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    1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2883432B1

    公开(公告)日：2008-02-22

    申请号：FR0502706

    申请日：2005-03-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CARPENTIER JEAN FRANCOIS

    IPC: H03H9/46 ,  H03H9/02

    Abstract: The filter has two primary two-port networks (61, 62), in which the network (61) has an inductor (15) whose electrodes are respectively connected one of electrodes of a varactor and an input of the filter. The network (61) has a secondary two-port network (10) with four bulk acoustic wave (BAW) resonators, and another inductor (16) whose electrodes are respectively connected to outputs of the secondary network. Electrodes of the resonators are respectively connected to inputs and outputs of the secondary network.

    CIRCUIT DE FILTRAGE COMPORTANT DES RESONATEURS BAW COUPLES ET AUTORISANT UNE ADAPTATION D'IMPEDANCE
    4.
    发明专利
    CIRCUIT DE FILTRAGE COMPORTANT DES RESONATEURS BAW COUPLES ET AUTORISANT UNE ADAPTATION D'IMPEDANCE 未知

    公开(公告)号：FR2939986A1

    公开(公告)日：2010-06-18

    申请号：FR0806971

    申请日：2008-12-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CARPENTIER JEAN FRANCOIS ,  BAR PIERRE ,  VOLATIER ALEXANDRE

    IPC: H03H9/54 ,  H01L41/083 ,  H01L41/24 ,  H03H7/38

    Abstract: 1. Circuit de filtrage à résonateurs couplés comportant : - un substrat (100) ; - un miroir acoustique (101) ou une membrane destinés à servir de support mécanique à des résonateurs acoustiques et isoler ces résonateurs du substrat ; - une première section (GAUCHE) comportant un résonateur supérieur (120) et un résonateur inférieur (110) couplés l'un à l'autre au moyen d'au moins une couche de couplage acoustique (130), lesdits résonateurs supérieur et inférieur constitutant une première section (A1) ; - une seconde section (DROITE) comportant un résonateur supérieur (220) et un résonateur inférieur (210) couplés l'un à l'autre au moyen d'au moins une couche de couplage acoustique (130), lesdits résonateur supérieur et inférieur de ladite seconde section constituant une seconde section (A2) ; Caractérisé en ce qu'il comporte des vias métalliques réalisant une connexion inter étage entre le résonateur inférieur d'une section et le résonateur supérieur de l'autre section. De préférence, lesdits résonateurs supérieurs présentent une couche piézo-électrique ayant une épaisseur choisie de manière à réaliser une adaptation d'impédance optimale entre lesdites premières et secondes sections.

    CIRCUIT DE FILTRAGE ACCORDABLE EN FREQUENCE INTEGRABLE, COMPORTANT UN JEU DE RESONATEURS BAW
    6.
    发明专利
    CIRCUIT DE FILTRAGE ACCORDABLE EN FREQUENCE INTEGRABLE, COMPORTANT UN JEU DE RESONATEURS BAW 未知

    公开(公告)号：FR2883432A1

    公开(公告)日：2006-09-22

    申请号：FR0502706

    申请日：2005-03-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CARPENTIER JEAN FRANCOIS

    IPC: H03H9/46 ,  H03H9/02

    Abstract: Un circuit de filtrage accordable en fréquence présentant des entrées IN1-IN2 et des sorties OUT1-OUT2, comportant au moins un quadripôle primaire (61), comportant en cascade :- un premier varactor (17) disposant d'une première électrode connectée à IN1 et d'une seconde électrode ;- une première inductance (15) connectée entre la seconde électrode du varactor (17) et l'entrée IN2,- un quadripôle secondaire (10) comportant quatre résonateurs BAW (11, 12, 13, 14). Les résonateurs 11 et 12 ont une première électrode connectée à l'entrée 1 du quadripôle secondaire et une seconde électrode respectivement connectée aux sorties 1 et 2 de ce même quadripôle. De la même manière , les résonateurs 13 et 14 ont une première électrode connectée à l'entrée 2 du quadripôle seconde et une seconde électrode respectivement connectée aux sorties 2 et 1 de ce même quadripôle secondaire. Le circuit comporte en outre une seconde inductance (16) connectée en parallèle sur les sortie 1 et 2 du quadripôle secondaire (10) et un second varactor disposant d'une première électrode connectée à la première sortie quadripôle secondaire et d'une seconde électrode permettant la connexion d'un second quadripôle primaire de même structure. Cela permet de réaliser un circuit de filtrage accordable particulièrement efficace avec seulement quatre inductances.

    CIRCUIT DE FILTRAGE PASSE-BANDE DOTE DE RESONATEURS ACOUSTIQUES
    8.
    发明专利
    CIRCUIT DE FILTRAGE PASSE-BANDE DOTE DE RESONATEURS ACOUSTIQUES 未知

    公开(公告)号：FR2888060A1

    公开(公告)日：2007-01-05

    申请号：FR0507037

    申请日：2005-07-01

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CARPENTIER JEAN FRANCOIS ,  TILHAC CYRILLE

    IPC: H03H9/46 ,  H03H9/02

    Abstract: Un circuit de filtrage passe-bande basé sur un quadripôle comportant :- une branche série comportant un premier résonateur acoustique (120) présentant une fréquence de résonance et une fréquence d'antirésonance et monté en série avec un premier condensateur (110) ;- une branche parallèle comportant un second résonateur acoustique (130) résultant du même procédé de fabrication que ledit premier résonateur et monté en parallèle avec un second condensateur (140) de valeur identique audit premier condensateur (110).Le circuit de filtrage est particulièrement adapté à la réalisation de circuit de filtrage intégrés pour la téléphonie mobile.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2867610A1

    公开(公告)日：2005-09-16

    申请号：FR0450483

    申请日：2004-03-10

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： SAUTREUIL BERNARD ,  MARTY MICHEL ,  BONNOUVRIER JEROME ,  CARPENTIER JEAN FRANCOIS

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L27/08 ,  H01L29/92 ,  H01L29/93

    Abstract: The integral condenser, formed in the upper part of a semiconductor substrate (20) comprising at least one lightly-doped type N semiconductor layer (24) with its upper surface having a highly-doped type P region (35) bounded by an insulation zone (34), has one contact in the form of a metal layer (44) buried immediately beneath the type N semiconductor layer, and at least one vertical metal contact passing through the semiconductor layer as far as the metal layer and reaching the surface of the semiconductor layer outside the type P region. The metal layer and contact are of the same metal, selected from the group comprising tungsten, titanium nitrate, titanium, copper and their alloys. An independent claim is also included for the condenser fabrication process.

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