公开(公告)号：CN105336632B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510473217.9

申请日：2015-08-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.菲舍尔 ,  A.海因里希 ,  J.马勒 ,  K.勒斯尔 ,  P.施特罗贝尔

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95091 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于将芯片连接到载体的分批工艺。公开用于将芯片连接到芯片载体的方法。在一些实施例中用于将多个芯片连接到芯片载体的方法包含：将第一芯片放置在转移载体上，将第二芯片放置在转移载体上，将带有第一和第二芯片的转移载体放置在芯片载体上，并且在第一芯片和芯片载体与在第二芯片和芯片载体之间形成连接。

公开(公告)号：CN108140628A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058117.2

申请日：2016-10-07

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 胁山悟 ,  清水完 ,  林利彦 ,  中村卓矢 ,  城直树

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：CN107546206A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710475947.1

申请日：2017-06-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松本雅弘 ,  矢岛明 ,  前川和义

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。

公开(公告)号：CN104425055B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410452753.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平塚大祐 ,  井口知洋 ,  内田雅之

IPC: H01B1/22 ,  C09K5/10 ,  H01L23/29

CPC classification number: B23K35/025 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0074 ,  B22F2999/00 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K35/282 ,  B23K35/286 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/32 ,  B23K35/322 ,  B23K35/325 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/362 ,  C22C1/0491 ,  C22C5/06 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29372 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/29376 ,  H01L2224/29378 ,  H01L2224/2938 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01102 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1067 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  B22F1/0022

Abstract: 根据本发明，可提供含有极性溶剂、和分散在上述极性溶剂中且包含第一金属的粒子的金属粒子膏糊。在上述极性溶剂中，溶解有与上述第一金属不同的第二金属。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。

公开(公告)号：CN106887422A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610688826.0

申请日：2016-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林俊成 ,  符策忠

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49894 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838

Abstract: 本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层，并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。

公开(公告)号：CN106558506A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610649174.X

申请日：2016-08-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 矢岛明

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/1712

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，连接半导体芯片(CHP)和布线基板(WB)的凸块电极(BE2)包括将其周围用绝缘膜(17)包围的第1部分和从绝缘膜(17)露出的第2部分。能够在增加凸块电极(BE2)的高度的同时，减小凸块电极(BE2)的宽度，所以能够增加与相邻的凸块电极(BE2)的距离，密封材料(UF)的填充性提高。

公开(公告)号：CN104285280B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380013561.9

申请日：2013-02-12

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 杰斯皮德·S·甘德席

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0538 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一些实施例包含一种平坦化方法。横越半导体衬底且沿着从所述衬底向上延伸的柱而形成衬层。在所述衬层上和所述柱之间形成有机填充材料。形成横越所述柱和横越所述衬层和所述填充材料中的一或两者而延伸的平坦化表面。一些实施例包含一种半导体构造，其含有半导体裸片。导电柱延伸穿过所述裸片。所述柱具有位于所述裸片的背侧表面上方的上表面，且具有在所述背侧表面与所述上表面之间延伸的侧壁表面。衬层横越所述裸片的所述背侧表面且沿着所述柱的所述侧壁表面。导电盖位于所述柱的所述上表面上，且具有沿着与所述柱的所述侧壁表面邻近的所述衬层的边缘。

公开(公告)号：CN103367338B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310101194.X

申请日：2013-03-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.马勒 ,  A.普吕克尔 ,  R.沃姆巴歇尔

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37118 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及芯片装置和形成其的方法、芯片封装和形成其的方法。提供了一种芯片装置，该芯片装置包括：第一芯片载体；第二芯片载体；第一芯片，其电连接到第一芯片载体；第二芯片，其布置在第一芯片载体上方并且与第一芯片载体电绝缘；以及第三芯片，其电连接到第二芯片载体；其中第一芯片和第二芯片至少其一电连接到第三芯片。

公开(公告)号：CN103178030B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210568793.8

申请日：2012-12-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 丹尼尔·多梅斯 ,  拉尔夫·奥特伦巴 ,  罗兰·鲁普

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/3766 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8482 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/20759

Abstract: 本发明涉及一种包括安装在DCB衬底上的分立器件的模块及用于制造该模块的方法，该模块包括DCB衬底以及安装在DCB衬底上的分立器件，其中，分立器件包括：引线框架；安装在引线框架上的半导体芯片；以及覆盖半导体芯片的封装材料。

公开(公告)号：CN105845653A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510013448.1

申请日：2015-01-12

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林育民 ,  林柏丞 ,  张景尧

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明公开一种具有焊线的芯片结构，包括一芯片、第一金属层、第二金属层及焊线。第一金属层配置于芯片上，第一金属层的材料包括镍或镍合金。第二金属层配置于第一金属层上，第二金属层的材料包括铜、铜合金、铝、铝合金、钯或钯合金。焊线连接于第二金属层，焊线的材料包括铜或铜合金。