公开(公告)号：DE102016106387A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102016106387

申请日：2016-04-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  NEUDECKER INGO ,  PLÖSSL ANDREAS

IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L33/62 ,  H05K3/32

Abstract: Lichtemittierendes Bauteil mit einem Träger, wobei auf dem Träger eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet ist, wobei auf der Kontaktfläche eine elektrisch leitende Kontaktfolie angeordnet ist, wobei ein lichtemittierendes Bauelement vorgesehen ist, wobei das Bauelement auf einer ersten Seite einen elektrischen Anschluss aufweist, wobei das Bauelement mit der ersten Seite auf der Kontaktfolie aufliegt und mit der ersten Seite mit der Kontaktfolie verbunden ist, wobei der elektrische Anschluss auf der Kontaktfolie aufliegt und mit der Kontaktfolie elektrisch leitend verbunden ist, und wobei der elektrische Anschluss über die Kontaktfolie mit der Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102017119346A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119346

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  PLÖSSL ANDREAS ,  ZENGER MARCUS

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Bauteil (100) mit einem Halbleiterchip (10), einer Pufferschicht (3), einer Verbindungsschicht (4) und einem metallischen Träger (9) angegeben. Der Halbleiterchip umfasst ein Substrat (1) und einen darauf angeordneten Halbleiterkörper (2). Der metallische Träger weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips, oder umgekehrt. Der Halbleiterchip ist mittels der Verbindungsschicht auf dem metallischen Träger derart befestigt, dass die Pufferschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Verbindungsschicht angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip an die Pufferschicht angrenzt. Bevorzugt weist die Pufferschicht eine Fließspannung auf, die mindestens 10 MPa ist und höchstens 300 MPa beträgt.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE102013111503A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE102013111503

申请日：2013-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/301

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102017119344A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119344

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  ZITZELSPERGER MICHAEL ,  GRÖTSCH STEFAN ,  KOCH HOLGER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Träger (9) mit einer Pufferschicht (3) oder ein Bauteil (100) insbesondere mit einem solchen Träger angegeben. Der Träger ist metallisch ausgebildet, wobei die Pufferschicht eine Fließspannung aufweist, die mindestens 10 MPa und höchstens 300 MPa ist. Insbesondere weist der Träger einen Grundkörper (90) auf, der bezüglich dessen Materialzusammensetzung derart ausgebildet ist, dass eine Fließspannung des Grundkörpers größer ist als die Fließspannung der Pufferschicht. Das Bauteil weist etwa einen Halbleiterchip (10) mit einem Substrat (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) auf, wobei der Träger einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip ist mittels einer Verbindungsschicht (4) auf einer Montagefläche (94) des Trägers derart befestigt ist, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Pufferschicht angeordnet ist.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE102014114613A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：DE102014114613

申请日：2014-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  JEREBIC SIMON ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/78

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

公开(公告)号：DE102013104572A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102013104572

申请日：2013-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS ,  HEINEMANN ERIK ,  LISTL STEFAN ,  NEUDECKER INGO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L25/075 ,  H01L31/18 ,  H01L33/62

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30) bereitgestellt. Dabei wird ein Sintermaterial (40) über einem Substrat (12) angeordnet. Das Sintermaterial (40) wird auf das Substrat (12) gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) verbindet. Ein optoelektronisches Bauelement (16) wird auf das Sintermaterial (40) gepresst, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem optoelektronischen Bauelement (16) verbindet. Das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) bilden die optoelektronische Baugruppe (30).