公开(公告)号：CN101960604A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127888.8

申请日：2008-03-13

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  G·戈丹 ,  F·拉勒芒 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里 ,  M·沙欣 ,  C·马聚

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: 本发明涉及一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。本发明还涉及用于制造这种衬底的过程。

公开(公告)号：CN105742258A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610091145.6

申请日：2011-07-12

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： G·戈丹

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/603 ,  H01L25/065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种低温键合方法，是一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底或者至少一个芯片，所述第二元件包括至少一个第二衬底，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分在至少等于后续的键合界面强化温度(Tr)但低于450℃的温度下进行；c)通过使所述键合层的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在低于450℃的键合界面强化温度(Tr)下退火。

公开(公告)号：CN102376653A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110199454.2

申请日：2011-07-12

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： G·戈丹

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L29/0657 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27616 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/279 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/27 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种低温键合方法，是一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底或者至少一个芯片，所述第二元件包括至少一个第二衬底，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分在至少等于后续的键合界面强化温度(Tr)但低于450℃的温度下进行；c)通过使所述键合层的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在低于450℃的键合界面强化温度(Tr)下退火。

公开(公告)号：CN105742258B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201610091145.6

申请日：2011-07-12

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： G·戈丹

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/603 ,  H01L25/065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种低温键合方法，是一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底或者至少一个芯片，所述第二元件包括至少一个第二衬底，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分在至少等于后续的键合界面强化温度(Tr)但低于450℃的温度下进行；c)通过使所述键合层的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在低于450℃的键合界面强化温度(Tr)下退火。

公开(公告)号：CN102315149B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110126409.4

申请日：2011-05-11

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： G·戈丹

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/185 ,  B32B37/144 ,  B32B37/18 ,  B32B38/1808 ,  B32B38/1866 ,  B32B41/00 ,  B32B2041/04 ,  B32B2307/202 ,  B32B2309/72 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1092 ,  H01L2224/80

Abstract: 本发明涉及一种具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法。一种通过分子粘附将第一晶片(100)结合到第二晶片(200)上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准，所述方法至少包括一个使所述两个晶片(100，200)接触从而启动所述两个晶片之间的结合波的传播的步骤。根据本发明，在所述接触步骤期间，根据所述初始径向未对准在所述两个晶片中的至少一个上施加预定结合曲率(KB)。

公开(公告)号：CN101960604B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200880127888.8

申请日：2008-03-13

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  G·戈丹 ,  F·拉勒芒 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里 ,  M·沙欣 ,  C·马聚

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: 本发明涉及一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。本发明还涉及用于制造这种衬底的过程。

公开(公告)号：CN102315149A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110126409.4

申请日：2011-05-11

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： G·戈丹

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/185 ,  B32B37/144 ,  B32B37/18 ,  B32B38/1808 ,  B32B38/1866 ,  B32B41/00 ,  B32B2041/04 ,  B32B2307/202 ,  B32B2309/72 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1092 ,  H01L2224/80

Abstract: 本发明涉及一种具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法。一种通过分子粘附将第一晶片(100)结合到第二晶片(200)上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准，所述方法至少包括一个使所述两个晶片(100，200)接触从而启动所述两个晶片之间的结合波的传播的步骤。根据本发明，在所述接触步骤期间，根据所述初始径向未对准在所述两个晶片中的至少一个上施加预定结合曲率(KB)。