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公开(公告)号：FR2989518A1
公开(公告)日：2013-10-18
申请号：FR1253424
申请日：2012-04-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： ROY FRANCOIS , BROUSSOUS LUCILE , MICHELOT JULIEN , ODDOU JEAN-PIERRE
IPC: H01L27/146 , H01L21/463
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes successives suivantes : former des colonnes (38) en un matériau semiconducteur ; former un ou plusieurs pixels à une première extrémité de chacune des colonnes (38) ; et déformer la structure de telle sorte que les deuxièmes extrémités de chacune des colonnes se rapprochent ou s'écartent pour former une surface en forme de calotte polyédrique.
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公开(公告)号：FR2969820B1
公开(公告)日：2013-09-20
申请号：FR1061139
申请日：2010-12-23
Inventor： AUMONT CHRISTOPHE , ODDOU JEAN-PIERRE , VAILLANT JEROME , GROS D AILLON PATRICK
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：FR2969820A1
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：FR1061139
申请日：2010-12-23
Inventor： AUMONT CHRISTOPHE , ODDOU JEAN-PIERRE , VAILLANT JEROME , GROS D AILLON PATRICK
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image éclairé par la face avant, comprenant des régions de photodétection (32), des éléments de transfert de charges (34) et un empilement d'interconnexion (L1, ..., L8) formés en surface d'un substrat semiconducteur (30), des microcavités étant formées dans l'empilement d'interconnexion en regard des régions de photodétection, les microcavités étant remplies de matériaux (48) formant filtres colorés comprenant des pigments métalliques, des régions (46) en un matériau formant barrière à la diffusion ionique s étendant sur les parois latérales des microcavités.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3009433A1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：FR1357669
申请日：2013-08-01
IPC: H01L27/146 , H01L31/02
Abstract: Le circuit intégré comprend un capteur d'images à illumination face arrière (CPT), comportant un substrat (SB) possédant une zone incorporant au moins un pixel (PXi), une partie d'interconnexion (2) située au dessus d'une face avant (FAV) du substrat, au moins une couche d'antiréflexion (4) située au-dessus d'une face arrière (FAR) de ladite zone du substrat. La couche d'antiréflexion (4) est une couche comportant du nitrure de silicium, et le capteur comprend en outre une couche supplémentaire (7) située au dessus de la couche d'antiréflexion (4) et comportant au moins une partie inférieure (70) contenant du nitrure de silicium amorphe ou du nitrure de silicium amorphe hydrogéné, dont le rapport du nombre d'atomes de silicium par centimètre cube sur le nombre d'atomes d'azote par centimètre cube est supérieur à 0,7.
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公开(公告)号：FR3073319A1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：FR1760543
申请日：2017-11-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： ARNAUD FRANCK , GALPIN DAVID , ZOLL STEPHANE , HINSINGER OLIVIER , FAVENNEC LAURENT , ODDOU JEAN-PIERRE , BROUSSOUS LUCILE , BOIVIN PHILIPPE , WEBER OLIVIER , BRUN PHILIPPE , MORIN PIERRE
IPC: H01L21/822 , G11C13/02
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comportant des points mémoire à matériau à changement de phase (134) et des transistors (110, 112), comprenant : a) former les transistors et des premiers et deuxièmes vias (120B, 120A) s'étendant depuis des bornes (122A, 122B) des transistors et atteignant une même hauteur ; b) former un premier niveau de métal comprenant des premières pistes d'interconnexion (202) en contact avec les premiers vias (120B) ; c) former des éléments de chauffage (132) des matériaux à changement de phase sur les deuxièmes vias (120A) ; d) former les matériaux à changement de phase (134) sur les éléments de chauffage (132) ; et e) former un deuxième niveau de métal comprenant des deuxièmes pistes d'interconnexion et situé au-dessus des matériaux à changement de phase, et former des troisièmes vias (204) s'étendant des matériaux à changement de phase jusqu'aux deuxièmes pistes.
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公开(公告)号：FR2990294A1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：FR1254125
申请日：2012-05-04
Inventor： ODDOU JEAN-PIERRE , ROY FRANCOIS , GROS D AILLON PATRICK , AUMONT CHRISTOPHE , CARRERE JEAN-PIERRE
IPC: H01L21/30 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce de circuit intégré comportant des niveaux d'interconnexion (19) séparés par des couches isolantes contenant de l'hydrogène, comprenant les étapes consistant à a) revêtir le dernier niveau d'interconnexion d'au moins une couche isolante supérieure (23, 40) ; b) réaliser un niveau supérieur d'aluminium (45) au-dessus du dernier niveau d'interconnexion ; le procédé comprenant, entre les étapes a) et b), une étape de recuit en présence d'hydrogène.
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公开(公告)号：FR3032557A1
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：FR1551035
申请日：2015-02-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： CROCHERIE AXEL , ODDOU JEAN-PIERRE , ALLEGRET-MARET STEPHANE , LEININGER HUGUES
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'images couleur comprenant un réseau de pixels (7A, 7B) formés dans une couche semiconductrice (1) dont une face arrière est destinée à recevoir un éclairement ; des murs conducteurs isolés (27) pénétrant dans la couche semiconductrice à partir de sa face arrière et séparant les pixels les uns des autres ; et en regard de chaque pixel, un filtre couleur (39A, 39B) pénétrant dans 5 à 30 % de l'épaisseur de la couche semiconductrice à partir de sa face arrière et occupant au moins 90 % de la surface délimitée par les murs, une couche électriquement conductrice (23, 25) s'étendant de la paroi latérale du filtre jusqu'aux murs.
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