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    PROCEDE DE REALISATION DE CELLULES MEMOIRES DU TYPE A PROGRAMMATION UNIQUE COMPORTANT DES CONDENSATEURS MOS ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT
    2.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION DE CELLULES MEMOIRES DU TYPE A PROGRAMMATION UNIQUE COMPORTANT DES CONDENSATEURS MOS ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR3036530A1

    公开(公告)日：2016-11-25

    申请号：FR1554457

    申请日：2015-05-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： DENORME STEPHANE ,  CANDELIER PHILIPPE

    IPC: G11C17/16

    Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat (10) du type silicium sur isolant possédant un film semiconducteur (20n,p) situé au-dessus d'une couche isolante enterrée (30), au moins une cellule mémoire du type à programmation unique comportant un condensateur MOS (C) possédant une première région d'électrode (E1) incluant une région de grille (G) au moins partiellement siliciurée (ZSE1) et flanquée d'une région latérale isolante (CI1, CI2, CI4 et CI5), une couche diélectrique (OX) située entre la région de grille (G) et le film semiconducteur (20n et 20p), et une deuxième région d'électrode (E2) incluant une zone siliciurée (ZSE2) du film semiconducteur située à côté de ladite région latérale isolante (CI1, CI2, CI4 et CI5), et s's'étendant au moins partiellement sous la couche diélectrique (OX).

    SUBSTRAT HYBRIDE A ISOLATION AMELIOREE ET PROCEDE DE REALISATION SIMPLIFIE D'UN SUBSTRAT HYBRIDE
    3.
    发明专利
    SUBSTRAT HYBRIDE A ISOLATION AMELIOREE ET PROCEDE DE REALISATION SIMPLIFIE D'UN SUBSTRAT HYBRIDE 未知

    公开(公告)号：FR2954584A1

    公开(公告)日：2011-06-24

    申请号：FR0906233

    申请日：2009-12-22

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  DENORME STEPHANE ,  CORONEL PHILIPPE

    IPC: H01L21/762 ,  H01L23/12

    Abstract: Un substrat hybride comporte des première (1) et seconde (3) zones actives en matériaux semi-conducteur décalées latéralement et séparées par une zone d'isolation (5). Les surfaces principales de la zone d'isolation (5) et de la première zone active (1) forment un plan. Le substrat hybride est obtenu à partir d'un substrat souche comportant successivement des couches en premier (2) et second (4) matériaux semi-conducteurs séparées par une couche d'isolation (6). Un unique masque de gravure est utilisé pour structurer la zone d'isolation (5), la première zone active (1) et la seconde zone active (3). La surface principale de la première zone active (1) est libérée formant ainsi des zones vides dans le substrat souche. Le masque de gravure est éliminé au dessus de la première zone active (1). Un premier matériau d'isolation est déposé, aplani et gravé jusqu'à libérer la surface principale de la première zone active (1).

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