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公开(公告)号:FR2989518A1
公开(公告)日:2013-10-18
申请号:FR1253424
申请日:2012-04-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: ROY FRANCOIS , BROUSSOUS LUCILE , MICHELOT JULIEN , ODDOU JEAN-PIERRE
IPC: H01L27/146 , H01L21/463
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes successives suivantes : former des colonnes (38) en un matériau semiconducteur ; former un ou plusieurs pixels à une première extrémité de chacune des colonnes (38) ; et déformer la structure de telle sorte que les deuxièmes extrémités de chacune des colonnes se rapprochent ou s'écartent pour former une surface en forme de calotte polyédrique.
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公开(公告)号:FR3073319A1
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:FR1760543
申请日:2017-11-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ARNAUD FRANCK , GALPIN DAVID , ZOLL STEPHANE , HINSINGER OLIVIER , FAVENNEC LAURENT , ODDOU JEAN-PIERRE , BROUSSOUS LUCILE , BOIVIN PHILIPPE , WEBER OLIVIER , BRUN PHILIPPE , MORIN PIERRE
IPC: H01L21/822 , G11C13/02
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comportant des points mémoire à matériau à changement de phase (134) et des transistors (110, 112), comprenant : a) former les transistors et des premiers et deuxièmes vias (120B, 120A) s'étendant depuis des bornes (122A, 122B) des transistors et atteignant une même hauteur ; b) former un premier niveau de métal comprenant des premières pistes d'interconnexion (202) en contact avec les premiers vias (120B) ; c) former des éléments de chauffage (132) des matériaux à changement de phase sur les deuxièmes vias (120A) ; d) former les matériaux à changement de phase (134) sur les éléments de chauffage (132) ; et e) former un deuxième niveau de métal comprenant des deuxièmes pistes d'interconnexion et situé au-dessus des matériaux à changement de phase, et former des troisièmes vias (204) s'étendant des matériaux à changement de phase jusqu'aux deuxièmes pistes.
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