-
公开(公告)号：FR2973566A1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：FR1152821
申请日：2011-04-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： DUTARTRE DIDIER , CAMPIDELLI YVES , PELLISSIER-TANON DENIS , LOUBET NICOLAS
IPC: H01L21/8232 , H01L21/205
Abstract: Procédé comprenant : (a) une épitaxie d'une couche d'un matériau semi-conducteur sur une structure semi-conductrice monocristalline (S,D) et sur une structure semi-conductrice polycristalline (G), (b) une gravure de ladite couche épitaxiée de manière à conserver une épaisseur non nulle dudit matériau sur la structure monocristalline (S,D) et une épaisseur nulle sur la structure polycristalline (G), (c) au moins une répétition de l'étape (a) avec le même matériau ou un matériau différent, lesdites structures monocristallines (S,D) et polycristallines (G) étant respectivement celles obtenues à l'issue de l'étape (b) précédente, et au moins une répétition de l'étape (b), jusqu'à obtenir une épaisseur désirée (EE) pour l'empilement de couches épitaxiées sur ladite structure monocristalline (S,D).
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2981502A1
公开(公告)日：2013-04-19
申请号：FR1159404
申请日：2011-10-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L21/76
Abstract: Procédé de réalisation d'au moins une tranchée d'isolation profonde (TI1, TI2, TI3) au sein d'un support semi-conducteur (SC) comprenant du silicium et ayant une face avant (F), ledit procédé comprenant : - une formation d'au moins une cavité (CV) dans le support semi-conducteur à partir de la face avant, - un dépôt conforme d'atomes dopants (SD1, SD2, SD3) sur les parois de la cavité, - une formation au voisinage des parois de la cavité d'une région de silicium dopé à partir desdits atomes dopants, - un remplissage de la cavité par un matériau de comblement de manière à former ladite au moins une tranchée d'isolation profonde.
-
公开(公告)号：FR3078826A1
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：FR1851988
申请日：2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BAUDOT CHARLES , CREMER SEBASTIEN , VULLIET NATHALIE , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode verticale comprenant une zone active (30) dont toutes les prises de contact (44, 48 ; 46, 50) sont décalées de l'aplomb de la zone active.
-
公开(公告)号：FR3078827B1
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：FR1851989
申请日：2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BAUDOT CHARLES , VULLIET NATHALIE , CREMER SEBASTIEN , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant une zone active, la zone active comprenant au moins une première région (82) en germanium dans une première couche (44) de silicium, la première région en germanium ayant, dans des coupes selon des plans orthogonaux au plan de la première couche, uniquement deux côtés en contact avec la première couche.
-
公开(公告)号：FR3078826B1
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：FR1851988
申请日：2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BAUDOT CHARLES , CREMER SEBASTIEN , VULLIET NATHALIE , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode verticale comprenant une zone active (30) dont toutes les prises de contact (44, 48 ; 46, 50) sont décalées de l'aplomb de la zone active.
-
公开(公告)号：FR3078827A1
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：FR1851989
申请日：2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BAUDOT CHARLES , VULLIET NATHALIE , CREMER SEBASTIEN , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant une zone active, la zone active comprenant au moins une première région (82) en germanium dans une première couche (44) de silicium, la première région en germanium ayant, dans des coupes selon des plans orthogonaux au plan de la première couche, uniquement deux côtés en contact avec la première couche.
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.03 seconds)
