公开(公告)号：FR2977749A1

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：FR1156019

申请日：2011-07-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CLERC SYLVAIN ,  GASIOT GILLES ,  GLORIEUX MAXIMILIEN

IPC: H03K19/003 ,  G11C11/4078 ,  H03K19/20

Abstract: L'invention concerne un circuit électronique intégré comprenant des éléments assurant la réalisation d'une fonction logique et des moyens d'atténuation de la sensibilité desdits éléments vis-à-vis de perturbations extérieures, lesdits moyens d'atténuation étant déconnectables lors de phases de modifications volontaires de l'état desdits éléments.

公开(公告)号：FR3066613B1

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：FR1754359

申请日：2017-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  UNIV AIX MARSEILLE ,  UNIV DE TOULON ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： COCHET MARTIN ,  SOUSSAN DIMITRI ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: G01T1/02 ,  H01L31/0248

Abstract: Le dispositif de mesure de particules ionisantes comprend un module d'acquisition (4) comportant des premier et deuxième étages d'acquisition (8, 9) comportant respectivement des sensibilités différentes à des particules ionisantes absorbées par le module d'acquisition (4) et configurés pour générer respectivement des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6) ayant chacun une caractéristique variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, et un module de traitement (7) comportant un étage de mesure (10) configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6), un paramètre relatif Nr entre lesdites caractéristiques variables et un étage de calcul (11) configuré pour calculer une dose totale ionisante (TID) en utilisant une loi polynomiale de degré 1 ou 2 en Nr.

公开(公告)号：FR3066613A1

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：FR1754359

申请日：2017-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  UNIV AIX MARSEILLE ,  UNIV DE TOULON ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： COCHET MARTIN ,  SOUSSAN DIMITRI ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: G01T1/02 ,  H01L31/0248

Abstract: Le dispositif de mesure de particules ionisantes comprend un module d'acquisition (4) comportant des premier et deuxième étages d'acquisition (8, 9) comportant respectivement des sensibilités différentes à des particules ionisantes absorbées par le module d'acquisition (4) et configurés pour générer respectivement des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6) ayant chacun une caractéristique variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, et un module de traitement (7) comportant un étage de mesure (10) configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6), un paramètre relatif Nr entre lesdites caractéristiques variables et un étage de calcul (11) configuré pour calculer une dose totale ionisante (TID) en utilisant une loi polynomiale de degré 1 ou 2 en Nr.

公开(公告)号：FR2982701A1

公开(公告)日：2013-05-17

申请号：FR1160411

申请日：2011-11-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GLORIEUX MAXIMILIEN ,  CLERC SYLVAIN ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/4078

Abstract: A memory device includes first and second inverters cross-coupled between first and second nodes. The first inverter is configured to be supplied by a first supply voltage via a first transistor and the second inverter is configured to be supplied by the first supply voltage via a second transistor. A first control circuit is configured to control a gate node of the first transistor based on the voltage at the second node and at a gate node of the second transistor. A second control circuit is configured to control the gate node of the second transistor based on the voltage at the first node and at the gate node of the first transistor.

公开(公告)号：FR3116618A1

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：FR2011963

申请日：2020-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GASIOT GILLES ,  TROCHUT SEVERIN ,  LE NEEL OLIVIER ,  MALHERBE VICTOR

IPC: G01T1/17

Abstract: Détecteur de rayons X La présente description concerne un détecteur de rayons X (20) comprenant : - un premier circuit électronique (22) comprenant un premier transistor bipolaire de type NPN (23) ; et - un deuxième circuit (26) configuré pour comparer une tension (SG) du circuit électronique à une valeur de référence (Sref) sensiblement égale à la valeur de ladite tension (SG) lorsque le premier circuit (22) a reçu une quantité seuil de rayons X. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3092402B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1900935

申请日：2019-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LECAT--MATHIEU DE BOISSAC CAPUCINE ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE ,  MALHERBE VICTOR

IPC: G01R29/02

Abstract: Mesure de la durée d'une impulsion La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier circuit (11) comportant une première chaine d'étages (113a) identiques définissant des première et deuxième lignes à retard ; un deuxième circuit (14) comportant une deuxième chaine d'étages (113b) identiques aux étages de la première chaine, la deuxième chaine définissant des troisième et quatrième lignes à retard ; et un troisième circuit (13) reliant sélectivement la troisième ligne à retard, la quatrième ligne à retard ou une première entrée (133) du troisième circuit à une même entrée (112) du premier circuit (11). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3047565B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：FR1650947

申请日：2016-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CLERC SYLVAIN ,  GASIOT GILLES

IPC: G01R31/3183

公开(公告)号：FR3055463A1

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：FR1658080

申请日：2016-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES

IPC: G11C11/412 ,  H01L23/62

Abstract: L'invention concerne un élément de mémorisation comprenant deux inverseurs CMOS (10, 11), couplés tête-bêche entre deux noeuds (52, 53) ; et un transistor MOS (51), connecté en condensateur entre lesdits noeuds (52, 53).

公开(公告)号：FR2982701B1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：FR1160411

申请日：2011-11-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GLORIEUX MAXIMILIEN ,  CLERC SYLVAIN ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/4078

Abstract: A memory device includes first and second inverters cross-coupled between first and second nodes. The first inverter is configured to be supplied by a first supply voltage via a first transistor and the second inverter is configured to be supplied by the first supply voltage via a second transistor. A first control circuit is configured to control a gate node of the first transistor based on the voltage at the second node and at a gate node of the second transistor. A second control circuit is configured to control the gate node of the second transistor based on the voltage at the first node and at the gate node of the first transistor.

公开(公告)号：FR3049765B1

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：FR1652999

申请日：2016-04-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GASIOT GILLES ,  MALHERBE VICTOR ,  CLERC SYLVAIN

IPC: H01L23/552 ,  G11C29/52