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公开(公告)号：FR2995725A1
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：FR1258768
申请日：2012-09-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： ROY FRANCOIS , HERAULT DIDIER
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'un pixel (100) comportant au moins une photodiode (101) reliée à un point de lecture (SENSE) par l'intermédiaire d'un transistor MOS (103), dans lequel une information représentative du potentiel du point de lecture (SENSE) est lue pendant une première période de fermeture du transistor.
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公开(公告)号：FR3062519B1
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：FR1750769
申请日：2017-01-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： HERAULT DIDIER , MALINGE PIERRE
IPC: H01L27/146 , H04N5/355
Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comportant une pluralité de pixels (100) comportant chacun une première photodiode (PPD1) reliée à un noeud capacitif de lecture (SN) par un premier transistor (101), et une deuxième photodiode (PPD2) reliée à un premier noeud capacitif de stockage (ST_M) par un deuxième transistor (107), le premier noeud capacitif (ST_M) étant relié au noeud de lecture (SN) par un troisième transistor (113), et le noeud de lecture (SN) étant relié à un noeud (VRT) d'application d'un potentiel de réinitialisation par un quatrième transistor (105).
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公开(公告)号：FR3062519A1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：FR1750769
申请日：2017-01-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： HERAULT DIDIER , MALINGE PIERRE
IPC: H01L27/146 , H04N5/355
Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comportant une pluralité de pixels (100) comportant chacun une première photodiode (PPD1) reliée à un noeud capacitif de lecture (SN) par un premier transistor (101), et une deuxième photodiode (PPD2) reliée à un premier noeud capacitif de stockage (ST_M) par un deuxième transistor (107), le premier noeud capacitif (ST_M) étant relié au noeud de lecture (SN) par un troisième transistor (113), et le noeud de lecture (SN) étant relié à un noeud (VRT) d'application d'un potentiel de réinitialisation par un quatrième transistor (105).
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公开(公告)号：FR3007578B1
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：FR1355834
申请日：2013-06-20
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , MATERNE ALEX , VIRMONTOIS CEDRIC
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/3745
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公开(公告)号：FR3007578A1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：FR1355834
申请日：2013-06-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , MATERNE ALEX , VIRMONTOIS CEDRIC
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: L'invention concerne un élément (1) de capteur d'image dont la topographie présente, au centre d'une photodiode (PD), une grille de transfert (G1) de forme annulaire définissant une zone centrale à l'intérieur de laquelle sont intégrés des transistors.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2853794A1
公开(公告)日：2004-10-15
申请号：FR0304564
申请日：2003-04-11
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： CAZAUX YVON , HERAULT DIDIER
Abstract: The process involves isolating a photodiode from a reference potential at end of a wait state, by setting a transfer transistor when initialization transistor is blocked, and setting the initialization transistor when transfer transistor is blocked. Voltage of the photodiode is varied from an initialization voltage to a useful voltage during an integration phase. A voltage reading phase represents the useful voltage. An independent claim is also included for a device of controlling a photosensitive cell.
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公开(公告)号：FR3007579B1
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：FR1355835
申请日：2013-06-20
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , VIRMONTOIS CEDRIC , MATERNE ALEX
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/3745
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公开(公告)号：FR2888989B1
公开(公告)日：2008-06-06
申请号：FR0552260
申请日：2005-07-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： CAZAUX YVON , HERAULT DIDIER
IPC: H01L27/146 , H04N5/30
Abstract: An image sensor including a pixel assembly, each pixel including a photodiode and an access transistor connected to a read circuit, the photodiode and the access transistor being formed in and above a first semiconductor substrate, all or part of the read circuit being formed in a second semiconductor substrate, the second substrate being placed above the first substrate and separated therefrom by an intermediary insulating layer covering the access transistor, the photodiode receiving incident photons on its lower surface side opposite to the intermediary insulating layer.
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公开(公告)号：FR3007579A1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：FR1355835
申请日：2013-06-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , VIRMONTOIS CEDRIC , MATERNE ALEX
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/3745
Abstract: L'invention concerne un élément de capteur d'image comportant au moins quatre régions (11, 12, 13, 14) chacune associée en son centre à une grille de transfert (N1), lesdites grilles de transfert étant interconnectées en un noeud unique.
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公开(公告)号：FR2888989A1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：FR0552260
申请日：2005-07-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： CAZAUX YVON , HERAULT DIDIER
IPC: H01L27/146 , H04N5/30
Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant un ensemble de pixels, chaque pixel comprenant une photodiode (103) et un transistor d'accès (104) relié à un circuit de lecture (T1, T2, T3), la photodiode et le transistor d'accès étant formés dans et au-dessus d'un premier substrat semiconducteur (100), tout ou partie du circuit de lecture étant formé dans un second substrat semiconducteur (101), le second substrat étant placé au-dessus du premier substrat et séparé de ce dernier par une couche isolante intermédiaire (102) recouvrant le transistor d'accès, la photodiode recevant des photons incidents arrivant dans le premier substrat semiconducteur du côté de sa face inférieure opposée à ladite couche isolante intermédiaire.
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