公开(公告)号：CN101960604A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127888.8

申请日：2008-03-13

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  G·戈丹 ,  F·拉勒芒 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里 ,  M·沙欣 ,  C·马聚

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: 本发明涉及一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。本发明还涉及用于制造这种衬底的过程。

公开(公告)号：CN101960604B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200880127888.8

申请日：2008-03-13

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  G·戈丹 ,  F·拉勒芒 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里 ,  M·沙欣 ,  C·马聚

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: 本发明涉及一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。本发明还涉及用于制造这种衬底的过程。