einer Montagefläche (94) des Trägers derart befestigt ist, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Pufferschicht angeordnet ist.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE102012215449A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012215449

申请日：2012-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  SCHWARZ THOMAS ,  ZITZELSPERGER MICHAEL

IPC: H01L23/057 ,  H01L21/58 ,  H01L23/16 ,  H01L23/495 ,  H01L33/48

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Gehäuse (10) für ein elektronisches Bauelement (20) bereitgestellt. Das Gehäuse weist einen Leiterrahmenabschnitt (12) und einen Formwerkstoff (14) auf. Der Leiterrahmenabschnitt (12) ist aus einem elektrisch leitenden Material gebildet und weist eine erste Seite und eine von der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf. Der Leiterrahmenabschnitt (12) weist einen Kontaktabschnitt (28) auf, der an der ersten Seite einen Kontaktbereich (26) zum elektrischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements (20) aufweist. Der Leiterrahmenabschnitt (12) weist mindestens einen Aufnahmeabschnitt (32) auf, der an der ersten Seite einen Aufnahmebereich (30) zum Anordnen des elektronischen Bauelements (20) aufweist. Der Kontaktabschnitt (28) und der Aufnahmeabschnitt (32) sind körperlich voneinander getrennt. Der Kontaktabschnitt (26) ist in Richtung senkrecht zu der ersten Seite dünner ausgebildet als der Aufnahmeabschnitt (30). Der Formwerkstoff (14) weist eine Aufnahmeausnehmung (18) auf, in der der Aufnahmebereich (30) und der Kontaktbereich (26) frei gelegt sind. Der Leiterrahmenabschnitt (12) ist so in den Formwerkstoff (14) eingebettet, dass ein Teil des Formwerkstoffs (14) zwischen dem Kontaktabschnitt (28) und dem Aufnahmeabschnitt (32) ausgebildet ist und dass die zweite Seite des Leiterrahmenabschnitts (12), im Bereich des Kontaktabschnitts (28) von dem Formwerkstoff (14) bedeckt ist und die zweite Seite des Leiterrahmenabschnitts (12) im Bereich des Aufnahmeabschnitts (32) frei von Formwerkstoff (14) ist.

公开(公告)号：DE102018111175A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111175

申请日：2018-05-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZELSPERGER MICHAEL

IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L21/66 ,  H01L25/13 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Pixel für ein Multipixel-LED-Modul, aufweisend einen ersten lichtemittierenden Halbleiterchip mit einer ersten Chipoberseite und einen ersten Leiterrahmenabschnitt. Der erste Leiterrahmenabschnitt weist eine erste Oberseite und einen ersten Kontaktierungsvorsprung sowie einen zweiten Kontaktierungsvorsprung auf, wobei der erste Kontaktierungsvorsprung und der zweite Kontaktierungsvorsprung von der ersten Oberseite ausgehen. Der erste lichtemittierende Halbleiterchip ist auf der ersten Oberseite angeordnet und in ein elektrisch isolierendes Material derart eingebettet, dass die erste Oberseite vom elektrisch isolierenden Material bedeckt ist und die erste Chipoberseite sowie die Kontaktierungsvorsprünge freiliegen.

公开(公告)号：DE102011056700A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102011056700

申请日：2011-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZELSPERGER MICHAEL ,  HOLZ JUERGEN

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62 ,  H01S5/022

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) und beinhaltet die Schritte: – Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (2) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (3), wobei die Leiterrahmen je mindestens zwei Leiterrahmenteile (34, 38) umfassen und über Verbindungsstege (6) mindestens zum Teil miteinander verbunden sind, – Anbringen von elektrischen Verbindungsmitteln (4) zwischen benachbarten Leiterrahmen (3), – Erstellen eines Vergusskörpers (50), wobei der Vergusskörper (50) die Leiterrahmen (3) und die Leiterrahmenteile (34, 38) mechanisch miteinander verbindet, – Entfernen und/oder Unterbrechen mindestens eines Teils der Verbindungsstege (6), und – Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1).