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公开(公告)号：FR2979166A1
公开(公告)日：2013-02-22
申请号：FR1157360
申请日：2011-08-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： BENOIT DANIEL , FAVENNEC LAURENT
IPC: H01L21/8232
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS dans et sur un substrat semiconducteur (1), comprenant les étapes suivantes : a) former une grille provisoire (5) en silicium polycristallin à la surface du substrat (1) ; b) revêtir la grille provisoire (5) et le substrat (1) d'un empilement d'une couche de nitrure de silicium (13) et d'une couche d'oxyde de silicium (15), la couche d'oxyde de silicium (15) présentant une épaisseur au moins égale à celle de la grille provisoire (5) ; c) aplanir la face supérieure de l'empilement en retirant une partie supérieure de la couche d'oxyde de silicium (15) par polissage mécano-chimique ; et d) retirer une partie supérieure supplémentaire de la couche d'oxyde de silicium (15) et une partie supérieure de la couche de nitrure de silicium (13) par gravure par plasma déporté, ladite gravure étant interrompue lorsque la face supérieure de la grille provisoire (5) est rendue accessible.
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公开(公告)号：FR3096827A1
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：FR1905665
申请日：2019-05-28
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , BENOIT DANIEL , BERTHELON REMY
IPC: G11C13/02
Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant la formation d'une première couche isolante (50) dans des cavités (42) situées à l'aplomb de bandes de matériau à changement de phase (28), et la gravure anisotrope des parties de la première couche isolante (50) situées au fond des cavités (42) ; et un dispositif mémoire à changement de phase comprenant une première couche isolante (50) contre des parois latérales de cavités (42) situées à l'aplomb de bandes de matériau à changement de phase (28). Figure pour l'abrégé : Fig. 3
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公开(公告)号：FR2990057A1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：FR1253852
申请日：2012-04-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： BENOIT DANIEL , FAVENNEC LAURENT
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une tranchée remplie d'isolant traversant une couche de silicium monocristallin (7) et une première couche de SiO (5) et pénétrant dans un support de silicium (3), ce procédé comprenant les étapes consistant à former sur la couche de silicium une deuxième couche de SiO (11) et une première couche de nitrure de silicium (13), former la tranchée, et procéder à un premier traitement oxydant pour former une troisième couche de SiO (17, 19) ; procéder à un deuxième traitement oxydant pour former sur les faces exposées de la première couche de nitrure de silicium (13) une quatrième couche de SiO ; déposer une deuxième couche de nitrure de silicium (32) et remplir la tranchée de SiO (20) ; et éliminer la partie supérieure de la structure jusqu'à ce que la surface supérieure de la couche de silicium (7) soit exposée.
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公开(公告)号：FR3057395A1
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：FR1659700
申请日：2016-10-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BENOIT DANIEL , HINSINGER OLIVIER , GOURVEST EMMANUEL
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image à éclairement par la face arrière, comprenant des régions mémoire formées dans une plaquette semiconductrice, chaque région mémoire (9) étant située entre deux murs opaques (80) qui s'étendent dans la plaquette et sont en contact avec un écran opaque (96) disposé en face arrière de la région mémoire.
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