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公开(公告)号：WO2015025106A3
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/FR2014052099
申请日：2014-08-18
Inventor： MONFRAY STÉPHANE , MAITRE CHRISTOPHE , KOKSHAGINA OLGA , SKOTNICKI THOMAS , SOUPREMANIEN ULRICH
IPC: H02N1/08
CPC classification number: H02N1/08 , B81B3/0021 , B81B3/0024 , B81B2203/053 , F01K5/02 , H02N1/006
Abstract: The invention relates to a device (400) for converting energy, comprising an enclosure (430) containing drops of a liquid (427) and an electret capacitive transducer (417, 419, 421) coupled to that enclosure.
Abstract translation: 用于转换能量的设备（400）技术领域本发明涉及一种用于转换能量的设备（400），其包括包含液滴（427）的外壳（430）和耦合到该外壳的驻极体电容换能器（417,419,421）。
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公开(公告)号：FR3009907B1
公开(公告)日：2015-09-18
申请号：FR1358072
申请日：2013-08-20
Inventor： MONFRAY STEPHANE , MAITRE CHRISTOPHE , KOKSHAGINA OLGA , SKOTNICKI THOMAS , SOUPREMANIEN ULRICH
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公开(公告)号：DE602007004139D1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：DE602007004139
申请日：2007-03-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , DUTARTRE DIDIER , TALBOT ALEXANDRE
IPC: H01L29/786
Abstract: The method involves forming an intermediate semiconductor layer (6) above a substrate (2), where the layer contains an alloy of silicon and germanium. Source, drain and insulated gate regions (11,12,9) of a MOS transistor are formed above the semiconductor layer. The semiconductor layer is oxidized from a lower surface of the layer for increasing concentration of germanium in a channel of the transistor.
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公开(公告)号：FR2899017A1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：FR0602467
申请日：2006-03-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , DUTARTRE DIDIER , TALBOT ALEXANDRE
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS comprenant :a) la formation, au-dessus d'un substrat 2, d'une couche semiconductrice intermédiaire 6 contenant un alliage de silicium et de germanium,b) la réalisation des régions 11, 12, 9 de source, de drain et de grille isolée du transistor, au-dessus de la couche intermédiaire 6,c) l'oxydation de la couche intermédiaire 6 à partir de sa surface inférieure de façon à augmenter la concentration de germanium dans le canal du transistor.
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公开(公告)号：FR2881416B1
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：FR0550276
申请日：2005-01-31
Inventor： ABELE NICOLAS , ANCEY PASCAL , TALBOT ALEXANDRE , SEGUENI KARIM , BOUCHE GUILLAUME , SKOTNICKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE , CASSET FABRICE
Abstract: The microresonator has a resonant unit (160) made from monocrystalline silicon, and activation electrodes (120, 121) positioned close to the resonant unit. The unit (160) is placed in an opening in a semiconductor layer (110) that covers a substrate (100). The electrodes (120, 121) are formed in the layer and leveled with the opening. The unit (160) is in the shape of mushroom whose leg is fixed on the substrate. An independent claim is also included for a method of fabricating a microresonator.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2881416A1
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：FR0550276
申请日：2005-01-31
Inventor： ABELE NICOLAS , ANCEY PASCAL , TALBOT ALEXANDRE , SEGUENI KARIM , BOUCHE GUILLAUME , SKOTNICKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE , CASSET FABRICE
Abstract: L'invention concerne un microrésonateur comprenant un élément résonant (160) en silicium monocristallin et au moins une électrode d'activation (120, 121) placée à proximité de l'élément résonant, dans lequel l'élément résonant est placé dans une ouverture d'une couche semiconductrice (110) recouvrant un substrat (100), l'électrode d'activation étant formée dans la couche semiconductrice et affleurant au niveau de l'ouverture.
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公开(公告)号：FR3018389A1
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：FR1451833
申请日：2014-03-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： TRIOUX EMILIE , ANCEY PASCAL , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , BASROUR SKANDAR , MURALT PAUL
IPC: H01L21/203 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/27
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de lamelles bistables (13) de courbures différentes, chaque lamelle comprenant plusieurs portions de couches de matériaux (15, 17, 19, 21), dans lequel au moins une portion de couche particulière est déposée par un procédé de pulvérisation sous plasma dans des conditions différentes pour chacune des lamelles.
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公开(公告)号：FR3009907A1
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：FR1358072
申请日：2013-08-20
Inventor： MONFRAY STEPHANE , MAITRE CHRISTOPHE , KOKSHAGINA OLGA , SKOTNICKI THOMAS , SOUPREMANIEN ULRICH
Abstract: L'invention concerne un dispositif (400) de conversion d'énergie, comprenant une enceinte (430) contenant des gouttes d'un liquide (427) et un transducteur capacitif à électret (417, 419, 421) couplé à cette enceinte.
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公开(公告)号：FR2977983B1
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：FR1156280
申请日：2011-07-11
Inventor： SAVELLI GUILLAUME , CORONEL PHILIPPE , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L35/02
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公开(公告)号：FR2951874B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：FR0957493
申请日：2009-10-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L37/00 , H01L23/427
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