indutor de fator de alta qualidade implementado em empacotamento de nível de wafer (wlp)

    公开(公告)号:BR112015020828A2

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:BR112015020828

    申请日:2014-02-21

    Applicant: QUALCOMM INC

    Abstract: 1/1 resumo "indutor de fator de alta qualidade implementado em empacotamento de nível de wafer (wlp)" algumas características de novidade pertencem a um primeiro exemplo que fornece um dispositivo semicondutor que inclui um painel de circuito impresso (pcb), esferas de solda e uma matriz. o pcb inclui uma primeira camada metálica. o conjunto de esferas de solda é acoplado ao pcb. a matriz é acoplada a uma segunda camada metálica e a uma terceira camada metálica. a primeira camada metálica do pcb, o conjunto de esferas de solda, as segunda e terceira camadas metálicas da matriz são configurados para operar como um indutor no dispositivo semicondutor. em algumas implementações, a matriz inclui adicionalmente uma camada de passivação. a camada de passivação é posicionada entre a segunda camada metálica e a terceira camada metálica. em algumas implementações, a segunda camada metálica é posicionada entre a camada de passivação e o conjunto de esferas de solda.

    Dispositivo semicondutor e método de fornecimento de um indutor no mesmo

    公开(公告)号:BR112015020828B1

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:BR112015020828

    申请日:2014-02-21

    Applicant: QUALCOMM INC

    Abstract: indutor de fator de alta qualidade implementado em empacotamento de nível de wafer (wlp). algumas características de novidade pertencem a um primeiro exemplo que fornece um dispositivo semicondutor que inclui um painel de circuito impresso (pcb), esferas de solda e uma matriz. o pcb inclui uma primeira camada metálica. o conjunto de esferas de solda é acoplado ao pcb. a matriz é acoplada a uma segunda camada metálica e a uma terceira camada metálica. a primeira camada metálica do pcb, o conjunto de esferas de solda, as segunda e terceira camadas metálicas da matriz são configurados para operar como um indutor no dispositivo semicondutor. em algumas implementações, a matriz inclui adicionalmente uma camada de passivação. a camada de passivação é posicionada entre a segunda camada metálica e a terceira camada metálica. em algumas implementações, a segunda camada metálica é posicionada entre a camada de passivação e o conjunto de esferas de solda.

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