Dispositivo semicondutor e método de fornecimento de um indutor no mesmo

    公开(公告)号:BR112015020828B1

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:BR112015020828

    申请日:2014-02-21

    Applicant: QUALCOMM INC

    Abstract: indutor de fator de alta qualidade implementado em empacotamento de nível de wafer (wlp). algumas características de novidade pertencem a um primeiro exemplo que fornece um dispositivo semicondutor que inclui um painel de circuito impresso (pcb), esferas de solda e uma matriz. o pcb inclui uma primeira camada metálica. o conjunto de esferas de solda é acoplado ao pcb. a matriz é acoplada a uma segunda camada metálica e a uma terceira camada metálica. a primeira camada metálica do pcb, o conjunto de esferas de solda, as segunda e terceira camadas metálicas da matriz são configurados para operar como um indutor no dispositivo semicondutor. em algumas implementações, a matriz inclui adicionalmente uma camada de passivação. a camada de passivação é posicionada entre a segunda camada metálica e a terceira camada metálica. em algumas implementações, a segunda camada metálica é posicionada entre a camada de passivação e o conjunto de esferas de solda.

    Inductor con factor de alta calidad implementado en empaquetado a nivel de oblea (WLP)

    公开(公告)号:ES2864881T3

    公开(公告)日:2021-10-14

    申请号:ES14709823

    申请日:2014-02-21

    Applicant: QUALCOMM INC

    Abstract: Un dispositivo semiconductor que comprende: una placa de circuito impreso, PCB (202) que comprende una primera capa metálica (202a, 310); un conjunto de bolas de soldadura (204, 308) acopladas a la PCB; y Un chip (200) acoplado a la PCB a través del conjunto de bolas de soldadura (204, 308), comprendiendo el chip una segunda capa metálica (218, 304) y una tercera capa metálica (210, 302) y un conjunto de vías (212, 306) que acoplan la segunda capa metálica (218) y la tercera capa metálica (210, 302); en el que la primera capa metálica (202a, 310) de la PCB, el conjunto de bolas de soldadura (204, 308), las segunda y tercera capas metálicas (218; 210, 302) y el conjunto de vías (212, 306) del chip están configurados para funcionar como un inductor en el dispositivo; en el que la primera capa metálica (202a, 310) de la PCB, el conjunto de bolas de soldadura (204, 308), la segunda y tercera capas metálicas (218; 210, 302) y el conjunto de vías (212, 306) del chip están configurados para proporcionar un devanado para el inductor, teniendo el devanado un número de N vueltas que es 2 o más.

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