다수의 반도체 소자들을 포함하는 광원
    1.
    发明公开
    다수의 반도체 소자들을 포함하는 광원 审中-公开
    一种包括多个半导体元件的光源

    公开(公告)号:KR20180008617A

    公开(公告)日:2018-01-24

    申请号:KR20177035922

    申请日:2016-05-17

    Abstract: 본발명은다수의반도체소자들을포함하는광원에관한것이고, 여기서반도체소자는다수의발광다이오드들을갖고, 다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열된다. 본발명은또한다수의발광다이오드들을갖는반도체소자에관한것이고, 여기서다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열되고, 제어회로는다이오드들을개별적으로제어하도록설계된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光源,包括多个半导体元件,其中,所述半导体器件具有多个发光二极管,所述二极管被布置在预定的网格至少一排在半导体元件上,用于控制各个二极管的控制 电路布置在半导体元件上。 本发明还涉及一种具有多个发光二极管,其中所述二极管被布置在至少一个列中的半导体器件中,半导体元件上的预定网格,用于控制各个二极管的控制电路被布置在半导体元件上, 控制电路设计用于单独控制二极管。

    Schaltungsanordnung
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102012109107A1

    公开(公告)日:2014-03-27

    申请号:DE102012109107

    申请日:2012-09-26

    Abstract: Schaltungsanordnung mit einem Bauteil-Element (9) umfassend einen Elementkontaktbereich (610) sowie einem Träger (1) umfassend einen ersten Leitungspfad (31, 310, 41) mit einem ersten Trägerkontaktbereich (310), der über eine erste Bondverbindung (51) mit dem Elementkontaktbereich (610) verbunden ist, und einen zweiten Leitungspfad (32, 320, 42), separat vom ersten Leitungspfad (31, 310, 41), mit einem zweiten Trägerkontaktbereich (320), der über eine zweite Bondverbindung (52) mit dem Elementkontaktbereich (310) verbunden ist.

    Leuchtdiodenmodul und Kfz-Scheinwerfer

    公开(公告)号:DE102012105677A1

    公开(公告)日:2014-01-02

    申请号:DE102012105677

    申请日:2012-06-28

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das Leuchtdiodenmodul (1) einen Träger (2) sowie mehrere optoelektronische Halbleiterchips (3) auf, die an einer Trägeroberseite (20) angebracht und zur Erzeugung einer Primärstrahlung eingerichtet sind. Die Halbleiterchips (3) sind zum Teil in einem ersten Abstand (D1) und zum Teil in einem zweiten, größeren Abstand (D2) zueinander angeordnet. Zwischen den im ersten Abstand (D1) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) befindet sich eine strahlungsdurchlässige erste Füllung (41) zu einer optischen Kopplung. Zwischen den im zweiten Abstand (D2) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) befindet sich eine strahlungsundurchlässige zweite Füllung (42) zu einer optischen Isolierung.

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