公开(公告)号：FR2796204B1

公开(公告)日：2003-08-08

申请号：FR9909038

申请日：1999-07-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ALIEU JEROME ,  ARNAUD FRANCK ,  HAOND MICHEL

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

公开(公告)号：FR3013505A1

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：FR1361411

申请日：2013-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  UNIV TWENTE

Inventor： CATHELIN ANDREIA ,  NAUTA BRAM ,  LETUAL STEPHANE ,  ARNAUD FRANCK

IPC: H01L27/092 ,  H03M1/12

Abstract: Procédé de conversion d'un signal analogique en un signal numérique, comprenant la fourniture d'une chaîne d'inverseurs "silicium sur isolant", par exemple totalement déserté à substrat ultramince et oxyde enterré, dont les entrées d'inverseurs sont mutuellement connectées, l'application d'au moins une différence de tension de polarisation sur au moins un caisson semiconducteur (WA, WB) situé sous une couche isolante enterrée située sous ladite chaîne d'inverseurs de telle manière que le premier inverseur (INVi) de la chaîne ait la tension de seuil d'inversion la plus basse et que le dernier inverseur (INVn) de la chaîne ait la tension de seuil d'inversion la plus élevée, chaque inverseur ayant une tension de seuil d'inversion supérieure à la tension de seuil d'inversion de l'inverseur précédent dans la chaîne, la fourniture dudit signal analogique sur toutes les entrées d'inverseur, et l'obtention dudit signal numérique à partir des signaux de sortie des inverseurs.

公开(公告)号：FR2796204A1

公开(公告)日：2001-01-12

申请号：FR9909038

申请日：1999-07-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ALIEU JEROME ,  ARNAUD FRANCK ,  HAOND MICHEL

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

Abstract: Third- (16) and fourth- (17) pockets of dopant of P or N , are implanted in the channel (9) close to the drain and source regions. Their volume is less than that of the first- (14) and second- (15) pockets, such that the channel (9) has a growing dopant concentration profile of the N /N or P /P type, near the drain and source regions.