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    Dispositivo semicondutor e método de fornecimento de um indutor no mesmo
    1.
    发明专利
    Dispositivo semicondutor e método de fornecimento de um indutor no mesmo 未知

    公开(公告)号：BR112015020828B1

    公开(公告)日：2022-02-08

    申请号：BR112015020828

    申请日：2014-02-21

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： HADJICHRISTOS ARISTOTELE ,  NEJATI BABAK ,  RYAN D LANE ,  CHEN XIAOMING ,  ZHANG XIAONAN ,  YOUNG K SONG ,  PARK YUNSEO

    IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11

    Abstract: indutor de fator de alta qualidade implementado em empacotamento de nível de wafer (wlp). algumas características de novidade pertencem a um primeiro exemplo que fornece um dispositivo semicondutor que inclui um painel de circuito impresso (pcb), esferas de solda e uma matriz. o pcb inclui uma primeira camada metálica. o conjunto de esferas de solda é acoplado ao pcb. a matriz é acoplada a uma segunda camada metálica e a uma terceira camada metálica. a primeira camada metálica do pcb, o conjunto de esferas de solda, as segunda e terceira camadas metálicas da matriz são configurados para operar como um indutor no dispositivo semicondutor. em algumas implementações, a matriz inclui adicionalmente uma camada de passivação. a camada de passivação é posicionada entre a segunda camada metálica e a terceira camada metálica. em algumas implementações, a segunda camada metálica é posicionada entre a camada de passivação e o conjunto de esferas de solda.

    Inductor con factor de alta calidad implementado en empaquetado a nivel de oblea (WLP)
    2.
    发明专利
    Inductor con factor de alta calidad implementado en empaquetado a nivel de oblea (WLP) 未知

    公开(公告)号：ES2864881T3

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：ES14709823

    申请日：2014-02-21

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： SONG YOUNG ,  PARK YUNSEO ,  ZHANG XIAONAN ,  LANE RYAN ,  NEJATI BABAK ,  HADJICHRISTOS ARISTOTELE ,  CHEN XIAOMING

    IPC: H01L23/64 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11

    Abstract: Un dispositivo semiconductor que comprende: una placa de circuito impreso, PCB (202) que comprende una primera capa metálica (202a, 310); un conjunto de bolas de soldadura (204, 308) acopladas a la PCB; y Un chip (200) acoplado a la PCB a través del conjunto de bolas de soldadura (204, 308), comprendiendo el chip una segunda capa metálica (218, 304) y una tercera capa metálica (210, 302) y un conjunto de vías (212, 306) que acoplan la segunda capa metálica (218) y la tercera capa metálica (210, 302); en el que la primera capa metálica (202a, 310) de la PCB, el conjunto de bolas de soldadura (204, 308), las segunda y tercera capas metálicas (218; 210, 302) y el conjunto de vías (212, 306) del chip están configurados para funcionar como un inductor en el dispositivo; en el que la primera capa metálica (202a, 310) de la PCB, el conjunto de bolas de soldadura (204, 308), la segunda y tercera capas metálicas (218; 210, 302) y el conjunto de vías (212, 306) del chip están configurados para proporcionar un devanado para el inductor, teniendo el devanado un número de N vueltas que es 2 o más.

    Interruptor de antena multi-banda con reducción de capacitancia en estado de desactivación
    3.
    发明专利
    Interruptor de antena multi-banda con reducción de capacitancia en estado de desactivación 未知

    公开(公告)号：ES2608038T3

    公开(公告)日：2017-04-05

    申请号：ES13750476

    申请日：2013-08-09

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： AHN MINSIK ,  LEE CHANG-HO ,  HADJICHRISTOS ARISTOTELE

    IPC: H04B1/00 ,  H04B1/40

    Abstract: Un aparato (200) que comprende: una pluralidad de interruptores de primera etapa (224) conectados a una antena (202); y una pluralidad de interruptores de segunda etapa (226) conectados a la pluralidad de interruptores de primera etapa, estando cada interruptor de primera etapa conectado en serie a uno o más interruptores de segunda etapa para formar una pluralidad de rutas de señal conmutables (222) conectadas a la antena (202), teniendo la pluralidad de rutas de señal conmutables al menos una ruta de señal de baja potencia que incluye un interruptor de segunda etapa seleccionado que tiene una tensión de ruptura menor que un interruptor de primera etapa seleccionado que está conectado al interruptor de segunda etapa seleccionado.

    Receptor de diversidad para comunicación inalámbrica
    4.
    发明专利
    Receptor de diversidad para comunicación inalámbrica 未知

    公开(公告)号：ES2656435T3

    公开(公告)日：2018-02-27

    申请号：ES10007688

    申请日：2006-10-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： SAMPSON WESLEY ,  HADJICHRISTOS ARISTOTELE ,  SAHOTA GURKANWAL S

    IPC: H04B1/40 ,  H04B7/08

    Abstract: Un aparato (150a) que comprende: un primer receptor (230a) para el Sistema Universal de Telecomunicaciones Móviles, UMTS; un segundo receptor (230b) para el Sistema Global de Comunicaciones Móviles, GSM, y UMTS; y una unidad (220) configurada para acoplar el primer receptor (230a) a una antena principal (210a) y el segundo receptor (230b) a una antena de diversidad (210b) cuando recibe UMTS y para acoplar el segundo receptor (230b) a la antena principal (210a) cuando se recibe GSM.

    Amplificadores de bajo ruido con salidas combinadas
    5.
    发明专利
    Amplificadores de bajo ruido con salidas combinadas 未知

    公开(公告)号：ES2685325T3

    公开(公告)日：2018-10-08

    申请号：ES12759300

    申请日：2012-08-16

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： HADJICHRISTOS ARISTOTELE ,  SAHOTA GURKANWAL SINGH

    IPC: H04B1/00 ,  H03F3/45 ,  H04B1/40

    Abstract: Un aparato que incluye: un módulo delantero (420), comprendiendo el módulo delantero: una pluralidad de amplificadores de bajo ruido (460), LNA, que tienen salidas que están combinadas; medios para seleccionar uno de la pluralidad de LNA para amplificar una señal de entrada de radiofrecuencia, RF, y proporcionar una señal de RF amplificada; al menos un filtro de recepción, en el que al menos uno de la pluralidad de LNA está acoplado directamente a dicho al menos un filtro de recepción, sin pasar por un circuito de adaptación de impedancia; incluyendo además el aparato un circuito integrado (430), IC, distinguido del módulo delantero, comprendiendo el CI circuitos de recepción para procesar la señal de RF amplificada (462), acoplando los circuitos de recepción a la salida combinada de la pluralidad de LNA a través de una única interconexión (470), siendo la interconexión única entre el único puerto de E/S (472) en el módulo delantero y el único puerto de E/S (474) en el IC.

    Suministros de tensión de nivel conmutable para comunicaciones multimodo
    7.
    发明专利
    Suministros de tensión de nivel conmutable para comunicaciones multimodo 未知

    公开(公告)号：ES2383847T3

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：ES08846869

    申请日：2008-11-05

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： CASSIA MARCO ,  HADJICHRISTOS ARISTOTELE

    IPC: H04B1/04

    Abstract: Un aparato para suministrar una tensión a un circuito transmisor, procesando el circuito una señal para su transmisión por un canal de comunicaciones, comprendiendo el circuito transmisor un mezclador (104.1, 104.2) para trasladar una señal a una frecuencia más elevada, comprendiendo además el circuito transmisor un amplificador (104.5), comprendiendo el aparato: un módulo (202) de generación de tensión para generar una tensión (202a) de suministro para el circuito transmisor, estando la tensión de suministro a un primer nivel durante una primera fase, y a un segundo nivel durante una segunda fase, siendo el primer nivel más alto que el segundo nivel, siendo suministrada la tensión (202a) de suministro al mezclador del circuito transmisor.

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