公开(公告)号：FR3022071A1

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：FR1455085

申请日：2014-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHEVALIER PASCAL ,  LEVERD FRANCOIS ,  JENNY CECILE

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/027 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/48

Abstract: Circuit intégré, réalisé dans un nœud technologique inférieur à 90 nm, comprenant au moins une première zone active (21, 22, 30, 33, 34), une deuxième zone active (20), au moins un premier contact métallique (83) sur ladite au moins une première zone active, au moins un deuxième contact métallique (93) sur ladite au moins une deuxième zone active ayant une section transversale au moins deux fois plus grande que celle dudit au moins un premier contact.

公开(公告)号：FR2907259A1

公开(公告)日：2008-04-18

申请号：FR0609038

申请日：2006-10-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUMAS LAURIN ,  JENNY CECILE ,  CAUBET PIERRE

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

Abstract: On réalise une barrière métallique au dessus d'une portion métallique d'un produit semiconducteur, en formant (41) une couche métallique à la surface de la portion métallique, cette couche métallique comprenant un matériau métallique à base de cobalt. Puis, éventuellement après une étape (42 de désoxydation, on réalise une étape (43) de siliciuration et une étape (44) de nitruration du matériau métallique à base de cobalt de la couche métallique. Les propriétés de blocage des atomes de cuivre (par exemple) et de résistance à l'oxydation de la barrière métallique sont améliorées.