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1.发明授权
公开(公告)号：EP1905734B1
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：EP07117116.9
申请日：2007-09-25
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , STMicroelectronics SA
Inventor： Casset, Fabrice , Durand, Cédric , Ancey, Pascal
CPC classification number: B81C1/0065 , B81B2201/0271 , B81B2207/015 , H03H3/0073 , H03H9/1057 , H03H9/2405 , H03H2009/02496
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Patent Agency Ranking2.发明公开Procédé de réalisation d'un composant éléctromécanique sur un substrat plan 有权at at at at at at at at at at at at at at at at at at at at at at at
公开(公告)号：EP1905734A1
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：EP07117116.9
申请日：2007-09-25
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , STMicroelectronics SA
Inventor： Casset, Fabrice , Durand, Cédric , Ancey, Pascal
CPC classification number: B81C1/0065 , B81B2201/0271 , B81B2207/015 , H03H3/0073 , H03H9/1057 , H03H9/2405 , H03H2009/02496
Abstract: Procédé de réalisation d'un composant électromécanique (10) sur un substrat (15) plan et comportant une structure vibrante (22) dans le plan du substrat et des électrodes d'actionnement (23), comportant les étapes de :
- formation du substrat comportant une zone en silicium (16) recouverte en partie par deux zones isolantes (18),
- formation d'une couche sacrificielle en alliage de silicium / germanium par épitaxie sélective à partir de la partie non recouverte de la zone en silicium,
- formation par épitaxie d'une couche (20) en silicium, fortement dopé, comportant une zone monocristalline (20b) disposée sur ladite couche sacrificielle et deux zones polycristallines (20a) disposées sur les zones isolantes,
- formation simultanée de la structure vibrante et des électrodes d'actionnement, par gravure dans la zone monocristalline d'un motif prédéterminé destiné à former des espaces (24) entre les électrodes et la structure vibrante,
- élimination par gravure sélective de ladite couche sacrificielle.Abstract translation: 该方法包括通过来自平面衬底（15）的上表面的未覆盖部分的选择性外延形成基于锗和硅合金的牺牲层。 通过外延形成在牺牲层上具有单晶区的强掺杂硅层（20）和绝缘区（18）上的多晶区。 通过在单晶区域中雕刻形成激活电极（23）和振动结构（22），并且预设图案在电极和结构之间形成空间。 消除牺牲层。
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3.发明公开Film mince magnétique doux à forte aimantation, son procédé d'obtention et circuit intégré correspondant 有权高磁化性能，生产过程的软磁性膜和相应的集成电路
公开(公告)号：EP1622177A1
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：EP05291583.2
申请日：2005-07-25
Applicant: STMicroelectronics SA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： Bouche, Guillaume , Ancey, Pascal , Viala, Bernard , Couderc, Sandrine
CPC classification number: H01F41/301 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/007 , H01F10/136 , H01F10/138 , H01F10/147 , H01F10/3227 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L23/552 , H01L2924/0002 , Y10T428/256 , H01L2924/00
Abstract: L'invention concerne un procédé d'obtention d'un film mince magnétique doux, à forte aimantation et isolant, comprenant une nitruration de nanograins ferromagnétiques riches en Fe immergés dans un substrat amorphe et une oxydation sélective du substrat amorphe.
L'invention concerne également les films minces magnétiques doux à forte aimantation et isolant obtenus par le présent procédé.
L'invention propose également un circuit intégré comprenant un composant utilisant une membrane incorporant un film mince obtenu par le même procédé.Abstract translation: 该方法涉及氮化铁磁性纳米颗粒富含铁浸渍在非晶衬底（SB），并且选择性地氧化该底物。 氮化通过反应阴极或离子溅射下磁场在氮的存在实现。 氧化通过反应性溅射在氧的存在下实现。 氧化和氮化同时进行。 因此独立权利要求被包括用于执行以下操作：（A）薄的软磁性薄膜具有高磁化强度和绝缘性; 和集成电路（B），包括成分利用的膜结合的膜。
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4.发明公开Procédé de formation d'un condensateur variable 有权Verfahren zur Herstellung variabler Kondensatoren
公开(公告)号：EP1760736A1
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：EP06119891.7
申请日：2006-08-31
Applicant: STMICROELECTRONICS SA
Inventor： Bouche, Guillaume , Casset, Fabrice , Ancey, Pascal
CPC classification number: H01G5/16 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49139 , Y10T29/49147 , Y10T29/49165 , Y10T83/0476 , Y10T83/0505 , Y10T83/051 , Y10T83/0577
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un condensateur variable comprenant une bande conductrice recouvrant l'intérieur d'une cavité, et une membrane souple conductrice placée au-dessus de la cavité, la cavité étant réalisée selon les étapes suivantes : former un évidement dans un substrat ; placer un matériau malléable dans l'évidement ; mettre un poinçon en appui sur le substrat au niveau de l'évidement afin de conférer à la partie supérieure du matériau malléable une forme désirée ; durcir le matériau malléable ; et retirer le poinçon.
Abstract translation: 所述方法包括在绝缘基板（1）中形成凹部，并将诸如非网状树脂的可延展材料（20）放置在凹部中。 冲头（30）在凹部的水平位置处被支撑在基底上，以便向可延展材料的上部提供期望的形状。 韧性材料被固化，并且去除冲头以形成空腔，其中腔的一部分具有凹槽的形状。
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5.发明授权Film mince magnétique doux à forte aimantation, son procédé d'obtention et circuit intégré correspondant 有权高磁化性能，生产过程的软磁性膜和相应的集成电路
公开(公告)号：EP1622177B1
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：EP05291583.2
申请日：2005-07-25
Applicant: STMicroelectronics SA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： Bouche, Guillaume , Ancey, Pascal , Viala, Bernard , Couderc, Sandrine
CPC classification number: H01F41/301 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/007 , H01F10/136 , H01F10/138 , H01F10/147 , H01F10/3227 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L23/552 , H01L2924/0002 , Y10T428/256 , H01L2924/00
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公开(公告)号：EP1760736B1
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：EP06119891.7
申请日：2006-08-31
Applicant: STMICROELECTRONICS SA
Inventor： Bouche, Guillaume , Casset, Fabrice , Ancey, Pascal
CPC classification number: H01G5/16 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49139 , Y10T29/49147 , Y10T29/49165 , Y10T83/0476 , Y10T83/0505 , Y10T83/051 , Y10T83/0577
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