公开(公告)号：DE102017119346A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119346

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  PLÖSSL ANDREAS ,  ZENGER MARCUS

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Bauteil (100) mit einem Halbleiterchip (10), einer Pufferschicht (3), einer Verbindungsschicht (4) und einem metallischen Träger (9) angegeben. Der Halbleiterchip umfasst ein Substrat (1) und einen darauf angeordneten Halbleiterkörper (2). Der metallische Träger weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips, oder umgekehrt. Der Halbleiterchip ist mittels der Verbindungsschicht auf dem metallischen Träger derart befestigt, dass die Pufferschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Verbindungsschicht angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip an die Pufferschicht angrenzt. Bevorzugt weist die Pufferschicht eine Fließspannung auf, die mindestens 10 MPa ist und höchstens 300 MPa beträgt.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE112014000732A5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112014000732

申请日：2014-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  STEGMEIER STEFAN ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/62

公开(公告)号：DE102018118824A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102018118824

申请日：2018-08-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEINER ANDRÉ ,  RAFAEL CHRISTINE ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56 ,  H01L29/43 ,  H01L31/0216 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01S5/00

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine leitfähige Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (100, 125) und eine an die leitfähige Schicht (130, 220, 312) angrenzende erste Stresskompensationsschicht (170). Die Stresskompensationsschicht weist eine definierte erste Verspannung auf.

公开(公告)号：DE102018111791A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018111791

申请日：2018-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REITH ANDREAS ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/54

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (20) mit einem Träger (21), einem optoelektronischen Halbleiterchip (25), einer Isolationsschicht (22), welche ein elektrisch isolierendes Material aufweist, und einer ersten Kontaktschicht (23), welche ein elektrisch leitfähiges Material aufweist, angegeben. Die Isolationsschicht (22) ist auf dem Träger (21) angeordnet und weist eine Kavität (24) auf, der Halbleiterchip (25) ist in der Kavität (24) angeordnet, die erste Kontaktschicht (23) ist zwischen dem Halbleiterchip (25) und dem Träger (21) und zwischen der Isolationsschicht (22) und dem Träger (21) angeordnet, und die erste Kontaktschicht (23) weist mindestens eine Unterbrechung (26) auf, so dass der Träger (21) im Bereich der Kavität (24) zumindest stellenweise frei von der ersten Kontaktschicht (23) ist.

公开(公告)号：DE102017119344A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119344

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  ZITZELSPERGER MICHAEL ,  GRÖTSCH STEFAN ,  KOCH HOLGER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Träger (9) mit einer Pufferschicht (3) oder ein Bauteil (100) insbesondere mit einem solchen Träger angegeben. Der Träger ist metallisch ausgebildet, wobei die Pufferschicht eine Fließspannung aufweist, die mindestens 10 MPa und höchstens 300 MPa ist. Insbesondere weist der Träger einen Grundkörper (90) auf, der bezüglich dessen Materialzusammensetzung derart ausgebildet ist, dass eine Fließspannung des Grundkörpers größer ist als die Fließspannung der Pufferschicht. Das Bauteil weist etwa einen Halbleiterchip (10) mit einem Substrat (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) auf, wobei der Träger einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip ist mittels einer Verbindungsschicht (4) auf einer Montagefläche (94) des Trägers derart befestigt ist, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Pufferschicht angeordnet ist.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE102013101260A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：DE102013101260

申请日：2013-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird eine Vorrichtung (1) mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2) und einem Träger (5), auf dem das Halbleiterbauelement angeordnet ist, angegeben, wobei – an eine das Halbleiterbauelement begrenzende Seitenfläche (25) eine Isolationsschicht (4) angrenzt; – eine Kontaktbahn (6) auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterbauelements angeordnet und elektrisch leitend mit dem Halbleiterbauelement verbunden ist; – die Kontaktbahn sich über die Seitenfläche des Halbleiterbauelements hinaus erstreckt und auf der Isolationsschicht angeordnet ist; und – die Kontaktbahn bezüglich einer senkrecht zu der Seitenfläche auftretenden thermo-mechanischen Beanspruchung entlastet ist.