公开(公告)号：CN101960604A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127888.8

申请日：2008-03-13

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  G·戈丹 ,  F·拉勒芒 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里 ,  M·沙欣 ,  C·马聚

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: 本发明涉及一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。本发明还涉及用于制造这种衬底的过程。

公开(公告)号：CN102084478A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126223.X

申请日：2009-07-03

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： K·布德尔 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种制造结构的方法，所述结构特别应用于电子学、光学、或光电子学的领域，该结构包括支撑衬底(3)上的半导体材料的薄层(1)，其中：a)所述薄层(1)通过分子附着力粘接键合到所述支撑衬底(3)上；b)通过该方式得到的所述结构被热处理，以稳定粘接键合界面(2)，其特征在于在步骤b)之前，在所述界面(2)上进行离子注入，从而薄层(1)上的原子被转移到支撑衬底(3)上，和/或支撑衬底(3)上的原子被转移到薄层(1)上。

公开(公告)号：CN101960604B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200880127888.8

申请日：2008-03-13

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  G·戈丹 ,  F·拉勒芒 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里 ,  M·沙欣 ,  C·马聚

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: 本发明涉及一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。本发明还涉及用于制造这种衬底的过程。