公开(公告)号：FR3022071A1

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：FR1455085

申请日：2014-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHEVALIER PASCAL ,  LEVERD FRANCOIS ,  JENNY CECILE

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/027 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/48

Abstract: Circuit intégré, réalisé dans un nœud technologique inférieur à 90 nm, comprenant au moins une première zone active (21, 22, 30, 33, 34), une deuxième zone active (20), au moins un premier contact métallique (83) sur ladite au moins une première zone active, au moins un deuxième contact métallique (93) sur ladite au moins une deuxième zone active ayant une section transversale au moins deux fois plus grande que celle dudit au moins un premier contact.

公开(公告)号：FR2975825A1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：FR1154599

申请日：2011-05-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/3065 ,  G03F7/00 ,  H01S3/05 ,  H03H3/02

Abstract: Procédé d'obtention d'une couche d'un matériau (CM) d'épaisseur contrôlée (e0) sur un support (P), comprenant : - une formation sur ledit support (P) d'une couche initiale dudit matériau (CM), - une formation sur la couche initiale (CM) d'une couche de résine photosensible progressive (RES), - une insolation de zones de la résine (Z1-Z5), avec des doses d'insolation propres à chaque zone, - une révélation de la résine insolée, - une gravure de la couche de résine insolée (RES) et de la couche initiale (CM), chaque dose d'insolation dans une zone (Z1-Z5) étant déterminée en fonction de la sélectivité de la gravure, de l'épaisseur de la couche initiale et de l'épaisseur désirée (e0) de la couche de matériau dans ladite zone (Z1-Z5).

公开(公告)号：FR2954587B1

公开(公告)日：2012-07-20

申请号：FR0957950

申请日：2009-11-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768

公开(公告)号：FR2954587A1

公开(公告)日：2011-06-24

申请号：FR0957950

申请日：2009-11-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images éclairé par la face arrière, comprenant les étapes suivantes : (a) former, dans et sur une couche de silicium (14) de type SOI, des composants de capture et de transfert de porteurs photo-générés (24, 26, 27) et des régions d'isolement (28) ; (b) former un empilement de niveaux d'interconnexion (16) sur la couche de silicium (14) et fixer, sur l'empilement d'interconnexion, une poignée semiconductrice (22) ; (c) éliminer le support semiconducteur (10) ; (d) former, dans la couche isolante (12) et la couche de silicium (14), des tranchées (42, 44) atteignant les régions d'isolement ; (e) déposer une couche de silicium amorphe fortement dopée (46) sur les parois et le fond des tranchées et faire cristalliser ladite couche de silicium amorphe (48) ; et (f) remplir les tranchées d'un matériau réfléchissant (50).

公开(公告)号：FR2979478A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157707

申请日：2011-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  TOURNIER ARNAUD ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/3065

Abstract: Un procédé de réalisation d'une tranchée profonde dans un substrat comprend une succession de cycles élémentaires de gravure gravant chacun une portion de la tranchée. Chaque cycle élémentaire comprend : ▪ un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; ▪ une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents, ladite gravure : o étant réalisée dans une atmosphère comprenant une espèce passivante ; et o comprenant au moins une première séquence de gravure suivie d'une deuxième séquence de gravure de puissance inférieure à puissance de la première séquence de gravure.

公开(公告)号：FR3076658B1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：FR1850068

申请日：2018-01-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  LEVERD FRANCOIS ,  RISTOIU DELIA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.

公开(公告)号：FR3112894A1

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：FR2007905

申请日：2020-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONNIER DENIS ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/302

Abstract: Le texte concerne un procédé de formation d’une tranchée d’isolation capacitive dans un substrat semi-conducteur, comprenant les étapes successives suivantes :- le creusement d’une tranchée (10) à partir d’une surface principale du substrat (1), ladite tranchée comprenant une portion supérieure (10a) s’élargissant progressivement à partir d’un col (102) en direction d’une portion inférieure (10b) de la tranchée ;- la formation d’un revêtement en un premier matériau électriquement isolant (14) sur les parois de la tranchée ;- le dépôt d’un premier matériau semi-conducteur (15) sur ledit revêtement, ledit dépôt étant interrompu de sorte à ménager un espace libre entre les parois (100, 101) de la tranchée, ledit espace libre présentant une ouverture (150) au niveau du col (102) ;- le dépôt d’un second matériau électriquement isolant (16) dans la tranchée, ledit dépôt résultant en la formation d’un bouchon (160) obturant ladite ouverture (150) pour former une cavité (17) fermée ;- la gravure du bouchon (16) de sorte à ouvrir la cavité (17) ;- le dépôt d’un second matériau semi-conducteur ou d’un métal de sorte à remplir la cavité (17). Figure pour l’abrégé : Fig 2I

公开(公告)号：FR2984594A1

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：FR1162070

申请日：2011-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/302

Abstract: Un procédé de réalisation d'une tranchée (36, 40) dans un substrat semi-conducteur (32), comprenant le dépôt sur le substrat (32) d'un masque de gravure (30) ayant une ouverture d'accès (34) à celui-ci, la gravure ionique de ladite tranchée (36, 40) au travers de ladite ouverture (34), et le dopage des parois (44) de la tranchée (36, 40). La gravure ionique comporte une première phase dont la puissance de gravure est réglée pour graver le substrat (32) sous le masque de gravure (30), et une seconde phase de puissance de gravure inférieure à la puissance de la première phase. En outre, le dopage des parois (44) de la tranchée (36, 40) est appliqué au travers de l'ouverture du masque de gravure.

公开(公告)号：FR3076658A1

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：FR1850068

申请日：2018-01-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  LEVERD FRANCOIS ,  RISTOIU DELIA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.

公开(公告)号：FR2976119A1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1154895

申请日：2011-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  LEVERD FRANCOIS ,  PRIMA JENS

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/14

Abstract: Dispositif intégré d'imagerie à illumination face arrière, et procédé de fabrication correspondant, caractérisé en ce qu'il comprend un empilement diélectrique (ISO) comportant une couche supérieure de dioxyde de silicium (OXS), une couche intermédiaire de nitrure de silicium (NI) et une couche inférieure de dioxyde de silicium (OXI), et une couche de silicium (SIS) au dessus de l'empilement diélectrique et ayant une face avant (F1), ledit dispositif comprenant au moins une tranchée d'isolation (TIS) s'étendant depuis la face avant (F1) jusque dans la couche intermédiaire de nitrure de silicium (NI).