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公开(公告)号：CN119013122A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380028544.6
申请日：2023-03-23
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: B24B37/24 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 研磨垫，其具有研磨层、和设置于该研磨层的开口的终点检测窗，在拉伸模式、频率1.6Hz、30～55℃、及浸水状态的条件下进行的动态粘弹性测定中，40℃时的前述终点检测窗的储能模量E’w40与40℃时的前述研磨层的储能模量E’p40之比(E’p40/E’w40)为0.70～3.00。
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公开(公告)号：CN115397614B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202180023262.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 富士纺控股株式会社
Abstract: 提供能够减少抛光浆料向基材层的渗透且能够防止抛光性能降低的抛光单元。本发明的第一方面的抛光单元(10a)具备：具有抛光层(101)及基材层(103)的抛光垫(100a)、以及定盘(150)，其中，基材层(103)的直径小于抛光层(101)的直径且大于定盘(150)的直径。
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公开(公告)号：CN115397614A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180023262.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 富士纺控股株式会社
Abstract: 提供能够减少抛光浆料向基材层的渗透且能够防止抛光性能降低的抛光单元。本发明的第一方面的抛光单元(10a)具备：具有抛光层(101)及基材层(103)的抛光垫(100a)、以及定盘(150)，其中，基材层(103)的直径小于抛光层(101)的直径且大于定盘(150)的直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107073676B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201580051608.X
申请日：2015-09-28
Applicant: 富士纺控股株式会社
Abstract: 提供了一种在对具有变化厚度的被研磨物的表面进行研磨时,可提高研磨精度并可抑制研磨不均的研磨垫。研磨垫(1)是将具有研磨面(9)的上层片材(3)及下层片材(5)至少两片片材贴合而构成的，上层片材的厚度为1.0mm～2.0mm，研磨面(9)的肖氏A硬度为20～90，并且对研磨垫(1)整体使用10mm的压头进行测定时的25％压缩硬度为0.15～0.35MPa。
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公开(公告)号：CN107000173B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201580006144.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 富士纺控股株式会社
Abstract: 一种研磨刷，该研磨刷(4)，其多个离开间隔的突起部(4b)和固定突起部(4b)的支承部(4a)由具有挠性的相同的材料一体地形成，进而突起部(4b)的侧面具有多个开孔，开孔率是10～70％。另外，突起部的高度(h)和该突起部的基部的在截面形状中的外接圆的半径(r)之比(h/r)是1.0～5.0的范围。由此，在研磨被研磨物(1)时，突起部的侧面能与被研磨物(1)压接，由保持在形成于突起部的侧面上的开孔中的料浆进行研磨。没有突起部(4b)的脱落，另外，能在突起部(4b)的侧面中良好地保持料浆地进行研磨。
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公开(公告)号：CN104321370B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201380026114.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: C08J5/14 , B24B37/24 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/4238 , C08G18/44 , C08G18/4825 , C08G18/4854 , C08G18/7671 , C08L75/04 , C08L75/06
Abstract: 一种研磨垫的制造方法，所述研磨垫在膜基材上具有聚氨酯树脂薄膜作为研磨层，该方法包括如下工序：将含有聚氨酯树脂和添加剂的聚氨酯树脂薄膜形成用组合物溶解在所述树脂的可溶性溶剂中的工序；除去不溶成分，使所述溶液中的不溶成分相对于聚氨酯树脂薄膜形成用组合物的总质量小于1质量％的工序；相对于树脂的固体成分质量1g，以通过式1：聚氨酯树脂相对于不良溶剂的凝固值(ml)×A(A＝0.007～0.027)而计算的量(ml)向除去了所述不溶成分的溶液中添加不良溶剂并混合的工序；以及通过湿式凝固法使所述混合溶液在成膜基材上成膜，制作聚氨酯树脂薄膜的工序。通过该方法，提供一种能够进行研磨损伤少的研磨，并且能够形成稳定的膜的抛光用研磨垫的制造方法以及研磨垫。
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公开(公告)号：CN106163741A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580017776.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: B24B37/24 , B24B37/26 , C08G18/00 , C08G18/10 , H01L21/304 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种能够对被研磨物赋予高平坦性、且也能够抑制划痕的产生的研磨垫以及其制造方法。研磨垫在表面具有包含独立气泡和连续气泡的发泡聚氨酯片，所述发泡聚氨酯片以满足以下要件(1)～(3)的方式构成：(1)连续气泡率，即将独立气泡和连续气泡的合计体积设为100体积％时的连续气泡的体积比例为20～80体积％，(2)吸水状态下的损耗系数tanδ与干燥状态下的损耗系数tanδ的比[tanδ(湿/干)比]依照JIS K7244‑4以初期载荷20g、测定频率1Hz、温度26℃、拉伸模式、变形范围0.01～0.1％进行测定时为1.3～1.7，以及(3)肖氏DO硬度依照ASTM D2240测定时为60～80。
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公开(公告)号：CN103597584B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280027498.X
申请日：2012-04-16
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/24 , C08G18/00 , C08G18/65 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/14 , C08G18/4854 , C08G2101/0008 , C08G2101/0083 , C08J9/12 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , C08G18/48 , C08G18/3814
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及其制造方法，研磨垫改善在使用现有的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的刮伤问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅能应对一次研磨而且也能应对抛光研磨。本发明的半导体元件研磨用的研磨垫含有研磨层，研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，并且半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于：聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由式(1)所求出的硬段的含有率(HSC)在26％～34％的范围内，且聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。HSC＝100×(r-1)×(Mdi+Mda)÷(Mg+r×Mdi+(r-1)×Mda)…(1)。
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