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公开(公告)号：CN103165473A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210536283.2
申请日：2012-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76892 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 可以提供一种凸起制造方法。所述凸起制造方法可以包括：在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸起；以及通过在氧气氛下对形成在半导体器件上的凸起进行回流来控制凸起的形状。
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公开(公告)号：CN102315352B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110196557.3
申请日：2011-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，顺序地堆叠在基底上；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通。第一电极层通过填充穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔来电连接到第一半导体层，绝缘层围绕接触孔的内圆周表面以使第一电极层与第二电极层绝缘。
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公开(公告)号：CN103066180A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210397260.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/44 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种发光器件及其制造方法，和使用该发光器件的发光器件模块。该发光器件包括：顺序形成在发光衬底上的第一半导体层、有源层、和第二半导体层；形成在通过去除第一半导体层的一部分而被暴露出来的区域中的第一电极；形成在第二半导体层上的第二电极；形成在第一电极和第二电极上以暴露第一电极的一个区域和第二电极的一个区域的钝化层；形成在第一区域中的第一突块，该第一区域包括经钝化层暴露出来的第一电极并且该第一区域延伸到第二电极的在其上形成有钝化层的另外区域；以及形成在第二区域中的第二突块，该第二区域包括经钝化层暴露出来的第二电极。
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公开(公告)号：CN1268011A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00104778.7
申请日：2000-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金学焕
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F1/30 , H03F1/3247
Abstract: 在无线通信终端中根据温度补偿控制电功率的一种方法。所述无线通信终端有一个存储器,供存储温度变化相应的最高和最低功率的各代码值和发送功率的各加权值。所述方法包括下列步骤:(a)根据基准温度计算相关发送功率下的补偿值;(b)根据基准温度计算相关发送功率下的基本代码值;(c)将补偿值与基本代码值相加求出补偿代码值。
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公开(公告)号：CN106711308B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201610895765.5
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在所述第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包括波长转换材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1154385C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN99126161.5
申请日：1999-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金学焕
IPC: H04Q7/32
CPC classification number: H04B17/13
Abstract: 利用调节信道补偿移动电话中的信道的传输功率偏移的方法包括：偏移值处理过程，用于从非易失性存储器中读出传输AGC电平值并导出对应于基准信道的传输AGC电平值和其余调节信道的传输AGC电平值之间的差值的偏移值；以及补偿值处理过程，用于根据调节信道中分别向上及向下接近当前可利用信道的上与下极限调节信道的偏移值及在当前可利用信道与上及下极限调节信道之间的信道跨距，为分配的可利用信道中当前可利用信道导出补偿值。
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公开(公告)号：CN1115067C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN00104778.7
申请日：2000-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金学焕
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F1/30 , H03F1/3247
Abstract: 在无线通信终端中根据温度补偿控制电功率的一种方法。所述无线通信终端有一个存储器，供存储温度变化相应的最高和最低功率的各代码值和发送功率的各加权值。所述方法包括下列步骤：(a)根据基准温度计算相关发送功率下的补偿值；(b)根据基准温度计算相关发送功率下的基本代码值；(c)将补偿值与基本代码值相加求出补偿代码值。
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公开(公告)号：CN1257392A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99126161.5
申请日：1999-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金学焕
IPC: H04Q7/32
CPC classification number: H04B17/13
Abstract: 利用调节信道补偿移动电话中的信道的传输功率偏移的方法包括:偏移值处理过程,用于从非易失性存储器中读出传输AGC电平值并导出对应于基准信道的传输AGC电平值和其余调节信道的传输AGC电平值之间的差值的偏移值;以及补偿值处理过程,用于根据调节信道中分别向上及向下接近当前可利用信道的上与下极限调节信道的偏移值及在当前可利用信道与上及下极限调节信道之间的信道跨距,为分配的可利用信道中当前可利用信道导出补偿值。
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公开(公告)号：CN103165473B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201210536283.2
申请日：2012-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76892 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 可以提供一种凸起制造方法。所述凸起制造方法可以包括：在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸起；以及通过在氧气氛下对形成在半导体器件上的凸起进行回流来控制凸起的形状。
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公开(公告)号：CN106711308A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610895765.5
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在所述第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包括波长转换材料。
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