公开(公告)号：FR2929774A1

公开(公告)日：2009-10-09

申请号：FR0852316

申请日：2008-04-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： CARUYER GREGORY ,  SEGUENI KARIM ,  ANCEY PASCAL ,  DUBUS BERTRAND

IPC: H03H3/007 ,  H03H9/24

Abstract: L'invention concerne un dispositif de résonance micro électromécanique (MEMS) comprenant :un substrat,une électrode d'entrée (EE), reliée à une source de courant alternatif de fréquence d'entrée (fi),une électrode de sortie (ES),au moins une structure d'ancrage, liée au substrat, etune structure vibratile, reliée à une structure d'ancrage par au moins une jonction, possédant une fréquence propre (fp) de résonance acoustique, et dont la vibration sous l'effet de l'électrode d'entrée (EE) lorsqu'elle est alimentée génère sur l'électrode de sortie (ES) un courant alternatif dont la fréquence de sortie est égale à la fréquence propre (fp),caractérisé en ce que la structure vibratile et/ou la structure d'ancrage comprennent une structure périodique, ladite structure périodique comprenant au moins des première (M1) et deuxième (M2) zones différentes l'une de l'autre, correspondant respectivement à des première et deuxième propriétés de propagation acoustique.

公开(公告)号：FR2881416B1

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：FR0550276

申请日：2005-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ABELE NICOLAS ,  ANCEY PASCAL ,  TALBOT ALEXANDRE ,  SEGUENI KARIM ,  BOUCHE GUILLAUME ,  SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE ,  CASSET FABRICE

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/007

Abstract: The microresonator has a resonant unit (160) made from monocrystalline silicon, and activation electrodes (120, 121) positioned close to the resonant unit. The unit (160) is placed in an opening in a semiconductor layer (110) that covers a substrate (100). The electrodes (120, 121) are formed in the layer and leveled with the opening. The unit (160) is in the shape of mushroom whose leg is fixed on the substrate. An independent claim is also included for a method of fabricating a microresonator.

公开(公告)号：FR2881416A1

公开(公告)日：2006-08-04

申请号：FR0550276

申请日：2005-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ABELE NICOLAS ,  ANCEY PASCAL ,  TALBOT ALEXANDRE ,  SEGUENI KARIM ,  BOUCHE GUILLAUME ,  SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE ,  CASSET FABRICE

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/007

Abstract: L'invention concerne un microrésonateur comprenant un élément résonant (160) en silicium monocristallin et au moins une électrode d'activation (120, 121) placée à proximité de l'élément résonant, dans lequel l'élément résonant est placé dans une ouverture d'une couche semiconductrice (110) recouvrant un substrat (100), l'électrode d'activation étant formée dans la couche semiconductrice et affleurant au niveau de l'ouverture.

公开(公告)号：FR2883560A1

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：FR0502942

申请日：2005-03-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CASSET FABRICE ,  SEGUENI KARIM ,  DE GRAVE ARNAUD ,  ABELE NICOLAS

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01P15/00 ,  H03H9/02

Abstract: Un microsystème électromécanique comprend une poutre (1) et une électrode (10) couplée par une interaction électrostatique avec la poutre. La poutre est adaptée pour subir des déformations élastiques par flexion et possède un motif de section sensiblement constant. La poutre (1) est constituée de plusieurs pans (P1-P4) s'étendant sur la longueur de la poutre (L), et ayant chacun une épaisseur inférieure à une dimension extérieure du motif de section (w, t). Une fréquence de vibration par flexion de la poutre est alors accrue par rapport à une poutre pleine de mêmes dimensions extérieures. Un tel microsystème est adapté pour des applications à durées de transition très courtes, ou pour réaliser des oscillateurs et des résonateurs à haute fréquence.

公开(公告)号：FR2929774B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：FR0852316

申请日：2008-04-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： CARUYER GREGORY ,  SEGUENI KARIM ,  ANCEY PASCAL ,  DUBUS BERTRAND

IPC: H03H3/007 ,  H03H9/24

公开(公告)号：FR2857952B1

公开(公告)日：2005-12-16

申请号：FR0309106

申请日：2003-07-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  ANCEY PASCAL ,  SKOTNICKI THOMAS ,  SEGUENI KARIM

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/24 ,  H03H3/007

Abstract: The resonator has a monocrystalline silicon substrate provided with an active zone surrounded by a shallow trench isolation region (STI). A vibrating beam is anchored on the region by one of free ends (14, 16) and comprises a monocrystalline silicon median part (12). A control electrode (E) is placed above the beam and is supported on the active zone. The median part is separated from the active zone and the electrode. An independent claim is also included for a method of manufacturing an electromechanical resonator.

公开(公告)号：FR2857952A1

公开(公告)日：2005-01-28

申请号：FR0309106

申请日：2003-07-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  ANCEY PASCAL ,  SKOTNICKI THOMAS ,  SEGUENI KARIM

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/24 ,  H03H3/007

Abstract: The resonator has a monocrystalline silicon substrate provided with an active zone surrounded by a shallow trench isolation region (STI). A vibrating beam is anchored on the region by one of free ends (14, 16) and comprises a monocrystalline silicon median part (12). A control electrode (E) is placed above the beam and is supported on the active zone. The median part is separated from the active zone and the electrode. An independent claim is also included for a method of manufacturing an electromechanical resonator.